Логический элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОВЮтЕНИЯ ""8582ОВ

Союз Советских

Социапистических

Респуб пик

К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕПЬСТВУ (61) Дополнытельное к авт. сеид-ву— (22) Заявлено 111179 (21) 2839048/18-24 с присоединением заявки N4— (23) Приоритет—

Опубликовано 23,08,81. Бюллетень М9 31

Дата опубликования описания 230881 (51)M, Клз

Н 03 К 19/00

G 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.

° 66(088.8) i

С. В. Замковец, Е. В, Карасев и. В. Ф. & ельников 1 !

/

Институт электронных управляющих машин (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в вычислительных устройствах, в которых в качестве носителей информации применяются цилиндрические магнитные домены (ЦМД) .

Известен логический элемент, содержащий магнитоодноосную пленку, иа которой расположены ферромагнитные аппликации и токопроводящая шина $1), Недостатком этого элемента является ограниченная область применения.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является логический элемент, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из последовательно расположенных групп ферромагнитных аппликаций шевронной формы и основная токопроводящая шина (2).

Однако во многих случаях построения устройств обработки информации требуется устройство, осуществляющее кроме логических также и функции переключения ЦМЛ.

Цель изобретения — расширение области применения чогического элемента путем реаяизации неpe;êõïî÷àòåëüíûõ функций.

Поставленная цель достигается тем, что предлагаемый элемент содержит дополнительную токопроводящую шину, основная и дополнительчая токопроводящие шины выполнены Ц -образной форма и расположены параллельно друг другу, сдвинуты симметрично относительно среднего канала продвижения цилиндрических магнитных доменов на расстояние, равное промежутку между смежными каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, и магнитосвязаны с ферромагнитными аппликациями шевронной формы смежных групп в каждом канале продвижения цилиндрических магнитных доменов.

На фиг. 1 изображена принципиальная схема логического элементами на фиг. 2-5 — принцип действия лстгического элемента.

Логический элемент содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены ферромагнитные аппликации 2 шевронной формы, каналы 3, 4 и 5 про-. движения ЦМД, состоящие из последовательно расположенных групп 6-12 ферромагнитных аппликаций 2, основная и дополнительная токопроводящие шины

13 и 14.

858208

Формула изобретения

1. R. С. Minnick ei а1., WESCON

Pгос., 1972.

2. Патент США Р 3866191, кл. 340-174, опублик. 1977 (прототип1

Предлагаемый логический элемент может работать в шести различных режимах.

В первом режиме логический элемент осуществляет переключение ЦМД из канала 5 в канал 4. Для этого необходимо в токопроводящую шину 13 подать 5 импульс тока, форма которого изображена на фиг. 2а. Полярность и амплитуда импульса тока таковы, что между группами аппликаций 8 и 9 создается локальный градиент поля смещения. Поэ- 0 тому ЦМД, находящийся в этот момент времени под вершинами группы аппликаций 9, перейдет в область пониженного поля смещения, т. е. под вершины группы аппликаций 8 канала 4.

Во втором режиме переключения ЦМД из канала 4 переходит в канал 3 (фиг. 1) . Для этого необходимо в шину 13 подать импульс тока, изображенный на фиг. 2б. В этом случае область пониженного поля смещения будет находиться.под вершинами группы аппликаиий 7 в канале 3. Следует отметить, что переход ЦМД в канал 5 исключен по той причине, что притягивающий полюс вершины первой аппликации 2 группы 9 будет нейтрализован полем шины

13, а все остальные полюса в этой группе аппликаций при направлении вектора поля Н изображенного на

1! фиг. 1, будут отталкивающими. 30

В третьем режиме работы происходит переключение ЦМД из канала 3 в канал 9. Полярность импульса тока, подаваемого в шину 14, показана на фиг. 2в.

B ч еeтTвBеeр тTоoм M р ежиме работы ЦМД, на- 35 ходящийся под группой аппликациИ 11 канала 4 при векторе поля Н (фиг. 1), переходит. под вершины групий аппликаций 12 в канале 5. Полярность импульса тока, подаваемого В шину 14, 40 показана на фиг. 2г.

В пятом режиме импульсы тока разной полярности одновременно подаются в обе шины 13 и 14. При этом вектор поля управления направлен вертикально вниз (Ha фиг. 1 вектор H ). тампли- 45 туда и полярность импульсов тока выбираются такими, чтобы вся область внутри логического элемента, ограниченная шинами 13 и 14, создавала более высокое значение поля смещения 50 по сравнению с остальной частью магнитоодноосной пленки. При этом та часть области пленки между шинами 13 и 14, которая находится под группами аппликаций 8 и 11 в центральной час- у ти канала 4, будет обладать еще большим значением поля смещения.

Поэтому ЦМД будут стремиться выйти из этой области в зону с более низким значением поля смещения, т. е. в каналы 3 или 5. Если какой-либо из этих каналов будет занят, то ЦИД, находящийся в среднем канале 4, перейдет в свободный канал. Значения поля смещения в каналах 3 и 5 одинаковы. Таблица переходов для данного режима рабо ты логического элемента представлена на фиг. 3. Первые три столбца КЗ, К4, К5 отражают комбинации ЦМД на входе элемента, а последние три — K3, K4

К5 — выходные комбинации.

В шестом режиме работы логического элемента в обе шины подаются импульсы тока, полярность которых показана на фиг. 2б, г. Амплитуда выбирается таким образом, чтобы в среднем канале логического элемента, т. е. между группами 8 и 11, при прохождении импульса тока создавалась область пониженного поля смещения по отношению к каналам

3 и 5. В этом случае одиночные ЦМД, проходящие по каналу 3 или 5, будут переходить в канал 4. Таблица переходов показана на фиг. 4.

Таким образом, предлагаемый логический элемент путем подачи импульсов тока различной полярности в каждую шину в отдельности осуществляет переключение ЦМД в любой канал логического элемента, а при подаче импульсов тока одновременно в обе шины выполняет логические функции, показанные на фиг. 5. Это позволяет упростить технологию, улучшить надежность и уменьшить время обработки информации в устройствах на ЦМД, использующих предлагаемый логический элемент.

Логический элемент, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены каналы прсщвижения цилиндрических магнитных доменов из последовательно расположенных групп ферромагнитных аппликаций шевронной формы и основная токопроводящая шина,отличающийся тем, что, с целью расширения области применения путем реализации переключательных функций, он содержит дополнительную токопроводящую шину, основная и дополнительная токопроводящие шины выполнены 1 Г -образной формы и расположены параллельно друг другу, сдвинуты симметрично относительно среднего канала продвижения цилиндрических магнитных доменов на расстояние, равное. промежутку между смежными каналами продвижения цилиндрических магнитных доменов, и магнитосвязаны с ферромагнитными аппликациями шевронной формы смежных групп в каждом канале продвижения цилиндрических магнитных доменов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

858208

ТаЬица f

ТИлиии 8

Фиг.3

Заказ. 7 265/90 Тираж 988 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель О. Розенталь

Редактор H. Егорова Техред A. Бабинец корректор H. Швыдкая