Способ производства текстурованнойэлектротехнической стали

Способ производства текстурованнойэлектротехнической стали

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

„„840158

Союз Советских

Социалистических

Республик (6l) Дополнительное к авт. свил-ву

l (22) Заявлено 12.09.79(21) 2816268/22-02 (51)М. Кл.

С 210 8/12 с присоединением заявки РЙ

Гееудврстееивй квинтет (23) Приоритет ив делан изебретеиий и Открытий

Опубликовано 23.06.81. Бюллетень Рй 23

Дата опубликования описания 23.06.81 (53) УДК. 621.14. . 01 8.583 (088.8) )

Л. П. Бабичев, Б. А. Корниенков, В. П. Кузьмишко, В. П. Макаров и Б. B. Мопотилов о

1 г, .-а;:.-:7

У..

Центральный ордена Трудового Красного Знамени -" .";.",,: / научно-исследовательский институт черной металлургии им. И. П. Бардина / (72) Авторы изобретения (71) Заявитель

{54) СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ТЕКСТУРОВАННОЙ

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ СТАЛИ!

Изобретение относится к металлургии, кОнкретнее к производству холодноката ной электротехнической стали с ребровой текстурой.

Известен способ производства электротехнической стали, в котором с пелью снижения потерь на перемагничивание поперек направления прокатки создаются наддавы, которые приводят к уменьшению ширины доменов и снижению потерь на перемагничивание(11

1О

Недостатком известного способа является его ограниченность в связи с тем, что происходит формирование тес турова нных объемов материала в

15 местах наддавов, что сдерживает дальнейшее улучшение магнитных свойств.

Известен также способ производств электротехнической стали с совершенной ребровой текстурой (1 1 О) 001), заклю70 .чающийса в том, что, с делью уменьшения потерь на перемагничивание уменьша . ют ширину ферромагнитных доменов путем создания на поверхности листа керамичес»

2 кой пленки> вызывающей растягивающие напряжения величиной 1-1,5 кгс/мм в плоскости листа (21.

Недостатком известного способа являетса низкаа величина создаваемых напряжений, что не позволяет уменьшить величину доменов и снизить потери на перемагничивание.

Цель изобретения — повышение магнитных свойств за счет формирования субструктуры: в объеме каждого кристаллита.

Ивяная пель достигаетса тем, что после холодной прокатки и высокотемпературного отжига в объеме кристалла ленты электротехнической стали формируе1 ся субструктура путем одноосного растяжения при 900-1 000 С и относитель0 ном удлинении 16-24 7, т.е. в.условиях высокотемпературной ползучести.

Субструктура представляет собой блоки размером 0,5-1,5 мм при взаимной разориентировке 10- 15 мин. а

3 8401

Механизм высокотемпературной ползучести определяется диапазоном температур Т 0,5Тпл. При этом течение мат . риала происходит в результате са ,модиффузии. Ниже 0,5 Т пл. ответственными за течение являются другие механиз мы. Верхней границей диапазона является температура, близкая к Тпл., однако при Т 1000ОС происходит неравномерное течение материала, приводящее к щ обрыву. Поэтому для деформации выбрана температура в пределах 900-1000ОС.

Субструктура, сформированная в. крис- таллах электротехнической стали предла гаемым способом, приводит к уменьшению потерь на перемагничивание благодаря снижению коэрцитивной сипя из-за эффекта очистки объема кристалла от несовершенств и примесей и токовихревых потерь за счет дробления доменной структуры малоугловыми границами.

Пример . Снижают потери на перемагничивание в кристаллах электротехнической стали с ориентировкой {110)

$001$ после создания в них субструктуры 5 путем одноосного растяжения в условиях

О высокотемпературной ползучести (Т-"980 С, 5 = 0,4-0,5 кгс.мм ).

-Я

Из больших зерен трансформаторной стали, толщиной 0,5 мм, лежащих в плос-30

58 ф кости {110), вырезают образцы размером 6х120 мм так, чтобы длинная сторона была параллельна кристаллографическому направлению $001). Резку производят на электрОкоррозионном станке. Йпя придания образцам одинаковой геометрии они подвергаются шлифованию на тонких наждачных бумагах, а затем полируются алмазной пастой до толщины 0,37 мм.

Лля снятия напряжений от резки и шлифс вки образцы проходят термообработку при

1100 С выдержке 43 ч в вакууме

-Д

1-1О мм рт.ст. и охлаждении со скорос тью 1 О ОоС/ч.

Йеформированные и контрольные образцы шлифуют H полируют

0,30 мм и проводят термообработку по указанному режиму. бранные магнитных цов сведены в таблицу. измерений образ.После такой обработки замеряют потери на перемагничивание и коэрцитивную силу. После снятия магнитных характеристик образцы деформируют путем одноосного растяжения при 980ОС на разные степени деформации. Лля сравнения свойств до и после деформации оставляют контроль. ные образцы.

0,096

0,09

0,96

О, 8-1

0,95

61 25

-37,5

0,06

0,84

0,88

0,77

-19

0,79

-17

-33f 3

0,5-1,5

0,76

-20,8

-40, 6

1 (известный) О

24

Субструктура от су тс твует

4,5-6,5

1,5-4,5

1,5-2,5

Ot5-2,0 5-10

0 5-1 5 10-15

0,071

0,056

О, 064

0,057

5 840158: 6

Приведенная в таблиие зависимость ший холодную прокатку и последующий между oTBocHTBlIbHLIM удлинением, разме- .высокотемпературный отжиг, о т л и ч аром субъячейкн, ее разориентировкой и ю шийся тем, что, с пелью повыйемагнитными характеристиками исследуемо- ния уровня магнитных свойств за счет го материала позволяет сделать вывод о 5 формировании субструктуры в обьеме том, что лучшие свойства получаются каждого кристаллита, после высокотемпепри деформации 16-24 %, тогда, когда ратурного отжига проводят одноосное расразмер ячейки составляет 0,5-1 5 мм

Э. ° тяжение в интервале температур 900о при разориентировке 10-15 мин. Удлине- 1000 С при относительном .удлинение больше 25 % приводит к неравномер- 1о нии 16-24 %. ному утонению материала и к обрыву. Источники информации, Удлинение менее 16 % не дает значитель- принячые во внимание при экспертизе ного улучшения магнитных свойспз. 1. Авторское свидетельство СССР

Формула изобретения 34 331100,кл. С 210 1/78, 1971.

Способ производства текстурован- g 2. Патент США % 3956029, ной электротехнической стали, включаю- кл. 148-27, 1977.

Составитель Э, Петренко

Редактор Н. Егорова Техред М.Гопника Корректор Ю. Макаренко

«Ф . Ф% % Р М « °

Заказ 4668/35 Тираж 618 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.,д, 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4