Полупроводниковое времязадающееустройство

Полупроводниковое времязадающееустройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОЙ ИСАЙИ Е

ИЗОВРЕТЕК ИЯ

К АВТЬРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к акт. саид-ву (22) Заиалеио06. 07. 79. (21) 2790052/18-21

Сов э Советски к

Социалистически к

Ресвублии

<и 824423 (51)М. КЛ.

Н ОЗ К 5/153 с присоединением заааки Рш

Гююударютавювй камптет

СССР пю делам кааюретекик к юткритк11 (23) Приоритет

Опубликовано 23.04.81. Бюллетень рй15 (53) УДK621. 374 (088. 8) 3ата опубликования оиисаиия25.64.81. (72) Авторы изобретении

О, Н. Негоденко и С. П. Мирошниченко

l

Таганрогский радиотехнический инс титут им. В. Д.Kaawwosa (7l) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ВРЕИЯЗАДАЮЩЕЕ

УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к импульс= ной и аналоговой технике, может быть использовано s телевидении, ак- тинных фильтрах, системах автоматики измерительной, вычислительной технике и предназначено для задержки сигналов во времени.

Известно устройство, содержащее решетку соединенных между собой электродов, расположенную под рер0 зистивным электродом н изолированную от.подложки и резистивного электрода диэлектриком, источник импульсного напряжения подаваемого на решет-

«у электродов 11.

Однако известное устройство обладает следующим недостатком: существенным уменьшением ампдитуды выходного сигнала.

Из известных технический решений наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство, состоящее из полупроводниковой подложки одного типа проводи.— мости, покрытой диэлектриком, инжектора и коллектора другого типа проводимости, протяженного резистивного электрода постоянной ширины, проводящих пленочных выводов от инжектора, коллектора и резнстивного электрода, источников постоянного напряжения, причем инжектор расположен вблизи одного конца реэистивного электрода,нах< рящегося под .одним напряжением а коллектор — вблизи другого, находящегося под напряжением, большим первого f2).

B этом устройстве сигнал распространяется в обедненном носителями заряда канапе, расположенном в подложке под резистивным электродом, и

его амплитуда существенно уменьшается по мере распространения вследствие влияния диффузии и наведенного поля.

Пелью изобретения является уменьшение затухания сигнала.

824423

4

Поставленная цель достигается ным каналом и распространяются вдоль тем, что в полупроводниковое время- него по направлению к коллектору S задающее устройство, состоящее из под действием тянущего электрического покрытой диэлектриком полупроводни- поля, созданного напряжением. ковой подложки одного типа проводи- К выводу 10 коллектора прикладымости, инжектора и коллектора другого вается напряжение, смещающее коллектипа проводимости, расположенных тор в обратном направлении. Его обед- на диэлектрике резистивного электро- ненная область смыкается с обедда и выводов от инжектора, коллектора ненным каналом и выводит носители и резистивного электрода, введена >р заряда. На сопротивлении коллекторной дополнительная резистивная область нагрузки создается выходной сигнал. с увеличивающейся по линейному зако- Использование нового элемента— ну шириной, которая соединена по дополнительной резистивной области .4 кромке с резистивным электродом и позволяет создать в обедненном канарасположена на диэлектрике. При этом д ле уменьшающуюся по мере приближения толщина диэлектрика под дополнитель- к коллектору напряженность поля. ной резистивной областью в 3-7 раз Захваченные обедненным каналом нобольше толщины диэлектрика под резис- сители заряда, продвигаясь вдоль нетивным электродом. го, притормаживаются,, так как их

На фиг. 1 представлена конструкция 20 скорость. пропорциональна напряженвремязадающего устройства; на фиг. 2 — ности поля. Это ведет к увеличению разрез А-А на фиг. 1.. амплитуды поверхностной концентраустройство содержит вывод 1 инжек ции носителей заряда по мере прнблитора, инжектор 2(Р - область) резис- жения к коллектору и, как следствие, тивный электрод 3, дополнительную ре- к уменьшению затухания сигнала. В зистивную область 4, 11 — o6aacть 5> предлагаемом устройстве уменьшение зазеипяемый вывод 6 резистивного амплитуды поверхностной плотности электрода и подложки„ выводы 7 для заряда за счет влияния диффузии и неразрушающего считывания информации наведенного поля компенсируется о задержанном сигнале, потенциальныи Эр увеличением поверхностной плотности вывод 8 резистивного электрода, кол- заряда за счет притормаживания перелектор, 9 (P — область), вывод 10 кол- двигающихся вдоль канала носителей лектора, кромку 11 резистивного элект заряда нелинейным продольным полем в рода, диэлектрик 12, подложку 13 (n- канале. типа), обедненный носителями заряда

35 канал 14, резистор 15 на толстом диэлектрике, введенный для уменьше- Формула изобретения ния количества источников питания.

Дополнительная резистивная область 4 1. Пблупроводниковое времязадаю-. соедин оединена с резистивным электродом 3 щее устройство, состоящее из покры40 по кромке 11. Выводы 1,6,?,8 и 10, той диэлектриком полупроводниковой дополнительная резистивная область 4, подложки одного типа, проводимости, резистор 15 расположены на толстом инжектора и коллектора другого типа диэлектрике, а под резистивным элет- проводимости расположенных на диэлектродом то

3 лщина диэлектрика умень- рике резистивного электрода и выво45шена в 3-7 раз. дов от инжектора, коллектора и резисРаботает устройство следующим об- тйвного электрода, о т л и.ч а юразом. щ е е с я тем, что, с целью уменьПри приложении к выводу 1 относи- шения затухания сигнала, в него вветельно вывода 6 достаточного постоян- дена дополнительная резистивная ного и переменного или импульсного область с увеличивающейся по линейнапряжения и ния инжектор 2 инжектирует в подложку носите ители заряда.К выводу 8 элект- иена по кромке с резистивн электрода приклады адывается напряжение такой ве- родом и расположена на диэлектрике, личины, чтобы в подложке 13 под резистинным электродом 3 создался обеднен- ы 2. Устройство по и. 1, о т л ич а ю щ е е с я тем, что толщина ный носителями заряда канал 14. Инжекодлоысу но- диэлектрика под дополнительной резистированные инжектором в подлоысу тивной областью в 3-7 раз больше сители заряда захватываются обеднен—

824423 осков

Корректор Н. Швьдкая

Составитель Л. Кол

Редактор В. Данко Техред С.Мигунова

Заказ 21 Тираж 988 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

4/5 елам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, толщины диэлектрика под резистивным электродом.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

l. Заявка Франции М-" 229546, кл. HOlt 27/10, опублик. 09.07.76.

2. Заявка ФРГ В 2606254, кл. Н 01 L 29/66, опублнк. 18.08,77.