Логический переключающийэлемент

Логический переключающийэлемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Соцналнстнческнх

Республик ()! )849489 (6 l ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено О1. 10. 79 (21) "..8243) 0/18-21 с присое)тинениеи заявки № (5I)M; Кл.

Н 03 К !9/08

Гееуднрстеенный комитет

СССР (28) Приоритет

Опубликовано 23.07.81,Бюллетень ¹27 ао делам изобретений и открытий (53) УДК 621. 375. . 083 (088. 8) Дата опубликования описания 25. 07. 81 (72) Авторы изобретения

В.Н. Гладков, А.Э. Нестеров и О.А

) т !

l (71) Заявитель (54) ЛОГИЧЕСКИЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к устройст-) вам импульсной, цифровой и вычислительной техники, в частности, к логическим переключающим элементам ЭВМ.

Известно устройство, содержащее многоэмиттерный транзистор, коллектор которого подключен к выходному инвертору (1).

Недостаток устройства — низкое быстродействие. то

Известно также устройство, содержащее многоэмиттерный транзистор, база и коллектор которого подключена к шине питания и к базе входного транзистора переключателя тока эмитФ 15 тер которого подключен к источнику тока и эмиттеру опорного транзистора, база которого подключена к источнику опорного напряжения, а коллекторы транзисторов переключателя тока через соответствующие резисторы подключены к шине питания (2).

Недостатком известного устройства является низкое быстродействие, обусловленное тем, что паразитные емкости коллектора многоэмиттерного транзистора перезаряжаются медленно, поскольку мал ток, протекающий через коллектор многоэмиттерного транзистора и базу входного транзистора переключателя тока.

Цель изобретения — увеличение быстродействия устройства.

Для достижения .поставленной цели в логический переклк)чающий элемент, содержащий многоэмиттерный транзистор, эмиттеры которого подключены к входам элемента, база и коллектор через резистор подключены к шине питания и к базе входного транзистора переключателя тока, эмиттер которого подключен к источнику тока и эмиттеру опорного транзистора, база которого подключена к источнику опорного напряжения, а коллекторы транзисторов переключателя, тока подключены через соответствующие резисторы к шине питания, введен дополниf

849489 4 меняется аналогично входному, ток ю- переключается в входной транзистор

Т„;, потенциал на базе дополнительного транзистора 7< поднимается и транзистор Т открывается. Открываясь, дополнительный транзистор Т шунтирует резистор R и ускоряет изменение потенциала от низкого к высокому.

Изменение потенциала от низкого ! о к высокому на базе входного транзистора Т открывает транзистор Т и ток источника тока 3 протекает через

О4 входной транзистор Т> и резистор

R и создает падение напряжения на резисторе R . .На выходе потенциал меняетея с высокого на низкий, а на выходе 2 — с низкого на высокий.

Применение предлагаемого логического перекпючающего элемента в схе20 мах ЭВИ позволяет сочетать высокое быстродействие ЭСЛ-схем с хорошей помехозащищенностью ТТЛ-схем. Наличие двух выходов — прямого и инверсного позволяет успешно использовать

25 его в качестве адресного формирователя дешифраторов запоминающих устройств.

Формула изобретения

3 тельный переключатель тока, база входного транзистора которого подкл чена к входу элемента, коллектор,— к шине питания, а эмиттер — к дополнительному источнику тока и эмиттеру опорного транзистора, база которого подключена к дополнительному источни ку опорного напряжения, а коллекторчерез резистор к шине питания и базе дополнительного транзистора, коллектор и эмиттер которого соответственно подключены к шине питания и базе многоколлекторного транзистора.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит многоэмиттерный транзистор Т, база и коллектор которого через резистор Й подклю1 чены к шине питания + V и к базе

E входного транзистора Т переключателя тока, эмиттер которого подключен к источнику тока 3 и эмиттеру опорного транзистора Т>, база которого подключена к источнику опорного напряжения +Ч, а коллекторы транзисторов T» T> переключателя тока подключены через соответствующие резисторы К, R> к шине питания +V

Е и выходам устройства и 2, база входного транзистора Т дополнитель- З0

4 ного переключателя тока падклю!ена к входу устройства, коллектор — к шине питания +V<, а эмиттер — к дополнительному источнику тока 3 о и эмиттеру опорного транзистора Т З5

5 база которого подключена к дополнительному источнику опорного напряжения +Ч, а коллектор — через резистор

R к шине питания + е и базе дополнительного транзистора Т, коллектор 40 ,и эмиттер которого соответственно подключены к шине питания +V и базе

Е многоколлекторного .транзистора Т

Выходные сигналы снимаются с выходов 1 и 2, с выхода — прямой, 4> с выхода 2 — инверсный сигнал.

Устройство работает следующим образом.

Пусть на входе логического элемента потенциал сигнала меняется от 50 низкого (логический "нуль") к высокому (логическая "единица") .

В общей точке базы и коллектора многоэмиттерного транзистора Т пот нциал меняется аналогично от низо

4 кого к высокому, при этом на базе входного транзистора Т дополнительД ного переключателя тока потенциал

Логический переключающий элемент, содержащий многоэмиттерный транзистор, эмиттеры которого подключены к входам элемента, база и коллектор через резистор подключены к шине питания и к базе входного. транзистора переключателя тока, эмиттер которого подключен к источнику тока и эмиттеру опорного транзистора, база которого подключена к источнику опорного нап яP жения, а коллекторы транзисторов переключателя тока подключены через соответствующие резисторы к шине питания, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия, в элемент введен дополнительный переключатель тока, база входного транзистора которого подключена к входу элемента, коллектор—

Ф к шине питания, а эмиттер — к дополнительному источнику тока и эмиттеру опорного транзистора, база которого подключена к дополнительному источнику опорного напряжения, а коллекторчерез резистор к шине питания и базе дополнительного транзистора, коллектор и эмиттер которого соответственно (5

849489 б

I. Авторское свидетельство СССР

Ф 456365, кл. H 03 К 19/08, 1972.

2. Заявка Японии II 49-39209, кл. G 06 F 7/00, 1974.,подключены к шине питания и базе многоколлекторного транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

Составитель А. Янов

Редактор М. Ликович Техред С. Мигунова Корректор М. Коста

Заказ 6117/77 Тираж 988 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4