Установка для припайки кристаллов коснованиям полупроводниковых приборов

Установка для припайки кристаллов коснованиям полупроводниковых приборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ Св ЕТИЛЬСМВУ

Союз Сееетскнх

Сецналнстнческих

Республнк ю84 1826

1 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 0404.79 (21) 2745533/26-27 ®) М K/I с присоединением заявки HP (23) Приоритет.. В 23 К 3/00

Государственный комитет

СССР

I30 делам изобретений и открытий

Опубликовано 300681.Бюллетень Н9 24

Дата опубликования описания 30.06,81 (53) УДК 621.791.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

К.В. Лепетило, A.È. Иваш, Л.Р. КрошинСкий и Ю.И. Филиппов (71) Заявитель (54) УСТАНОВКА ДЛЯ ПРИПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ

К ОСНОВАНИЯМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к произ(водству полупроводниковых приборов .и интегральных микросхем и может найти широкое применение в технологических линиях при выполнении операции присоединения кристаллов к основаниям полупроводниковых приборов.

Известна установка, предназначенная для присоединения кристаллов конденсаторов к двухслойной меднополированной ленте, состоящая из станины, механизма подачи двухслойной ленты на позицию присоединения кристаллов, оптического устройства предметного стола, механизма присоединения кристаллов к двухслойной ленте. На данной установке присоеди нение кристаллов производится эа счет расплавления двух столбиков припоя, предварительно нанесенных на две боковые грани кристалла (.11.

Однако в этой установке процесс присоединения кристаллов возможен только при наличии предварительно нанесенных столбиков припоя.

Известна также установка для припайки кристаллов к основаниям полупроводниковых приборов, содержащая станину, на. которой смонтировано оптическое устройство, механизм подачи оснований на позицию присоединения кристаллов с нагревателем, предметный стол для кристаллов, механизм присоединения кристалла и устройство подачи флюса и проволочного припоя. При перемещений оснований полупроводниковых приборов по нагревателю механизма подачи оснований припой, предварительно нанесенный на основания (лужение основания), плавится. Механизм присоединения кристаллов захватывает кристаллы с предметного сто15 ла и укладывает их на основания, после чего припой застывает Г2 .

НедостатКом данной установки является то, что присоединение кристаллов на ней возможно только

20 к основаниям с предварительно нанесенным на них припоем (лужением).

Общим недостатком вышеуказанных установок является невысокое качество присоединения кристаллов и, как следствие, снижение выхода годных приборов. Это объясняется нали- чием окисной пленки на припое, предварительно нанесенном на основания полупроводниковых приборов, 30 которая увелияивается в процессе

841826 нагрева оснований. С целью разрушения окисной пленки обычно применяют вибрацию инструмента, но это не является достаточно эффективным средством. Кроме того, в случае вибрации инструмента увеличивается время присоединения кристаллов, а следовательно, снижается производительность процесса присоединения.

Цель изобретения — повышение качества присоединения кристаллов.

Укаэанная цель достигается тем, что устройство подачи проволочного припоя снабжено нагревателем предварительного нагрева проволочного припоя с центральным каналом для его прохода и расположено над механизмом подачи оснований, а устройство подачи флюса установлено по обе стороны нагревателя предварительного нагрева припоя с шагом, кратным шагу подачи оснований полупроводниковых приборов.

На фиг.1 изображена предлагаемая установка, общий вид; на фиг.2 устройство подачи проволочного припоя, узел Х на фиг.1.

Установка состоит из станины 1, на которой расположены механизм 2 подачи оснований полупроводниковых приборов с нагревателем 3, предметный стол 4, проектор 5 (оптическое устройство), механизм 6 присоедине. ния кристаллов, устройство 7 подачи проволочного припоя, по обе стороны которого установлены устройства 8 и 9 дозированной подачи флюса, соединенные с блоком порционной подачи воздуха, кассет с основаниями

10. Устройство 7 подачи проволочного припоя и устройства 8 и 9 подачи флюса расположены над нагревателем

3 механизма 2. подачи (фиг.1) с шагом, кратным шагу перемещения оснований полупроводниковых приборов перед позицией присоединения кристаллов. устройство подачи проволочного припоя состоит из привода 11 шаговых перемещений нагревателя 12 предварительного нагрева, который имеет отверстие 13 для прохода проволоки 14 припоя. Проволока припоя имеет воэможность перемещения на шаг с помощью привода 11 щаговых . перемещений, включающего в себя ролики 15 и 16, установленные с возможностью реверсивного вращения, при этом ролик 15 установлен на валу 17 двигателя шаговых перемещений а ролик 16 подпружинен к ролику 15 с помощью пружины 18.

