Способ записи скрытого электростатического изображения на заряженном селеновом электрофотографическом носителе

Способ записи скрытого электростатического изображения на заряженном селеновом электрофотографическом носителе

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республнк

Гасударстеениый квинтет (23) Приоритет во делан изобретений и открытий

Опубликовано 23.10.81.Бюллетень № 3 9 (53 ) УД К 772.93 . (088.8) Дата опубликования описания 25.10.81

В. М. Котов, И. Б. Шнейдман и A. (72) Авторы изобретения (7l ) Заявитель Специальное конструкторское бюро электрофот (54) СПОСОБ ЗАПИСИ СКРЫТОГО ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО

ИЗОБРАЖЕНИЯ HA ЗАРЯЖЕННОМ СЕЛЕНОВОМ

ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ

Изобретение относится к электрофотографии, в час тиос ти к способам эксп окйрования в электрофотографических аппаратах.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ записи скрытого электростатического изображения на заряженном селеновом электрофотографическом носителе, содержащий поверхностный аморфный слой и внутренний кристаллический подслой, вклют0 чающий проецирование на носитель оптического изображения с максимумом спектрального распределения, расположенным в области 400-550 нм. И.

Недостаток известного способа заклюIS чается в том, что использование указанного диапазона длин волн для создании изображения на селеновом носителе не полностью реализует возможности селе20 нового фоторецептора, Действительно, при освещении оригинала люминисцентными лампами в электрофотографическом процессе участвует только поверхностный ачорфныи слой селена, в то время как кристаллический подслой, область погло-. щения которого лежит в диапазоне длин волн от 700 до 750 нм, слабо участвует в процессе, ввиду отсутствия этого участка спектра в источниках освещения.

11ель изобретения — повышение качества и скоростн записи скрытого электростатического изображения.

Указанная цель достигается тем, что осуществляют дополнительное проецирование изображения с максимумом спектрального распределения, расположенным в области длин волн от 700 до 750 нм. дополнительное проецирование в красной области спектра может проводиться как одновременно с основным, так и не одновременно, Практически осуществить способ можно путем введения в систему экспонирования электрофотографического аппарата дополнительных источников све- . та, максимум излучения которых находится в области прозрачности аморфного селенового слоя и сильного поглощения сеСоставитель B. Аксенов.

Техред: С. Мигунова Корректор Г. Назарова

Редактор Г. Волкова

Заказ 9328/71 Тираж 509 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий. 113035, Москва -35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 8 ленового кристаллического подслоя. Применение указанной комбинации источни- ков света дает возможность проецировать изображение оригинала одновременно на два слоя - на свободную поверхность аморфного селена и, на поверхность селенового кристаллического подслоя. В качестве источников красного света могут использоваться лампы накаливания, Возможно также применение различных филЬтров для приведения в соответствие спектра дополнительного излучения со спектром фотопроводимости селенового носителя в красной области.

Одновременная двойная генерация носителей тока в фоторецепторе дает возможность увеличить фототок и устранить накопление объем пях зарядов в нем, в частности в транспортном аморфном слое, что, в свою очередь, дает возможность увеличить скорость записи и повысить ее качество.

75322 4

Ф ормула изобретения

Способ записи скрытого электростатического. изображения на заряженном селеновом электрофотографическом носителе, содержащем поверхностный аморфный слой и внутренний кристаллический подслой, включающий проецирование на него оптического изображения, с максимумом спектрального распределения, расположенным в области 400-550 нм, о т л йч а ю шийся тем, что, с целью повышения качества и скбрости записи осуществляют дополнительное проецирование изображения с максимумом спектрального распределения, расположенным в области длин волн от 700 до 750 нм.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Повышение технического уровня и качества электрофотографических аппаре тов и материалов. Вильнюс, 1978, с. 120.