Способ защиты полупроводниковогоприбора

Способ защиты полупроводниковогоприбора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

CoIo3 Советскнк

Соцнапнстнческнк

Республнк

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ (u)830611

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 18.07.79(21) 2798312/24-07 с присоединением заявки Нов (23) Приоритет

Опубликовано 150581. Бюллетень Йк 18

Дата опубликования описания 15.05.81 (51)М. Кл.

Н 02 Н 7/10

Н 02 М 1/18

Государственный комитет

СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 621. 316. .925.4:621.314.

° 572(088 ° 8) (72) Авторы изобретения

A. Е. Макаров и В. Г. Тимурджи

Новочеркасский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт им. Cepro Орджоникидзе (71) -Заявитель (54) СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Изобретение относится к защите силовых полупроводниковых приборов.

Известен способ защиты полупроводникового прибора, при котором измеряют температуру корпуса прибора и при превышении ею уставки формируют сигнал защиты 11 .

Недостатком этого способа является низкая точность.

Наиболее близким по техническим средствам и достигаемому результату к изобретению является способ защиты полупроводникового прибора, при котором измеряют ток, протекающий через прибор,.преобразуют его в величину, пропорциональную мощности, моделируют тепловое состояние полупроводникового кристалла, выделяют сигнал пропорциональный температуре

У кристалла, сравнивают его с установкой, при превышении которой формируют сигнал защиты (2) .

Однако данный способ характеризуется недостаточными возможностями из-за отсутствия защиты от опасных термомеханических напряжений возникающих между кристаллом и прилегающими к нему частями прибора иэ-за различных коэффициентов теплового расширения.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей.

Для достижения указанной цели мгновенное значение тока защищаемого полупроводникового прибора преобразуют в сигнал, пропорциональный мощности потерь, рассеиваемых в при(1 боре. Этот сигнал подают на тепловую модель прибора, выполненную например на RC-цепи, в которой его преобразуют в величины, пропорциональные температурным перепадам между отдельными частями прибора. Суммируя их, получают величину, пропорциональную т5 перегреву относительно окружающей среды полупроводниковой пластины и частей корпуса,.к ней.прилегающих.

Используя однозначную связь между этими температурами и значением

20 термомеханической напряженности, вызывающей отказ прибора, получают величину, пропорц; ональную термомеханической напряженности, значение которой сравнивают с пороговым

2с,и при превышении последнего формируют сигнал защиты. Этот сигнал используют как дополнительный к основ- . ному сигналу защиты, который формируют при недопустимом перегреве

30 кристалла.

830611

Формула изобретения

Составитель В.Литвиненко.Редактор Л.Тюрина Техред Ж. Кастелевич Корректор В.Синицкая

Эаказ 3721/82 Тираж 675 Подписное

ВНИИПИ Росударственного комитета СССР по.делам изобретений и открытий

113035,Москва,Ж-35,Раушская наб.,д.4/5

Филиал ППП "Патент",г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ э ащиты полупроводникового прибора при котором измеряют ток, протекающий через прибор, преобразуют его в величину, пропорциональную мощности, моделируют тепловое состояние прибора, выделяют сигнал, пропорциональный температуре кристалла, сравнивают его с уставной, при превышении которой формируют сигнал защиты, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных воэможностей,дополнительно выделяют сигнал, пропорциональный температуре частей прибора, прилегающих к кристаллу, и преобразуют его совместно с сигналом, пропорциональным температуре кристалла в сигнал, пропорциональный термомеханическим напряжениям, сравнивают последний с заданным значением, при превышении которого формируют дополнительный сигнал защиты.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Конев lO.È. Полупроводниковые триоды в автоматике. Изд-во"Советское радио". М., 1960, с. 148.

2. Авторское свидетельство СССР

9 179823, кл. H 02 Н 7/10, 1965.