Балансный смеситель

Балансный смеситель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистически»

Реслублик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 020479 (23) 2749225/18-09 (53)М. КЛ. с присоединением заявим N9 (23) Приоритет—

Н 04 В 1/26

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

Опубликовано 2 304 81 Бюллетень Hо 1 5 (53) УДК621. 372 (088.8) Дата опубликования описания 230481

s г

/.

М.N.Áåçëþäoâà и A.Е.Панов 7,": .„ гг/.. (72) Авторы изобретения г." (71) Заявитель (54) БАЛАНСНЫЙ СИЕСИТЕЛЬ

Изобретение относится к технике ,сверхвысоких частот и может быть использовано в качестве преобразователя частоты.

Известен балансный смеситель, содержащий металлиэированную с одной .стороны диэлектрическую подложку, на которой расположены полупроводниковые диоды, соединенные по мостовой схеме, первое плечо котомкой подклю- 1О чено к тракту сигнала промежуточной частоты, второе - к тракту промежуточной частоты, а третье и четвертое плечи подключены к тракту гетеродина

Г1) . 15 Однако известное устройство не обеспечивает развязки в широком диапазоне частот между трактами сигнала, гетеродина и промежуточной частоты более чем 20 дБ. 20

Цель изобретения — увеличение развязки между трактами в широкой полосе частот, Поставленная цель достигается тем, что в балансный смеситель, содержа- 25 щий металлиэированную с одной стороны диэлектрическую подложку, на которой расположены полупроводниковые диоды, соединенные по мостовой схеме, первое плечо которой подключено к 30

2 тракту сигнала и промежуточной частоты, второе — к тракту промежуточной частоты, а третье.и четвертое плечи подключены к тракту гетеродина, между третьим и четвертым плечами мостовой схемы и трактом гетеродина введен отрезок линии передачи, причем тракты сигнала и гетеродина выполнены противофазными в виде отрезков двухпроводной линии длиной, кратной

Л пр /4, один из проводников которой соединен с металлизированной стороной диэлектрической подложки, а тракт промежуточной частоты, длина которого кРатна дс/4, и отРезок линии пеРедачи выполнены синфазными в виде отрезков двухпроводной линии, где Лпр— длина волны на промежуточной частоте, Хс — длина волны на частоте сигнала.

На схеме представлена структурная электрическая схема предлагаемого устройства.

Балансный смеситель содержит металлизированную с одной. стороны диэлектрическую подложку 1, полупроводниковые диоды 2, соединенные по мостовой схеме, тракт 3 сигнала, тракт

4 промежуточной частоты, тракт 5 гетеродина, отрезок б линии передачи, причем тракты сигнала и гетеродина

824453

Формула изобретения

Лет.

ВНИИПИ Заказ 2150/83 Тираж 698 Подписное

Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4,3 и 5 выполнены противофазными в виде двухпроводной линии длиной, кратной 1 +/4, один из проводников 7 которой соединен с металлизированной стороной 8 диэлектрической подложки )

1, а тракт 4 промежуточной частоты, длина которогократна /4, и отрезок б линии передачи выполнены синфаэными в виде отрезков двухпроводной линии.

Устройство работает следующим образом. 1Î

От источников сигнала и гетеродина по трактам сигнала и гетеродина

3 и 5 на разные диагонали мостовой схемы с диодами 2 поступают колебания с разностью фаз 0 и 180 . Симмет- 15 рия включения диодов моста обеспечивает их развязку.

В точках включения тракта и промежуточной частоты выделяется разностный сигнал промежуточной частоты.

Для колебаний промежуточной частоты диагональ моста, к которой подключен тракт 5 гетеродина, замкнута накоротко (из условия равенства длины отрезка синфазной линии тракта 4 промежуточной частоты Лс/4).

Синфазные колебания йромежуточной частоты также не распространяются в тракт 3 сигнала, поскольку его размеры и длина обеспечивают условия распространения только противофазных З0 сигналов.

Таким образом, в предлагаемом устройстве обеспечивается развязка между трактами. Балансный смеситель может быть реализован на микрополоско- З5 вых линиях и перспективен для применения в широкополосных СВЧ приемни ках.

Балансный смеситель, содержащиЙ металлизированную с одной стороны диэлектрическую подложку, на которой расположены полупроводниковые диоды, соединенные по мостовой схеме, первое плечо которой подключено к тракту сигнала промежуточной частоты, второе — к тракту промежуточной частоты, а третье и четвертое плечи подключены к тракту гетеродина, о T л ич а ю шийся тем, что, с целью увеличения развязки между трактами в широкой полосе частот, между третьим и четвертым плечами. мостовой схемы и трактом гетеродина введен отрезок линии передачи, причем тракты сигнала и гетеродина выполнены противофазнымй в виде отрезков двухпровод.— ной линии длиной, кратной 1пр/4, один из проводников которой соединен с металлизированной стороной диэлектрической подложки, а тракт промежуточной частоты, длина которого кратна 1с /4, и отрезок линии передачи вы-, полнены синфазными в виде отрезков двухпроводной линии, где Хд — длина волны на промежуточной частоте, Хс— длина волны на .частоте сигнала.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Зарубежная электронная техника. — "Электроника", ЦНИИ, 1975, Р 19, с. 25-28 (прототип).