Накопитель для запоминающего устройства

Накопитель для запоминающего устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ 8ЗО574

Союз Соаетскнд

С оцналнстнчесинк

Реснубпнк

)ф в

I с

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено 300779 (21) 2802975/18-24 (51) М. ХЛ.

G 11 С 11/22 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

СССР по дедам изобретений н открытий (23) Приоритет

Опубликовано150581. Бюллетень Ж 18.

Дата опубликования описания 150581 (53) УДК 681.327. .б (088. 8) В. А. Завадский, Ю. П. Заика и . Г т, (72) Авторы изобретения

Сассофалов

t с сс и (4 ческЫ . институт ., сощц лисс,тичсеской

+-а с.

Киевский ордена Ленина политех им. 50-летия Великой Октябрьск революции (73) Заявитель (54 ) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО

УСТРОЙСТВА,за

Изобретение относится к запоминающим устройствам.

Известен накопитель, содержащий пластину из сегнетоэлектрического материала, на противоположные стороны которой нанесена система электродов. Такой накопитель выполняется в виде интегральной микросхемы, обеспечивающей многократное воспроизведение записанной информации без ее разрушения (1).

Однако этот накопитель не обеспечивает высокой плотности упаковки информации из-за неполного использо-. вания объема сегнетоэлектрической пластины.

Наиболее близким техническим реше. нием к изобретению является накопи-. тель, содержащий сегнетопьезоэлектрическую пластину, на одной стороне которой расположены электрод возбуждения и электрод записи, а на другойэлектрод возбуждения, выходные электроды, разрядные электроды, подключенные к выходным электродам и отt стоящие друг от друга на расстоянии, равном длине механической волны, распространяющейся в объеме сегне-.

)тоэлектрической пластины f2).

Однако этот накопитель обеспечивает невысокую плотность размещения информации нз-за того, что, исходя из требования надежного выделения информационных сигналов, расстояние между выходньпли электродами должно быть не менее длины механической волны, распространяющейся в объеме пластины при считывании информации.

Это снижает информационную емкость накопителя.

Цель изобретения — увеличениЕ информационной етлкости накопителя.

Поставленная цель достигается тем, что в накопитель для запоминающего устройства, содержащий сегнетопьезоэлектрическую пластину, на одной стороне которой расположены первый электрод возбуждения и параллельно ему группы разрядных элентродов, отстоящих от первого электрода возбуждения и друг от друга в пределах каждой группы на расстоянии длины механической волны, распространяющейся э сегнетопьезоэлектрической пластине, и подключенных к выходным электродам, расположенным перпендикулярно разрядным электродам групп, на другой стороне сегнетопьезоэлектрической пластины напротив первого электрода

830574 возбуждения располо>кен второй влек трод возбуждения и параллельно ему располо>кены электроды записи по числу разрядных электродов в каждой группе, нанесенные напротив разрядных электродов, введены третий и 5 четвертый электроды возбу>хдения, дополнительные электроды записи и выходные электроды и дополнительные группы разрядных электродов, причем третий электрод возбуждения расположен на одной стороне сегнетопьезоэлектрической пластины перпендикулярНО ПЕРВОМУ ЗЛЕКтроду ВОЗбуждения, а параллельно третьему электроду возбуждения в промежутках между разрядныс Г ми электрода>ли групп располо>кены > .э дополнительные электроды записи, отстоящие друг.от друга на расстоянии длины меха.нической волны, распространя ощейсы н сегнетопьезоэлектриче кой пластине, на другой сторо- 2Q не пластины напротиe третьего электрода ьозбуждения расположен четвертый электро-.> возбу>кдения и паралЛЕЛЬНО СМ>с Нап»ОЧИВ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ электродов записи расположены дополнителънь>е группы разрядных электродов, подклкзченных к дополнителъны>л выходным электродам, расположенным

ПЕРПЕНДсИКУЛЯРПО РаЗРЯДНЫсм ЭЛЕКГРОдам дополнительных групп.

На чеРс.еже показана констРУкдиЯ накопителя для запо>линающего устройства.

Основой конструкции накопителя является сегнеioi>i;åзоэлектрическая пластина 1. На Одну сторо>су пластины 1 нанесен первый электрод 2 возбуждения и параллельно ему первые групп (на чертеже k 2) разрядных электродов 3, Отстоящих от электрос да 2 возбужде-Iия и друг от друга в 40 пределах ка;кдой группы на расстоянии длины механической волны. Разрядные электроды 3 в пределах каждой группы подключены к соответствующим выходным электродам 4. На другую стс>рону пластины 1 против первого электрода 2 возбу>кдения нанесен второй электрод 5 возбуждения и параллельно ему против разрядн х электродов 3 электроды б записи. На одну сторону йластины 1 перпендикулярно первому электроду 2 возбуждения нанесен третий электрод 7 возбу>кдения и параллельно ему нанесены дополнительные электроды 8 записи, отстоящие друг от друга на расстоянии, равном длине механической волны. На другую сторону пластины 1 против третьего электрода 7 возбу>кдения нанесен четвертый электрод 9 возбуждения .и параллельно ему дополнительные к групп 60 (на черте>ке k=2) разрядных электродов 10. Разрядные электроды 10 в пределах каждой группы подключены к соответствующим дополнительным выходным. электродам 11. Длина разрядных электродов 3 и 10 значительно превышает их ширину. Поляризация сегнетоэлектрического материала между электродами возбуждения 2,5 и 7,9 образуется приложением электрического напри;кения к указанны>л элект >одам и в процессе эксплуатации не изменяется.