Установка работает следующим образом.

Механизм 2 подачи (фиг.1) оснований перемещает кассету с основаниями 10 на шаг согласно реле времени. При выходе первого основания под устройство 8 подачи флюса заданный объем флюса в виде капли наносится на него. далее, перемещаясь по нагревателю 3 (фиг.2), основание разогревается до температуры выше температуры плавления проволочного припоя, при этом флюс, нанесенный на основание, препятствует образованию окисной пленки от действия вйсокой температуры нагревателя 3 на поверхности основания

При выходе основания под нагреватель 12 предварительного нагрева проволока 14 припоя касается основания 10. Так как температура основания выше температуры плавления проволоки 14 припоя, то на конце

I5 проволоки образуется капля припоя

1 которая смачивает основание 10 в месте нанесения на него флюса. Далее устройство 7 подачи (фиг.1) перемещает проволоку припоя в обратном направлении на шаг,меньше шага прямого

20 перемещения проволоки, в результате чего капля отрывается от проволоки припоя и остается на основании. При последующем перемещении основание (фиг.1) выходит под устройство 9 подачи флюса и следующая порция флюса наносится на основание. поверх припоя. Данная порция флюса препятствует образованию окисной пленки на припое и необходима для качественного присоединения кристалла к припою, которое производится на следующей позиции, на которой в расплавленный припой погружается кристалл с помощью механизма присоединения кристаллов . При последующем перемещении основания оно сходит с нагревателя 3 (фиг.1) и припой застывает, тем самым кристалл надежно крепится к основанию 10 полупроводникового прибора.

Использование предлагаемой конструкции позволяет повысить качество присоединения кристаллов к основаниям полупроводниковых приборов вследствие применения на ней флюса до и после нанесения на основание капли припоя. Флюс разрушает окисные пленки на основании и припое и тем самым способствует качественному

50 сцеплению припоя с основанием полупроводникового прибора и кристаллом. Преимущество предлагаемой кон-! струкции заключается еще и в том, что она позволяет присоединять

55 кристаллы к основаниям полупроводниковых приборов беэ предварительного нанесения на них припоя, а также использовать любые по свое1 му химическому составу флюсы и припои, а следовательно, присоединять

60 любые кристаллй к любым основаниям.

Внедрение предлагаемой конструкции позволяет повысить качество присоединения кристаллов, а следовательно, увеличить выход годных прибо65 ров.

841826

Формула изобретения

Установка для нрипайки кристаллов к основаниям полупроводниковых приборов, содержащая станину, на кото иой смонтированы оптическое устройство, механизм подачи оснований на позицию присоединения кристаллов с нагревателем, предметный стол для кристаллов, механизм присоединения кристаллов и устройство подачи флюса и проволочного припоя, о т л и— ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения качества присоединения кристаллов, устройство подачи проволочного припоя снабжено нагревателем предварительного нагрева прово лочного припоя с централЬным каналом для его прохода и расположено над механизмом подачи оснований, а устройство подачи флюса установлено по обе стороны нагревателя предварительного .нагрева припоя с шагом, кратным шагу подачи оснований полупроводниковых йриборов.

Источники информации, принятые Во внимание при экспертизе

1. Установка формы "Wells Electronics !пе/welteh die dux". Модель

LF c, - "Е!ectronics", 1977, 50, Р 23, р. 170.

2. Установка фирмы "Laurier Associates, ine". Модель LF25, - "EPP", 15 1973 13, 9 5, р. 90.

841826

Составитель И. Ключников

Редактор . К. Лембак Техред А. Ач, Корректор Е. Рашко

Закаэ 4945/11 Тираж 1148 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7(-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП "Патент", г.ужгорода, ул .Проектная, 4