Способ дефектометрии объектов в электри-ческом высокочастотном поле

Способ дефектометрии объектов в электри-ческом высокочастотном поле

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (Ä >845074 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 01.08.79 (2! ) 2819616/25-28 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет —— (51) М. Кл.з

G 01 Х 27/62

Гесударстееннмй иемитет

Опубликовано 07.07.81. Бюллетень №25

Дата опубликования описания 17.07.81 (53) УДК 610.179. 14 (088.8) ио делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

А. Г. Довгялло, С. В. Дежкунова. В. В. К

В. Я. Любый. E. Н. Перепелкин, Б. М.

Н. П. Шрамков и 3. Н. Бура (71) Заявители ф и Минский авиаремонтный завод гражданской авиации (54) СПОСОБ ДЕФЕКТОМЕТРИИ ОБЪЕКТОВ

В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ВЫСОКОЧАСТОТНОМ ПОЛЕ

Изобретение относится к способам неразрушающего контроля и может быть использовано для измерения параметров поверхности ы х дефект о в.

Известен способ дефектоскопии объектов в электрическом высокочастотном поле, заключающийся в том, что объект контроля включают в цепь высокочастотного разряда и регистрируют топографию электрического поля на фотографической пластине, и по полученному изображению судят о параметрах дефектов (1).

Указанный способ не обеспечивает необходимой точности контроля, т. е. не позволяет судить о глубине выявляемых дефектов.

Наиболее близок к изобретению по технической сущности способ дефектометрии объектов в электрическом высокочастотном поле, заключающийся в том, что объект контроля включают в цепь высокочастотного разряда и с помощью оптико-электронного индикатора регистрируют топографию электрического поля (2).

Однако и этот способ не обеспечивает необходимой точности контроля, так как не позволяет достоверно судить о глубине выявленны.х дефектов.

Цель изобретения — измерение глубины дефектов.

Поставленная цель достигается тем, что на объект контроля воздействуют постоянным магнитным полем, направленным по нормали к исследуемой поверхности, регулируют напряженность Н магнитного поля до получения четкого изображения переднего плана дефекта, измеряют установленную величину напряженности Н = Н, изменяют Н до получения четкого изображения заднего плана дефекта, измеряют величину Н = Н2 и по разности двух измеренных значений Н е — Н1 определяют глубину дефекта.

1 Сущность предлагаемого способа поясняется чертежом, где представлена схема контроля.

Схема контроля зключает электрод 1, выполненный в виде разрядной обкладки и подключаемый к генератору высокой часто В ты, оптико-электронный индикатор 2, последовательно соединенные соленоид 3, ось которого перпендикулярна поверхности экрана оптико-электронного индикатора, источ845074

Формула изобретения ник 4 постоянного тока, регулировочный резистор 5 и измеритель 6 тока.

Предлагаемый способ реализуется следующим образом. Объект 7 контроля включают в цепь высокочастотного разряда, размещая его на электроде 1, и наблюдают полученное изображение с помощью оптикоэлектронного индикатора 2. Ток через соленоид 3, создаваемый источником 4 постоянного тока, регулируют с помощью резистора

5 до получения четкого изображения переднего плана дефекта. С помощью измерителя 6 тока измеряют величину тока в обмотке соленоида, пропорциональную напряженности Н > магнитного поля. Резистором 5 изменяют величину токаичерез обмотку соленоида 3 до получения четкого йзображения заднего плана дефекта, йзмеряют величину установленного тока, пропорциональную На, х определяют разность На — Н 1 измеренных значений Н, и по ней с пят о глубине дефекта.

Предлагаемый способ позволяет измерить глубину поверхностных дефектов, что существенно повышает информативность контроля.

Способ дефектометрии ооъектоь в электтрическом высокочастотном поле, заключающийся в том, что объект контроля включают в цепь высокочастотного разряда и с помощью оптико-электронного индикатора регистрируют топографию электрического поля, отличающийся тем, что, с целью измерения глубины дефектов, на объект контроля воздействуют постоянным магнитным полем, направленным по нормали к исследуемой поверхности, регулируют, напряженность

Н магнитного поля до получения четкого изображения переднего плана дефекта, измеряют установленную величину напряженности Н = Н1, изменяют Н до получения четкого изображения заднего плана дефекта, измеряют величину Н = На и по разности двух измеренных значений H> — Н1 определяют глубину дефекта.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

I. Авторское свидетельство СССР № 158205, кл. G 01 N.27/62, 1962.

2. Авторское свидетельство СССР № 118135, кл. G 01 N 27/62, 1957 (протс-ип) .

Составитель П. Шкатов

Редактор Ж.Рожкова Техред А. Бойкас Корректор Ю.Макаренко

Заказ 4135/2 Тираж 907 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1i3035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4