Способ получения скрытого электростатического изображения

Способ получения скрытого электростатического изображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Севетскнк

Соцнаектическнк

Республик

К АВТОРСКОМУ С ТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт; саид-ву— (22) Заявлено 18.01.79 (2т) 2716908/28-12 (53)hh

G 03 G 13/00 с присоединением заявки Ио— (23) Госудврствеииый комитет

СССР ио делам иэобретеиий и открытий

Приоритет .Опубликовано 230981. бюллатень l49 35

> (S3) УДК 772. 93 (088.8) Дата опубликования описания 2 30981

Б.А.Тазенков, И.Б.Шнейдман, В.В.Браницкий, A.A.Èêðòè÷àí, Я.Ф.Калантаевский, В..М.Котов, Е.Е.Ледванов и P.X.Ñàìÿòêèí

1 ., 1

Специальное конструкторское бюро элект офОтоГрафических аппаратов ГПО "Оргтехника" I (72} Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СКРЫТОГО

ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО ИЗОБРИКЕНИЯ

Изобретение относится к электрографии и может быть использовано в электрофотографических копировальномножительных аппаратах, в которых применяют промежуточные носители изображения-фоторецепторы, содержащие проводящую, подложку, фотопроводниковый слой и диэлектрический слой.

Известен способ формирования скрытого изображения на селеновом фоторецепторе с диэлектрическим сло, ем, включающий зарядку фоторецеатора в отрицательной короне на свету, перезарядку s положительной короне и последующее экспонирование (1$ .

В связи с созданием рельефа изображения, образованного положительным зарядом, этот способ в принципе . дает возможность получения биполярного скрытого изображения, который, в отличие от монополярного, имеет более низкий уровень фона и более высокое разрешение.

Однако при цикличной работе аппарата трудно реализовать биполярное изображение из-за накопления положительного заряда на границе между селеновым и диэлектрическим слоями.

Кроме. того, при циклической работе уменьшаются чувствительность слоя к

2 активному излучению и время тамновой разрядки вследствие накопления положительного заряда на границе межд селеновым слоем и подложкой, что вызывает усталость фоторецептора.

Накопление значительного положительного заряда у подложки приводит к образованию локального сильного электрического поля в селеновом слое то у подложки, вследствие чего резко возрастает генерация свободных носителей заряда у подложки и возрастает скорость темнового спада положительного заряженного селенового

)5 слоя. Другим следствием накопления положительного заряда у подложки asляется уменьшение фактической разности потенциалов на остальной части селенового слоя, заряженного до того

20 значения, положительного потенциала.

Последнее является причиной резкого уменьшения чувствительности селено- . вого слоя к сильнопоглощаемым актив ным лучам.

2S Цель изобретения - повышение качества изображения.

Поставленная цель достигается тем, что перед зарядкой отрицательным коронным разрядом производят зарядку

30 носителя положительным коронным раз866531 рядом с .одновременной засветкой его слабопоглощаемым актиничным излучением с длиной волны не менее 600 мкм.

Фоторецептор заряжают в коронном разряде до заданного значения положительного потенциала и одновременно облучают слабопоглощаемым актиничным светом. После этого, фоторецептор перезаряжают в коронном:разряде до заданного значения отрицательного . потенциала и одновременно облучают сильнопоглощаемым актиничным светом, потом фоторецептор вновь перезаряжают в темноте до заданного значения . положительного потенциала, а затем экспонируют сильнопоглощаемым актиничным светом. Зарядка, совмещенная во времени с облучением положительного заряжаемого фоторецептора слабопоглощаемым актиничным светом, приводит к рассеиванию положительного объемного заряда у подложки и к снятию усталости селенового слоя. Необходимость использования именно слабопоглощаемого актиничного света продиктована тем, что только слабопоглощаемый свет способен проникнуть через селеновый слой к подложке. С другой стороны, этот свет сильно поглощается в сравнительно тонкой части селенового слоя у подложки, как раз в зоне образования положительного объемного заряда. Поглощение света упомянутой тонкой частью селенового слоя у подложки происходит вследствие значительной степени полимериэации селена в этой области.

