Фоторезистор

Фоторезистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

<1 847406 (?? 3) ???????????????????????????? ?? ??????, ????????-????(22) ???????????????? 010279 (21) 2718737>

Опубликовано 1507.81. Бюллетень HP 26

Дата опубликования описания 1507.81 З1>М. Кл.

Н 01 L 31/08

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений н открытий (53) УДК 621. 317..8 (088.. 8) (72) Авторы изобретения

И.Н.Антонов, Л.A.Æóðàêîâñêèé и A.A.×àêàê (71) Заявитель (54) ФОТОРЕЗИСТОР

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для изготовления фстореэисторов, а также для изготовления приемного элемента в спектроскопии и оптоэлектронных системах автоматики.

Известны фоторезисторы, содержащие диэлектрическую подложку, на которой расположены проводящий и фоторезистивный слой и растровые электроды (13 °

Недостатками таких фоторезисторов являются большое световое сопротивление и низкая чувствительность.

Наиболее близок к предлагаемому фоторезнстор, содержащий диэлектрическую подложку, на которой последовательно размещены проводящий и фоторезистивный слой и растровые электроды t23. 20

Недостатком такого фоторезистора является низкая чувствительность.

Цель изобретения — повышение чувствительности.

Указанная цель достигается тем, что фоторезистор, содержащий диэлектрическую подложку, на которой последовательно размещены проводящий и фоторезистивные слои и растровые электроды, снабжен слоем полупроводниково-30 го материала, размещенным между фоторезистивным слоем и проводящим слоем, который электрически соединен с одним иэ растровых электродов, причем тип проводимости полупроводникового материала противоположен типу проводимости фоторезистивного слоя.

Допол нитель ный .слой полупроводникового материала создает вентильный р-и переход вобласти контакта слоя полупроводникового материала и фоторезистивного слоя, имеющий резко выраженную зависимость от освещенности светового потока.

На чертеже схематически изображен предлагаемый Фоторезистор .

Фоторезистор.содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены проводящий слой 2, слой 3 полупроводникового материала, фоторезистивный слой 4 и растровые электроды

5, один из которых электрически соединен .с проводящим слоем 2.

Фоторезистор работает следующим образом.

Световой поток, падая на поверхность фоторезистивного слоя, вызывает увеличение его электропроводности.

Часть светового потока проходит Через полупрозрачный фоторезистивный слой

847406

Формула . изобретения

Составитель K).Ãåðàñè÷êèí

Редактор С.Тимохина Техред А. Ач Корректор Н.Швыдкая

Заказ 5512/80 Тираж 784 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

4 и действует на вентильный р-и переход, образованный между фоторезистивным слоем 4 и слоем 3 полупроводникового материала.

Световое сопротивление фоторезистора в зависимости. от интенсивности светового потока снижается за счет совместного воздействия двух причин: в продольном . направлении цепь замыкается между растровыми электродами

5 вдоль фоторезистивного слоя 4, а в g поперечном направлении цепь замыкается между проводящим слоем 2 и одним из электродов 5, не имеющим электрического контакта с ним.

Наличие вентильного р-п перехода приводит к повышению чувствительности фотореэистора,а полупроводникового слоя между проводящим слоем 2 н фоторезистивным слоем 4 и электрического контакта между проводящим слоем и одним иэ электродов приводят к снижению 0 светового сопротивления фоторезистора.

Фотореэистор, содержащий диэлектрическую подложку,на которой последовательно размещены проводящий и фоторезистивный слои и растровые электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, он снабжен слоем полупроводникового материала, размещенным между фоторезистивным слоем и проводящим слоем, который электрически соединен с одним из растровых электродов, причем тип проводимости полупроводникового материала противоположен типу проводимости фоторезистивного слоя.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

М 365736, кл. H 01 С 7/00 1970.

2. Патент Англии 9 1079065,кл. кл, H 1 К, 1967 (прототип) .