Полупроводниковый элемент памятидля постоянного запоминающего устройства

Полупроводниковый элемент памятидля постоянного запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ссноь Советских

Социалистических

Республик

«»824313 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 20,06.79 (2) ) 2784395/18-24 с присоединением заявки РЙ— (23) Приоритет

Опубликовано 23.04.81. Бюллетень Рй 15

Дата, опубликования описания 25.04.81 (5! )М. Кл.

g 11 С 17/00

Ивудврстввииый квинтет

СССР ю Виан изебретеинй и вткрытий (53) УДК681.327.

6(088.8) В. В. Буздин, Г, В. Флидлидер, Н. В. Паро, Н; -.,А-: Иофис

Б. М. Анфиногенов и A. А. Кузьмин (72), Авторы изобретения

l с4

1 (7f) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЭАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к вычислительной о технике и предназначено для изготовления в интегральном исполнении накопителя для постоянного запоминаюшего устройства на основе элементов памяти, соаержаших в качестве активного вещества халькогенидный стеклообразный полупроводник (ХСП) ..

Известен элемент памяти, выполненный

sa основе ХСП и содержаший для электрической. раавязки элементов в накопителе р -и переход. Он выполнен на подложке р=типа .проводимости, на которой сформирован: слоф }1 -типа (катод диода), в пределах которого находится диффузионный

+ слой р-тида (анод диода). На границе раздела слоя ю «типа и подложки р-типа находится скрытый слой n+-типа. Диод отделен от соседних элементов р-областяч ми и, таким образом, изолирован по бокам и снизу 1).

2О

Недостатками устройства являются ограниченное быстродействие, обусловленное примеж нием р- N перехода, паразитными

2 связями в объемной структуре, высокое сопротивление элемента в проводяшем состоянии и сложность технологии изготовления.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является элемент памяти, содержаший р-ф переход, сформированный на базе гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире (КНС). p-n

Переходы объединены в строчки диффузионными )(-шинами. С целью уменьшения сопротивления Х -шин, по: обеим сторонам кремниевой шины сформированы и дорожки е

Элементы памяти располагаются вертикально над р+ областями р- и переходов.

Последние объединения в столбцы алюминиевыми Y -шинами. Размер одного элемента накопителя составляет 6500 мкм

Таким образом, известный элемент памяти содержит пластину, например, из поликремния, в которой размешены полосы первого слоя диэлектрика, на поверхности которых расположен слой полупроводника.

3 8243 например монокремния с поцслоем, нац слоем монокремния размещен второй слой циэлектрика, сверху которого расположены металлические шины, слой ХСП, размещен ный в сквозных отверстиях металлических

5 ,шин и второго слоя диэлектрика(2).

Недостатками элемента памяти являются ограниченное быстродействие и высокое сопротивление элемента памяти.

Hemü изобретения - повышение надежности элемента памяти.

Поставленная цель цостигается тем, что.элемент памяти содержит пленку металла, которая размещена между слоем

ХСП и слоем монокремния, при этом пленка металла со слоем монокремния образует циоц Шоттки.

На фиг. 1 показан элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на цодложке ноликремния; на фиг. 2— эквивалентная электрическая схема элемента памяти, на фиг. 3 — элемент памяти в интегральном исполнении, выполненный на сапфировой подложке с эпитаксиальной пленкой кремния; на фиг. 4эквивалентная электрическая схема эле,мента памяти.

Элемент памяти соцержит пластину 1 из поликремния, полосы монокремния 2, подслой 3, первый слой диэлектрика 4, пленку металла 5, второй слой диэлектрика 6, металлические шипы 7, слой 8

ХСП, сквозные отверстия 9.

Для изготовления элемента памяти используется пластина 1 поликремния с заглубленными в нее полосами монокрем-. ния 2 с сильно легированным поцслоем

3 и первым слоем диэлектрика 4.

На поверхность полос монокремния

2 наносят слой металла 5 (молибден, 40 никель или алюминий), образующий со слоем монокремния 2 диоц Шоттки, на слой металла наносят второй слой циэлект рика 6, на который затем напыляют металлические шипы 7. В сквозные отверс 45 тия у слоев напыляется слой 8 ХСП.

:Ha фиг. 3 и 4 представлен другой вариант конструкции элемента памяти, выполненного на пластине 1, содержащей двухслойную эпитаксиальную пленку моно-50 кремния на сапф ре. В этом случае нижняя шина состоит из слоя кремния 2 и сильно легированного поцслоя 3. Все остальные элементы конструкции 5-8 аналогичны первому варианту.

Элемент памяти изготовляют известными методами полупроводниковой технологии.

Использование предлагаемого изобретения, заключающегося в том, что между слоем ХСП и слоем полупровоцника, например кремния, помещен диод Шоттки, позволяет улучшить электрические параметры элемента памяти, а именно, снизить его прямое сопротивление в 2-3 раза, повысить быстродействие за счет замены р-e nepexoaa диодом Шоттки, повысить степень интеграции.

Фор мула из обретения

Полупроводниковый элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, с оцерж аши и плас тину, н апри мер, из поликремния, в которой размещены полосы первого слоя циэлектрика, на поверхности которых расположен слой нолупровоцника, например, монокремния с подслоем, над слоем монокремния. размещен второй слой диэлектрика, сверху которого расположены металлические шины, слой халькогеницного стеклообразного полупроводника, размещенный в сквозных отверстиях металлических шин и второго слоя диэлектрика, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит пленку металла, которая размещена между слоем халькогеницного стеклообразного полупроводника и слоем монокремния, при этом пленка металла со слоем монокремния образует диод Шоттки.

Источники, информации, принятые во внимание при экспертизе

1, "Электроника", т. 43, 1970, М.20, с. 5.

2. "Микроэлектроника, т. б, вып. 4, 1977, с. 307 (прототип).

8243 13 г

Фиг.1 а фца

ФиаФ

Составитель В. Вакар

Редактор А. Шишкина Техред Н. Граб КорРектор Г. Решетник

Заказ 2134/76 Тираж 645, Поднисное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Масква, Ж.-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ЛПП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4