Логический элемент и-или

Логический элемент и-или

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Сокзэ Советских

Социалистических республик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ (!и 86457.2

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 051179 (21) 2838914/18 21 с присоединением заявки М (23) Приоритет (51)М. Кл З

Н 03 К 19/168

Государственный комитет

СССР по дедам изобретений н открытий

Опубликовано 15 р 981 бюллетень М 34 (5З) УДК 621. 374 (088. 8 ) Дата опубликования описания 150981 (72) Авторы изобретения

В. В. Абрамов, Ю. И. Игнатенко. и Ю.Д. Розе таль

Институт электронных управляющих машйГГ" ----(71) Заявитель (54 ) ЛОГИЧЕСКИИ ЭЛЕМЕНТ И-ИЛИ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построенич устройств переработки дискретной информации на ци- 5 линдрических магнитных доменах (ЦМД).

Известно устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены входные и выходные каналы продвижения

ЦМД, выполненные из Т- и 1."-образных аппликаций (1 ).

Недостатком этого устройства является малая область устойчивой работы.

Наиболее близким техническим реше- 15 нием к изобретению является устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены входные и выходные канаоы продвижения ЦМД из С-образных фер- 20 ромагнитных аппликаций.Работа известного устройства осуществляется в результате взаимодействия домена, поступившего на вход устройства» и токопроводящей аппликации с током, расположенной в месте соединения входных и выходных каналов продвижения ЦМД (2), Недостатком известного устройства является его сложность, поскольку оно содержит токопроводящую аппликацию. З0 цель изобретения — упрощение логического элемента И-ИЛИ.

Поставленная цель достигается тем, что логический элемент И-ИЛИ, содержащий магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены входные и выходные каналы продвижения магнитных доменов из С-образных ферромагнитных аппликаций, содержит в каждом из входных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов Г-образные ферромагнитные аппликации, находящиеся в месте соединения входных и выходных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов и магнитосвязанные с первыми С-образными ферромагнитными аппликациями выходных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов, причем вертикальные перемычки Г-образных аппликаций располОжены относительно друг друга под пряным углом.

На чертеже изображена принципиальная схема устройства.

Схема содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой размещены ферромагнитные аппликации 3 С-образной формы, образующие вертикальный 4 и горизонтальный 5

864572 входные каналы продвижения ЦМД, соединяющиеся с вертикальным 6 и горизонтальным 7 выходными каналами продвижения ЦМД. Входные каналы продвижения ЦМД содержит Г-образные ферромагнитные аппликации 8 и 9, находящиеся в месте соединения входных и вы- ходных каналов продвижения ЦМД.

В основе работы предложенного устРойства лежит известный принцип управления перемещением ЦМД с помощью ферромагнитных аппликаций и вращающегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляющего магнитного поля.

Управляющее поле наводит в аппликациях магнитные полюса(позиции А, Б, В, Г), взаимодействие которых с 15

ЦМД обеспечивает движение последних.

Устройство работает следующим образом.

ЦМД 2, поступающие на вход вертим, кального входного канала 4, в соот- QP ветствии с направлением вращения вектора управляющего поля через позиции

Б, В, Г поступают в позицию AI -образованой аппликации 8 и далее через позиции В,Б/В,Г,А горизонтального выходного канала 7 проходят на его выход. ЦМД 2, поступающие на вход горизонтального канала 5, в соответствии с направлением вращения вектора управляющего поля через позиции А, Б, В поступают в позицию ГГ-образной аппликации 9, вертикальная перемычка которой расположена под прямым углом к вертикальной перемычке Г-образной аппликации 8 вертикального входного канала 4. 35

Если в момент поступления ЦМД 2 в позицию ГГ-образной аппликации 9 канала 5 в позицию ГГ-образной аппликации 8 канала 4 не поступает ЦМД 2 при разновременной подаче ЦМД 2 на 4р входы каналов 4 и 5,то ЦМД вертикального выходного канала б беспрепятственно проходит в позицию А горизонтального выходного канала 7 и далее по позициям А, Б, В горизонталь- 45 ного выходного канала 7 поступает на его выход.

