Электронный ключ

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСХОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

< >875633 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 13,02,80 (21) 2881319/! 8-21 с присоединением заявки K— (51) М. Кл.в

Н 03 К! 7/60

Гоеудврстеевкмк кометет (23) Прнорнтет— I

Опубликовано 23.10.81. Бюллетень № 39

СССР (53) УДК 621,314..1 (088.8) ао девам еэобретеенй и открытий

Дата опубликования описания 23.10.81 (72) Автор . изобретения

В. А. Коровин

М

Ъ

Л (7l ) Заявитель (54) ЭЛЕКТРОННЫЙ КЛЮЧ

Изобретение относится к автоматике и. электронике, и может .быть использовано для коммутации цепей постоянного тока.

Известен электронный ключ, содержащий силовой транзистор, входной транзистор, схему управления и дополнительный источник напряжения j1).

Недостаток его — сложность, вызванная наличием дополнительного источника напряжения, подключенного между коллекторами силового и входного транзисторов.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является электронный ключ, содержащий транзистор, эмиттер которого подключен к базе, а коллектор к коллектору транзистора — схема Дарлингтона !2!.

Недостатком этого электронного ключа является низкий КПД в установившемся режиме„вследствие того, что силовой транзистор не может находиться в режиме насыщения.

Цель изобретения — увеличение,КПД электронного ключа при работе в установившемся режиме.

Поставленная цель достигается тем, чте в электронном ключе, содержащем первый транзистор, эмиттер которого подключен к

2 базе второго транзистора, коллектор которого через резистор соединен с шиной источника питания, а эмиттер подключен к другой шине источника питания, включен диод, катод диода подключен к коллектору первого транзистора, а анод — к коллектору второго транзистора.

В таком электронном ключе силовой транзистор работает в режиме насыщения при установившемся токе нагрузки.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема электронного ключа.

Электронный ключ содержит транзисттор 1, эмиттер которого подключен к базе транзистора 2, коллектор транзистора 2 подключен к аноду диода 3 и сопротивлению нагрузки 4. Источник электропитания подключен к другому выводу нагрузки 4 и эмиттеру транзистора 2. На базу транзистора

:подается входной сигнал, Для включения ключа в базу транзисто:ра 1 подается входной ток, равный отношению пускового тока нагрузки 4 и произведения коэффициентов усиления по току тран„зисторов t и 2; Остаточное напряжение на влюче прн пусковом токе нагрузки 4 равно

875633

3 сумме напряжений на диоде 3, переходе база-эмиттер транзистора 2 и вйводах коллектор — эмиттер транзистора 1.

После окончания пускового режима ток нагрузки 4 уменьшается и входной ток оказывается достаточным для насыщения транзистора 2.

Включение диода, между коллекторами транзисторов 1 и 2 обеспечивает режим насыщения силового транзистора 2, что приводит к повышению КПД ключа при установившемся токе нагрузки без усложнения схемы и высокий коэффициент усиления по току при пусковых токах нагрузки. Это позволяет увеличить отношение пускового тока к установившемуся в переключающих устройствах.

Формула изобретения

Электронный ключ, содержащий первый транзистор, эмиттер которого подключен к базе второго транзистора, коллектор которого через резистор соединен с шиной источника питания,а эмиттер подключен к другой шине источника питания, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД в установившемся режиме, коллектор первого транзистора подключен к катоду диода, анод которого подключен к коллектору второго транзистора.

1О Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

I. Авторское свидетельство СССР

Ж 632086, кл. Н 03 К 17 00, 1978.

2. Степаненко И. П. Основы теории тран-. зисторов и транзисторных схем. М., <Энергяя», 1973, с. 221.

Составитель А. Егорычев

Релактор P. Циника Техред А. Бойкас Корректор М. Коста

Зчкл 8386 87 Тираж 99l Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

1 l 3035. Москва. Ж вЂ” 35. Рвушская наб., д. 4/5 филиал ППП ° Патент». r. Ужгород, ул. Проектная. 4