Способ измерения индукции магнит-ного поля

Способ измерения индукции магнит-ного поля

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

()834629

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советски к

Социалистическик

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 04.05.79 (21) 2762258/18/21 (51) М. Кл.з б 01 R 33/02 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

Гееударетненный камнтет (53) УДК 621.317..44 (088.8) Опубликовано 30.05.81. Бюллетень № 20

Дата опубликования описания 05.06.81 нр делам нзобретеннй н еткрмтнй

Ф. Г. Доника, С. И. Радауцан, А. Н. Балаш в, И. С. Левитас, Ю. Д. Тон и Ю. В. Горемы ин,) " .- .- . l

Специализированное конструкторско-технологическое бюро твердотельной электроники с опытным производством

Института прикладной физики АН Молдавской ССР (72) Авторы изобретения (7 I) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ИНДУКЦИИ

МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к технике магнитных измерений и предназначено для измерения магнитного поля, а также поверхностных параметров полупроводников.

Известен способ измерения индукции маг нитного. поля, включающий воздействие магнитным полем на носители заряда в однородной полупроводниковой пластине и воздействие на пластину 4 или /лучей (1).

Недостатком данного способа является использование радиоактивного излучения, которым облучают одну из сторон пластинки. 1ð

Известен также способ измерения индукции магнитного поля, включающий воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине (2).

1$

В известном способе на однородную полупроводниковую пластину действуют светом. В результате световой генерации на поверхности пластинки создаются носители заряда, которые диффундируют в объем.

Под действием силы Лоренца они отклоняются в направлении, перпендикулярном движению. Вследствие этого на противоположных сторонах пластинки возникает разность потенциалов, по величине которой можно судить о величине индукции магнитного поля.

Недостатком известного способа является то, что интенсивность освещения пластинки, от которой зависит величина фототока, в ней не стабильна. Интенсивность света лам пы накаливания зависит от точности поддержания тока и сопротивления нити. Сопротивление нити меняется со временем вследствие испарения материала нити и ее утончения, а также зависит от температуры окружающей среды, в результате чего снижается . точность измерения.

Цель изобретения — повышение точности измерения индукции магнитного поля.

Цель достигается тем, что в способе, включающем воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине на указанную пластину дополнительно воздействуют электрическим полем, перпендикулярным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гранях пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей,, судят об индукции магнитного поля.

834629

Формула изобретения

Составитель В. Новожилов

Редактор А. Мухина Техред А. Бойкас Корректор В. Синицкая

Заказ 4048/72 Тираж 732 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий! l 3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Способ измерения индукции магнитного поля осуществляется следующим образом.

Однородную полупроводниковую пластину помещают в измеряемое магнитное поле. Затем с помощью двух полевых электродов на нее воздействуют электрическим полем. перпендикулярным измеряемому магнитному полю. Постоянное напряжение, которое подают на полевые электроды, способствует интенсивному процессу захвата носителей заряда медленными поверхностными

1О состояниями. После снятия электрического поля захваченные носители в результате диффузии-, и дрейфа двигаются от поверхностей пластины. Под действием силы Лоренца носители отклоняются в направлении, перпендикулярном их движению. Это вызывает появление на боковых гранях пластины параллельных плоскости электрического и магнитных полей, разности потенциалов, пропорциональной индукции магнитного поля.

Способ измерения индукции магнитного поля, включающий воздействие магнитным полем на движущиеся носители заряда в однородной полупроводниковой пластине, от. личающийся тем, что, с целью повышения точности на указанную пластину дополнительно воздействуют электрическим полем, перпендикулярным магнитному полю, снимают электрическое поле, а по разности потенциалов на гранях пластины, параллельных плоскости электрического и магнитного полей, судят об индукции магнитного поля.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 291173, кл. G 01 R 33/02, 1971.

2. Шалимов К. В. Физика полупроводников. М., «Энергия», 1971, с. 305 †3.