Элемент памяти для регистра сдвига

Элемент памяти для регистра сдвига

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е (11)841О5З

ИЗО6РЕТЕН ИЯ

Союз Советскмк

Соцналистическнн

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 13.09.79 (21) 2823062/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл.

G 11 С 19/28

Гесударственный камнтет

Опубликовано 23.06.81. Бюллетень №23

Дата опубликования описания 28.06.81

llo делам нзобретеннй н етнрытнй (53) УДК 681 327.66 (088.8) А. И. Березенко, А. Д. Вдовиченко, Е. В. Векшина, А. П. Голубев и Г. И. Фурсин (72) Авторы изобретения

Московский ордена Трудового Красного Знаменифизико-технический институт (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ДЛЯ РЕГИСТРА СДВИГА

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и предназначено для использования в сдвиговых ЗУ с последовательной выборкой информации, в разнообразных устройствах, как массового применения, так и специального назначения.

Известен сдвиговый регистр со статическим переносом информации, принципиальная электрическая схема которого содержит ряд транзисторных пар, включенных по схеме с общим эмиттером. Эмиттеры каждой пары транзисторов соединены через общий резистор с шинами тактовых сигналов (1).

Недостатком использования высокоомных резисторов является относительно большая площадь кристаллов БИС, кроме того, низкая помехоустойчивость и узкий температурный диапазон работы.

Известны также интегральные схемы с инжекционным питанием (ИЛ), в которых полностью устранены резисторы (2) и (3).

Наиболее близким к предлагаемому из .известных по технической сущности является сдвиговый регистр на биполярных дополняющих р-и-р и и-р-и -транзисторах.

Причем каждый разряд регистра сдвига выполнен на двух симметричных ячейках с двумя шинами питания, с шиной нулевого потенциала и с соединенным с коллектором транзистора выходом. Каждый элемент памяти содержит два соединенных базами р-и-ртранзистора, эмиттеры которых подключены к одной из двух шин питания. База и-р-итранзистора соединена с коллектором первого р-и-р транзистора и входом ячейки, эмиттер и-р-п транзистора соединен с шиной нулевого потенциала (4).

Недостатками известного элемента памяти регистра сдвига являются сложная электрическая схема, низкая помехоустойчивость и нагрузочная способность, узкий температурный диапазон работы, а также невысокое быстродействие.

Цель изобретения — повышение помеход устойчивости элемента памяти и расширение его области применения за счет увеличения частотного и температурного диапазонов.

Поставленная цель достигается тем, что в элемент памяти для регистра двига, содержащий два р-п-р транзистора, эмиттеры которых соединены с шиной питания, коллектор первого р-и-р-транзистора подключен ко входу элемента памяти и к базе и-р-и гранзистора, эмиттер которого соединен с шийой

841053 вого регистра, его температурный диапазон работы (от минус 60 до + 125 С).

В отличие от известного в предлагаемом элементе памяти для сдвигового регистра с могут использоваться шунтирующие диоды

Шоттки, что повышает его частотный диапазон до 20 — 100мГц.

Формула изобретения нулевого потенциала, введен диод Шоттки анод которого подключен к базе п-р-и- тран зистора, а катод — к базам р-и-р транзисто ров и к коллектору п-р-п транзистора, коллек тор второго р-и-р -транзистора соединен выходом элемента памяти.

На чертеже приведена электрическая схема предлагаемого элемента памяти для регистра сдвига.

Элемент памяти для регистра сдвига содержит р-и-р-транзисторы 1 и 2, и-р-п-транзистор 3, диод 4Шоттки, шины 5 и 6 питания, вход 7 и выход 8 элемента памяти и шину 9 нулевого потенциала.

Предложенный элемент памяти работает следующим образом.

При подаче положительного импульса на шину 5 и на выход 8 элемента диод 4 переходит в проводяц1ее состояние, транзистор 3 открыт, транзисторы 1 и 2 закрыты, но транзистор 1 зашунтирован диодом 4. Транзистор 2 закрыт и на выходе 7 элемента памяти присутствует уровень логической «1». 20

При наличии отрицательного импульса на входе 8 элемента памяти и на шине 5 диод 4 закрыт, транзисторы 1 и 2 открыты и на выходе 7 элемента памяти присутствует уровень логического «О».

Таким образом, повышение помехоустой25 чивости достигается вследствие введения в электрическую схему элемента памяти положительной обратной связи по току и четкой фиксации двух устойчивых состояний, соответствующих хранению и перемещению логического «О» и логической «1», обеспечивает значительное увеличение нагрузочной способности (в 10 — 100 раз), что резко расширяет возможности элемента памяти для сдвигоЭлемент памяги для регистра сдвига, содержащий два р-п-р-транзистора, Эмиттеры которых соединены с шиной питания, коллектор первого р-п-р-транзистора подключен ко входу элемента памяти и к базе п-р-птранзистора, эмиттер которого соединен с шиной нулевого потенциала, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости элемента памяти и расширения

его области применения за счет увеличения частотного и температурного диапазонов, в него введен диод Шоттки, анод которого подключен к базе п-р-п-транзистора, а катод — к базам р-п-р-транзисторов и к коллектору п-р-п-транзистора, коллектор второго р-п-р-транзистора соединен с выходом элемента памяти.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. «Электроника», 1972, № 4, т. 45, с. 48.

2. « "1икроэлектроника», 1977, № 2. т. 6, с. 108 — 126.

3. «Электронная техника». Сер. 3 (микроэлектроника), 1977, № 5, с. 67 — 76.

4. «Solid - State Electronics» 1973, № 9, т. 16, с. 1007 †10, рис. 4 (прототип).

ВНИИПИ Заказ 4780/81 Тираж 645 Подписное

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4