Халькогенидное стекло
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советских
Социалистических
Республик
852808
ОП ИСАНИ Е
ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ф
"с (Ã>1) Дополнительное к авт. свил-ву— (22) Заявлено 27.11.79 (21) 2843633/29-33 (51) Ч,Кл. С 03 С 3/12
С 03 С 3/30 с присоелинеиием заявки—
Государственный комитет (23) Приоритет— (43) Опубликовано 07.08.81. Бюллетень ¹ 29 (45! Дата опубликования описания 15.09.81 по делам изобретений и открытий (53) У,7,К 666.112.9 (088.8) (72) Авторы изобретения
Н. Я. Захарова и В. Д. Гудым (71) Заявитель (54) ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО
As 18 — 48
Те 43 76
Ag 5 — 25 (11
Данное стекло имеет электропроводность 4 10 4 — 4 10 — Оя ся, время записи пизкоатомного состояния 10
10 с, температуру размягчения 112—
120 С, м икротверлость 124 — 150 кг/elf .
Наиболее близким к изобретению является халькогеиидное стекло, включающее вес.,о.
Ga 2 — 3
As 23 — 25
Те 71 — 73
Se 1 — 2
Добавление небольшого количества ceAs 5 — 35 лс:!;! и составы галий мышьяк — теллур, Те 60-- 80 солержащие стекла, усиливает стеклообраG3 "J — !о зуюшие свойства данных матер палов и увел ичивает удельное сопротивление, что веСтекло имеет электропроволность лет к умеш,шению потребляемой мощности, 4 10 — 2 10 О и — ся -, ширину заире- ЗО ослабленшо кристаллизационных свойств, Изооретение относится к электронной технике, в частности к халькогенилным полупроводниковым стеклам, способным перехолить из состояния с низкой в состояние с высокой проводимостью с помощью электрических импульсов. Эта спосооиость может быть использована в микроэлектронике и, в первую очередь, в запоминающих устройствах, Известно халькогенидное стекло, включающее, вес. "о: щенной зоны 0.69 — 0,73 эВ, температуру стеклования 92 — 135 С, скорость растворезгия в 70",о -ной азотной кислоте (2,6—
6,4) . 10 гсзт-- C
Указанные стекла имеют весьма существенный недостаток — низкое сопротивление высокоомного состояния, порядка
10 ол сл, что приводит к большим потерям потребляемой мощности.
Целью изобретения является снижение потребляемой мощности и увеличение числа циклов переключения.
Поставленная цель достигается тем, что халькогенилнос стекло, включающее Ga, l5 As, Те, дополнительно содержит Se .при следующем соотношении компонентов, вес. Оо.
852808
))un реб>.i>ie>iая мощи ость,,))П rrr
Число
IiiIIi)lO!
>е ре к и !оиения
)-)nrlpsnÄlние uepel I lU lell lt >l
Сосгав стек.ln, вес.
0 ° - .-.,0 ° запись „0 иие (5 10
0,0>0 2 10!
О,i -!5 1.Н 10 о 1 ) 1,5
2 23 73
3 25, 71 1
5 !
1! 17
010(! I ) 10 ь
9. 11
Формула !изобретения
Составитель В. Товмасян
Корректор И. Осиповская
Тскрсд И. Пенчко
Редактор П. Горькова
3!>каа 1091, 931 11зд. № 519 Ти)саик 530 Подписное
НПО «Поиск» Государственного комитета СССР ".о делам и !обремени!! и ol ls)> l ill!
1!3035, Москва,, >К-35, Раушская иаб., д 4)5
Ти 7. Ха!>ьк.:5>,д,:игсд «l lат!я!т» повышает надежность работы более чем на порядок.
Стекло синтезируют в предварительно вакуумированной (10 Па 1 кварцевой ампуле при вращении ее со скоростью 80-100 об/мин при температур- варки 1100= С, ! с)а As Te
2 5 24 72
Применение предлагаемого изобретс)иня .позволяет на порядок снизить потребляемую мощность по сравнению с известным стеклом и повысить процент вы!,:ода годны)с 10 приборов за счет роста надежности их работы, что дает годовой экономнческий эффект около 80 000 руб.
Халькогенидное стекло, включающее
Ga, As, Те, отличающееся тем, что, с целью снижения потребляемой мощности и увеличения числа циклов переключения, с послед юип)м о к)аж))с)!нем на возду с в точен))с 5 ч. Затем стекло iii!l!»Iляют (В4;lilс))!>1. )!ис) ))а ))О,i,)ожк с llикс,1свыми
) 1 р. !ë. р од )! м и .
В таодицс приведены составы предложсli I I I>l x (!с!.о. )! )). > свойства . оно дополнительно содержит Se при следующсiI соотношении компонентов, вес.
Gii 2 3
Аs 23 25
Тс 71 3
Si 1 — 2
110 I 0 )нк:! информ а)нви, принятые во вн)!манне при экспертизе:
1. Авторское свидетельство СССР, М 601238> кл С 03 С 3, 12, 1976.
2. Авторское свидетельство СССР, М 630232, кл. С 03 С 3, 12, 1977.