Интегральный инжекционный логический элемент

Интегральный инжекционный логический элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Соцмапистических

Республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ пи860315

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлено 0705.74 (21) 2025182/18-21 с присоединением заявки ¹ 2872121/21 (23) Приоритет

Опубликовано 300881 Бюллетень М 32

Дата опубликования описания 30,0881 (51)М. Кл з

Н 03 К 19/091

Государствеииый комитет

СССР ио делам изобретеиий и открытий (53) УДК 621. 374..33(088.8) (72) Авторы изобретения

Г. Г. Казеннов, В.Я. Кремлев и Г.И.Стор! (—:;Я (71) Заявитель (54 ) ИНТЕГРАЛЬНЬ1Й ИНЖЕКЦИСННЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ

ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к логическим и запоминающим устройствам и может найти широкое применение в различных устройствах автоматики и вы5 числительной техники.

Известен интегральный инжекционный логический элемент, выполняющий функцию НЕ, содержащий выходной транзистор, база которого подключена к вход- 10 ной шине и через инжектирующий транзистор к шине питания )1J.

Недостаток известного элементаограниченные функциональные воэможности.

Цель изобретения — расширение функ-1 5 циональных возможностей.

Поставленная цель достигается тем, что в интегральной ннжекционный логический элемент, содержащий выходной и-р-и транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, база с входной шиной, а коллектор с выходной шиной, и инжектирующий р-и-р транзистор, эмиттер которого подключен к шине питания, а база к общей шине, введены дополнительные последовательно соединенные p-n-p транзисторы,ба зы которых соединены с общей шиной, причем эмиттер первого дополнительного р-п-р транзистора соединен с . 30 коллектором инжектирующего р-п-р транзистора, коллектор последнего с базой выходного и-р-и транзистора, эмиттеры дополнительных р-п-р транзисторов подключены к дополнительным входным шинам.

На фиг. 1 приведена электрическая схема интегрального инжекционного логического элемента, на фиг. 2 — вариант его выполнения.

Логический элемент содержит выходной и-р-и транзистор 1, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - с выходной шиной 2, база подключена к коллектору инжектирующего транзистора 3 через последовательно соединенные между собой и с транзистором 3 дополнительные транзисторы

4 и 5. Базы транзисторов 3-5 соединены с общей шиной, эмиттер транзистора 3 подключен к шине б питания, база транзистора 1 — к входной шине

7, эмиттеры транзисторов 4 и 5 — к дополнительным входным шинам 8 и 9 соответственно.

Логический элемент работает следующим образом.

Если на одном из входов имеет мес то низкий потенциал, близкий к нулю, .то выходной транзистор 1 закрыт. Вы860315

Формула изобретения

Ф» f

Составитель Л. Дарьина

Редактор И. Ковальчук Техред М. Голинка Корректор Ю. Макаренко

Заказ 7573/86 Тираж 988 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ходной транзи"тор 1 насыщен только в том случае, когда на входных шинах

7 — 9 имеет место высокий потенциал.

Таким образом, логический элемент выполняет логическую функцию И-НЕ для логических переменных "0" — низкий потенциал, "1" — высокий потен. циал, и логическую функцию ИЛИ-НЕ ,пля логических переменных "0" — высокий потенциал, "1" — низкий потенциал, На фиг. 2 приведен логический элемент, в котором транзистор 3 выполнен многоколлекторным, между каждым из его коллекторов и базой выходного транзистора 1 включены цепи из последовательно соединенных допол- 15 нительных транзисторов.

Интегральный инжекционный логичес- щ кий элемент, содержащий выходной п-р-птранзистор,,эмиттер которого соединен с общей шиной, база с входной шиной, а коллектор с выходной шиной, и инжектирующий р-и-р транзистор, эмиттер которого подключен к шине питания, а база к общей шине, отличающий с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него введены дополнительные последовательно соединенные р-n-p транзисторы, базы которых соединены с общей шиной, причем эмиттер первого дополнительного р-и-р транзистора соединен с коллектором инжектирующего р-n-p транзистора, коллектор последнего — с базой выходного и-р-и транзистора, эмиттеры дополнительных p-n-р транзисторов подключены к дополнительным входным шинам.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. "Электроника", т. 47, 1974, М 4, с. 41, 21.02.74.