Способ подгонки пленочных резисторов

Способ подгонки пленочных резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических ттесиублнк

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 040679 (21) 2774626/18-21 с присоединением заявки М(23) Приоритет

<щ871 232

<я)м. к .

Н 01 С 17/00

Государственный комнтет

СССР но делам нзобретений и открытнй

Опубликовано 07.1(181. Бюллетень й9 37 б

Дата опубликования описания 07,1031 (53) УДН 621.316.8 (088.8) !

П П.Мягконосов, Б.Д.Платонов и П.Г.ВасййЕихр ! (72) Авторы изобретения! с (7t) Заявитель (54) СПОСОБ ПОДГОНКИ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть изпользовано при изготовлении резисторных матриц и гибридных интегральных микросборок.

Известен способ плавной подгонки корректировки до номинального значения электрического сопротивления пле" ночных резисторов, сформированных на подложке, путем изменения удельного поверхностного сопротивления (Яо ) резисторной пленки, основанный на изменении величины р при изменении внутренней структуры пленки в результате механического воздействия на ее поверхность (1). l5

Недостатки этого способа : возмож, ность подгонки только в случае отсутствия защитного покрытия резисторйой пленки; неосуществимость групповой подгонки; возможность подгонки 20 только в сторону уменьшения значе.ния Я0,. низкая производительность процесса подгонки.

Наиболее близок к предлагаемому способ лазерной подгонки резисторных схем(2 способ,заключающиймя в том, что луч лазера, направленный на резистор, осуществляет локальный разогрев резисторной пленки до высоких .температур, обеспечивающих условия 30 термообработки, Участки пленки, подвергнутые термообработке под действием луча лазера, изменяют свою структуру и обуславливают снижение величины 9>

При величении мощности излучения лазера температура облучаемого участка может превысить температуру испарения материала пленки. Это приводит к удалению части площади резистора, что соответствует увеличению числа квадратов (М ) пленки. Удаление части резистора используется при необходимости повысить значение его электрического сопротивления.

Недостатки этого способа воздействие излучения лазера на материал резисторной пленки приводит к разрушению защитного покрытия и загрязнению поверхности схемы частицами удаляемого материала, что снижает надежность ГИМ; невозможность групповой подгонки резисторовт необходимость использования специализированного дорогостоящего оборудования.

Цель данного изобретения — повы- . шение надежности подгонки и расширение функциональных возможностей.

871232

ЗО

Формула изобретения

Поставленная цель достигается тем, что при подгонке пленочных резисторов, размещенных на подложке способом, включающим изменение удельного поверхностного сопротивления резисторов, удельное поверхностное сопро тивление резисторов изменяют путем необратимой контролируемой усадки подложки.

При этом контролируемую усадку подложки иэ светочувствительного стекла осуществляют путем воздействия ультрофиолетового излучения при

220-400 С.

На фиг. 1 представлена схема, реализующая предлагаемый способ; на фиг.

2 представлен резистор, изготовленный предлагаемым споСобом.

Подгонку пленочных резисторов выполняют следующим образом.

Подложку 1 из светочувствительного стекла нагревают до 220-400 С.

С помощью шаблона 2 обеспечивают экспонирование участка 3 подложки, находящегося под резистором 4, требующим подгонки. В результате кристаллизации и усадки участка 3 область резистора, контактирующая с ним, деформи- рУется (фиг.2). Деформация материалов резистора приводит к изменению структуры и толщины peBHCTQpHOA пленки в области, ограниченной площадью ,окна шаблона, а следовательно, к изменению электрического сопротивления резистора 4, находящегося под защитным слоем 5 и имеющего контактные площадки б. Увеличение усадки участка

3 за счет изменения режимов экспонирования приводит к увеличению деформации и даже разрушению материала резистора, особенно вдоль периметра пятна засветки. Разрыв пленки по периметру экспонированного участка приводит к увеличению числа Ч и соответственно к возрастанию электрического сопротивления резистора. Когда площадь засветки превышает площадь пленочного резистора, при усадке подложки наблюдается уплотнение пленки и уменьшение величины g>

Таким образом, предлагаемый способ позволяет производить подгонку резистора в сторону увеличения и в сторону уменьшения величины

При одновременном экспонировании нескольких резистОров, расположенных на подложке, возможна групповая подгонка. Поскольку изменение сопротивления связано с усадкой подложки, облучаемой с той стороны, которая свободна от резисторов (cM ° Фиг-1) окончательная подгонка резистора может быть произведена после его покрытия защитным слоем. Защитный слой при этом сохраняется.

Ниже приведен пример подгонки резистора предлагаемым способом.

После изготовления пленочных резисторов на подложке из светочувствительного стекла и контроля значений их электрического сопротивления определяют резисторы, подлежащие подгонке в сторону увеличения и умень-, шения электрического сопротивлениями

Подгонка может производится на серийной установке совмещения и экспонирования, оснащенной дополнительно подогревным столиком, обеспечивающим нагрев подложки до 350 С. Контроль электрического сопротивления в процессе подгонки осуществляется измерительным прибором типа KC-2. Для . удобства совмещения окон шаблона с участками подложки, на которых расположены подлежащие подгонке резисторы, используют транспарантный фотошаблон.

Подложку„ нагретую до 330+25 С, экспонируют через окна фотошаблона c . источника Уф-излучения ДРШ-500. Излучение воздействовало на сторону подложки, свободную от резисторов. Степень усадки экспонируемых участков подложки тем значительнее, чем интенсивнее излучение и больше время его воздействия, При этом наблюдается плавное изменение электрического сопротивления резистора, расположенного над экспонируемым участком подложки, в пределах 15% первоначального значения. При усадке зкспонированных участков подложки, приводящей к разрушению резисторной пленки, диапазон подгонки значительно расширяется.

Процесс подгонки (в данном случаеэкспонирования) прерывается при достижении расчетного значения электрического сопротивления путем перекрытия потока Уф-излучения электромеханической заслонкой, на которую подается управляющий импульс с измерительного прибора.

Предлагаемый способ позволяет выполнять индивидуальную и групповую подгонку резисторов (т.е. расширять функциональные воэможности), защиценных от воздействия внешней среды.

Сохранение защитного покрытия при подгонке обеспечивает повышение надежности резисторов и стабильность их температурного коэффициента сопротивления. Процесс подгонки является экономически эффективным. Подгонка проводится беэ больших дополнительных затрат на типовых установках, выпускаемых серийно.

1. Способ подгонки .пленочных резисторов, включающий изменение величины удельного поверхностного сопротивления резисторов, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности и расширения функциональных воэможностей, изменение величины удельного поверхностного сопротивления резисторов осуществляют

871232.Составитель О.Чернышов

Редактор Т.Федотов ТехредЛ,Пекарь Корректор то Ю.Макаренко

Заказ 8447/25 Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1.13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г..ужгород, ул.Проектная, 4 путем необратимой контролируемой усадки подложки.

2. Способ по п. 1, о т л и ч а ю— шийся тем, что необратимую контролируемую усадку подложки из светочувствительного стекла осуществляют путем воздействия ультрафиолетового излучения при 220-400 С.

Источники информации, принятые во внимание при. экспертизе

1. Пиганов М.Н., Чернобровкин Д.И. и Паутов А.М. Подгонка тонкопленочных резисторов путем уплотнения реэистивного слоя, вып. 2, 1976, с. 34-37.

2. Москаленко В.Ф., Савичева Э.А.

Применение газовых оптических квантовых генераторов в микроэлектронике.

Обэоры по электронной технике, сер Микроэлектроника, вып. Ц1Ц1972 (прототип) .