Покрытие

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИ ВТИЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свмд-ву (22) Заявлено 070180 (21) 2871626/29-33 (5 I ) M Кл

С 03 С 17/22 с присоединением заявки ¹Государственный комитет СССР но делам изобретений н открытий (23) ПриормтетОпубликовано 30.10.81. Бюллетень 89 40

Дата опубликования описания 3(И081 (53) УДК 666.1. .056(088.8) (72) Авторы изобретения

-"< f938 q ох теео вт„ техов щ» 13 хйБ)ф0Р; „

М.Д. Левина и Ш.A. Фурман (73) Заявитель (54) ПОКРЬГГИЕ чесоч100

0.5

l0

Изобретение относится к технологии нанесения тонкослрйных покрытий .и может найти применение в спектральных приборах, в оптических квантовых генераторах, микроэлектронике и других областях науки и техники.

В настоящее время испытывается острая потребность в интерференционных оптических покрытиях, обладающих стабильными во времени оптйческими характеристиками, высокой механической стойкостью и влагостойкостью. !

Известно тонкослойное оптическое покрытие, состоящее из слоя фтористо- 15 го магния, применяемого для уменьшения отражения от поверхности стекла, или в многослойных диэлектрических покрытиях из чередующихся слоев в качестве слоев с низким показателем 20 преломления (1).

Наиболее близким к предлагаемому изобретению по технической сущности и достигаемому результату является просветляющее оптическое покрытие 25

{2) следующего состава,вес.%: MgF, 4555; CeF 5-10; ЙгГ 40-50.

Недостатком указанных покрытий является нестабильность во времени его оптических характеристик (ста- 30 рение покрытия), а также довольно невысокая механическая прочность.

11ель изобретения †. увеличение стабильности Оптических характеристик покрытия и его механической прочности.

Поставленная цель достигается тем, что покрытие, включающее МдГ, дополнительно содержит ВаГ при следующем соотношении компонентов, вес.% ° NgF2 85-90; ВаГ о 10-15.

Изготавливают три различных слоя из фтористого магния с добавками фтористого бария, нанесенные отдельно на три различные подложки и имею щие оптическую толщину il /4 (где — 600 нм).

Конкретные примеры предлагаемых покрытий и их свойств приведены в

876578

Продолжение таблицы

0,3 1

15 е 85 0,2

Составитель Г. Буровцева

Редактор М. Лысогорова Техред М.Рейвес Корректор A Дзятко

Тираж 523 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 9487/26

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Из таблицы видно, что добавка фтористого бария существенно умень шает старение, покрытия, т.е. фВ - изменение коэффициента отражения во времени уменьшается. Оптимальная добавка фтористого бария находится в пределах 10-15% ° Уменьшение добавки приводит к существенному возрастанию количества аниончых вакансий фтора и большему старению.

Увеличение содержания фтористого бария (> 1$%),.нежелательно, так как это црвводит к увеличению показателя прелойлфМий слоя, по сравнению с показателем преломления фтористого магния, ч"го является невыгодно с точки зрения получения оптимальных оптических свойств.

Кроме того из таблицы видно, что добавка фтористого бария повышает и механическую прочность покрытия. (Предлагаемое покрытие йа основе фтористого магния и фтористого бария может работать без изменения своих оптических характеристик в более жестких климатических JJcJIoBBBx по сравнению с известным. Так оно выдерживает без изменений при 98%-ной" относительной влажности 10 сут, в то время как известное тонкослойное покрытие при этих условиях разрушается. Технология нанесения предлагаемого покрытия не усложнилась по сравнению с известным.

Формула изобретения

Покрытие, включающее МдР2, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения стабильности оптических характеристик покрытия и его

20 механической прочности, оно дополнительно содержит BaFg при следующем соотношении компонентов, вес.%:

MgFg 85-90; BaFg 10-15.

Источники информации, принятые во внимание прй экспертизе

1.Холлэнд Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. М., Госэнергоиздат, 1963, с. 335.

2. Авторское свидетельство СССР

Р 529131, кл. С 03 С 17/22, 1975.