На фиг.1 показана схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при зарядке с одновремен.ным освещением слабопоглощаемым светом (1 стадия);на фиг.2 — схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при перезарядке с одновременным освещением сильнопоглошаемым светом (2 3 схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при зарядке в темноте (3 стадия); на фиг.4 схема распределения зарядов и потенциалов в фоторецепторе при экспони- . ровании в сильнопоглощаемом свете (4 стадия).

Электро@отографический носитель (фиг,1) состоит из алюминиевой подложки 1 с последовательно нанесенными на нее селеновыгл слоем 2 и диэлектрической пленкой 3. Селеновый стеклообразный слой 2 на границе с подложкой содержит высокополимерную прослойку 4.

Распределение потенциалов селенового 2 и диэлектрического 3 слоев фоторецептора после первой стадии зарядки до потенциала 2500В при одновременном облучении слабопоглощаемым (кранным) актиничным светом с длиной волны 660-800 нм показано на первой стадии. Время первой стадии около 0,7 с. Красный свет не поглощается в аморфном слое и прак. тически полностью поглощается лишь в прослойке 4. Поглощение красного света в прослойке 4 сопровождается генерацией положительных и отрицательных свободных носителей заряда, что обеспечивает зарядку диэлектрического слоя за короткое время и рассасывание положительного объемного заряда на границе аморфного селена с высокополимерным селеном.

На второй стадии показано распределение зарядов и потенциалов после второй стадии отрицательной зарядки до-2500В при одновременном облучении l5 сильнопоглощаемым актиничным светом с длиной волны 380-500 нм. На этой стадии не происходит накопление положительного ббъемного заряда вблизи прослойки 4. щ В верхней части селенового слоя при облучении сильнопоглощаемым светом у границы селена с диэлектрическим слоем происходит генерация носителей и под действием электрического поля электроны инжектируются через слой к подложке и на границе скапливаются положительные заряды, нейтралнзующие отрицательный заряд диэлектрического слоя.

На третьей стадии (фиг.3) осуществляется перезарядка фоторецептора в темноте до потенциала +500B. При этом слой за счет положительных зарядов на границе диэлектрик-селен приобретает потенциал относительно подложки равный +2500В. Положительные заряды на границе уравновешиваются частично за счет отрицательных зарядов на диэлектрике. Так как темновой спад потенциалов в селеновом

4g слое мал, то вблизи полимерной "прослойки еще нет объемного заряда.

На четвертой стадии экспонированные участки соответствуют .энергии освещения порядка 10 Дж/см, а темные

4 участки освещались в 5-6 раз слабее.

В результате формируется монополярный потенциальный рельеф 800В на. селеновом слое и результирующий биполярный рельеф от -300 до 300 В на внешней поверхности диэлектрика.

Использование предлагаемого способа получения скрытого иэображения на фоторецепторе с диэлектрическим слоем обеспечивает, по сравнению с известным способом, стабильное биполярное скрытое электростатическое изображение с малым уровнем фона и высоким разрешением нри длительной работе аппарата.

Формула изобретения

Способ получения скрытого электростатического изображения на селеновом носителе с диэлектрическим по866531 фюзи

ФигЗ

- ЧЯ +IN щз, ® два мю

Фж.4 Ива

Составитель В.Аксенов

Редактор Г.Волкова Техред И,Астолош Корректор Л.Бокшан

Заказ 8075/70 Тираж 509 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП,"Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 крытием, включающий зарядку носителя отрицательным коронным разрядом .с одновременной засветкой его поверх ности актиничным излучением, переза- ,рядку носителя в темноте положительным коронным разрядом и экспонирование, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения, перед зарядкой отрицательным коронным разрядом производят зарядку носителя положительным коронным разрядом с одновременной засветкой его слабопоглощаемам актиничным излучением с длиной волны не менее

600 мкм.

Источники информации; принятые,во внимание при экспертизв

1. Nahaeure .К. 1ЕЕЕ Trans on

Electr. 0ev. V; E0-19, Р 4, 1972, с.405.