Если же в момент поступления ЦМД

2 в позицию ГГ-образной аппликации 9 горизонтального входного канала 5 в 50 позицию ГГ-образной аппликации 8 вертикального входного .канала 4 также поступает ЦМД 2 (при одновременной подаче ЦМД 2 на входы элемента), то в результате магнитостатического отталкивания ЦМД 2 горизонтального входного канала 5 попадает в позицию Б вертикального выходного канала б и

„цалее по позициям В, Г, A поступает на его выход.При этом ЦМД 2 вертикального входного канала 4 из позиции Г- еО проходит в позицию AI"-образной аппликации 8 и далее по позициям А, Б, В и

Г, A горизонтального выходного канала 7 поступает на его выход. Таким образом, на выходе вертикального 65 выходного канала б реализуется логическая функция И, а на выходе горизонтального выходного канала 7 реализуется функция ИЛИ.

Из этого следует, что ЦМД 2 в рассматриваемой схеме имеет критическую позицию, определяющую правильную работу устройства, позицию Г горизонтального 5 входного канала. При правильной работе устройства при одновременном нахождении доменов в пози.циях Г обоих входных каналов 4 и 5 в результате магнитостатического отталкивания доменов, ЦМД 2 горизонтального входного канала 5 переходит в вертикальный выходной канал б. Поскольку сила взаимодействия ЦМД 2 обратно пропорциональна четвертой степени расстояния между ними, то расстояние между позициями взаимодействия ЦМД

2 следует выбирать возможно меньше.

С этой целью описанный логический элемент И-ИЛИ содержит в каждом из входных каналов 4 и 5 продвижения

ЦМД-2 Г-образные ферромагнитные аппликации 8 и 9, находящиеся в месте соединения входных и выходных каналов продвижения ЦМД 2 и магнитосвязанные с первыми С-образными ферромагнитными аппликациями 3, выходных каналов продвижения ЦМД 2, причем вертикальные перемычки Г-образных аппликаций 8 и 9 расположены относительно друг друга по под прямым углом. Использование указанных Г образных аппликаций позволяет минимизировать расстояние взаимодействия доменов и,следовательно,увеличить силу их взаимодействия.

Таким образом, в данном устройстве устраняется необходимость использования токопроводящей аппликации, что упрощает устройство.

Упрощение устройства, приводящее к однослойной схеме управления, сокращает число необходимых технологических этапов при его изготовлении. Отпадает необходимость в следующих технологических этапах, сопутствующих изготовлению известной двухслойной схемы управления1 изготовление фотошаблона рисунка токопроводящей аппликации, напыление проводникового слоя, совмещение рисунка токопроводящей аппликации с рисун-: ком ферромагнитной схемы продвижения, и травление проводникового слоя.

Устранение необходимости исполь зования токопроводящей аппликации приводит также к сокращению объема сопутствующего электронного оборудования.

Формула изобретения

Логический элемент И-ИЛИ, содержащий магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на поверхности которой расположены входные и выходные каналы продвижения маг864572

Составитель Н.Дубровская

Техред A. Бабинец Корректор Ю.Макаренко

Редактор М.Недолуженко

Заказ 7832/86 Тираж 881

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная,4 нитных доменов из С-образных ферромагнитных аппликаций, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения логического элемента И-ИЛИ, он содержит в каждом из входных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов

Г-образные ферромагнитные аппликации, раходящиеся в месте соединения входных и выходных каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов и

1 магнитосвязанные с первыми С-образ ными ферромагнитными аппликациями выходных каналов продвижения цилиндрических магнитных. доменов, причем вер-, тикальные перемычки Г-образных аппли каций расположены относительно друг друга под прямым углом.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

Х. iEEETransactlons on Magnetics, v. ИА6 "7 1971, 9 8, р.338.

2.IEEE Transactions, on Иадпей!св, v. ИА6 -12, 1976, М б, р.614.