Инфорглация в накопитель может заноситься как при изготовлении, так и при эксплуатации. Для этого доста« точно приложить электрическое напряжение между соответствующим выходным электродом и электродом записи (например, между одним из выходных электродов 4 и одним из электродов

6 записи). В результате в зоне перекрытия выбранного разрядного электрода 3 и электрода б записи устанавливается постоянное значение поляризации, причем величина и направление вектора поляризации однозначно определяется полярностью и величиной приложенного напря>хения записи. Направление поляризации в зонах перекрытия электродов 3,6 и 10,8 может быть раз— личным и характеризует хранимый информационный массив.

При подаче импульса электрического напряжения на электроды 2 и 5 возбу>кдения происходит считывание информации, записанной в зонах перекрытия разрядных электродов 3 первых групп разрядных электродов и электродов 6 записи. H результате обратного пьезоэффекта в зоне перекрытия электродов 2 и 5 возбуждения возникает волна механической деформации, фронт которой параллелен электродам 2 и 5.

По достижении волной разрядных электродов З,в силу прямого пьезоэффекта в выходных пьезопреобразователях, образованных в зонах перекрытия электродов 3 и электродов б записи, поочередно наводятся электрические сигналы, полярность которых определяется записанной информацией. Размещение разрядных электродов 3 на расстоянии, равном длине механической волны, исключает наложение сигналов в выходных электродах 4 при считывании информа" ции. Аналогично при подаче импульса электрического напряжения на электроды 7 и 9 возбуждения происходит считывание информации, записанной в зонах перекрытия различных электродов

10 и электродов 8 записи.

Ориентирование выходных пьезопреобразователей по.двум ортогональным координатам позволяет производить независимое считывание по каждой из координат и вдвое увеличивает информационную емкость накопителя. Ввиду того, что длины разрядных электродов больше их ширины, выходные сигналы от механической волны, считывающей инфор>лацию по одной пространственной координате, фронт которой параллелен

830574 длинной стороне разрядного электро.да, больше, чем сигнал помехи от волны, опрашивающей выходные пьезопреобразователи, расположенные по ортогональной координате.

Эффективность предлагаемого накопителя для запоминающего устройства проявляется при проектировании матричных запоминаищих устройств, в которых благодаря размещению запоминанщих элементов по двум пространственным координатам возможно не только вдвое увеличить информационную емкость устройств по сравнению с известными при прежних габаритах, но и вдвое сократить количество сервисного оборудования (усилители считывания и фор-1 мирователи записи), Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройства, содержащий сегнетопьезоэлектрическув.пластину, на одной стороне которой расположены первый электрод возбуждения и параллельно 25 ему группы разрядных электродов, отстоящих от первого элекТрода возбуждения и друг от друга в пределах, каждой группы на расстоянии длины механической волны, распространяющейся в сегнетопьезоэлектрической пласти не, и подключенных к выходным электродам, расположенным перпендикулярно разрядным электродам групп, на другой стороне сегнетопьезоэлектрической пластины напротив первого электрода возбуждения расположен второй электрод возбуждения и параллельно ему расположены электроды записи по числу разрядных электродов в каждой группе, нанесенные напротив разрядных электродов, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью увеличения информационной емкости накопителя, он содержит третий и четвертый элек-, троды возбуждения, дополнительные электроды записи и выходные электроды и дополнительные группы разрядных электродов, причем третий электрод возбуждения расположен на одной стороне сегнетопьезоэлектричес" . кой пластины перпендикулярно первому электроду возбуждения, а параллельно третьему электроду возбуждения в промежутках между разрядными электродами групп расположены дополнительные электроды записи, отстоящие друг от друга на расстоянии длины механической волны, распространяющей« ся в сегнетопьезоэлектрической пластине, на другой стороне пластины напротив третьего электрода возбуждения расположен четвертый электрод возбуждения и параллельно ему напротив дополнительных электродов записи расположены дополнительные группы разрядных электродов, подключенных к дополнительным выходным электродам, расположенным перпендикулярно разрядным электродам дополнительных групп.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 55б497, кл. G .11 С 11/22, 1975.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке Р 2579347/18-24, кл. 6 11 С.11/22. 1978 (прототип).

830574

1Р .tf 10

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель В. Рудаков

Редактор И. Циткина Техред М. Рейвес.:Закаэ 3507/65 Тираж б45

ВННИПИ Государственного комитета СССР по делам иэобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская раб., д. 4/5

Корректор Н. Швыдкая

Подписное