Способ фототермопластической записи оптической информации

Способ фототермопластической записи оптической информации

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

O ll H C A H N K щ 877609

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскиз

Социалистических

Республик

Л. N. Панасюк, В, Г. Воробьев, Л. А. Конзело, А. А. Фора и А. И. Шевченко (72) Авторы изобретения

Кишиневский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. В. И. Ленина (71) Заявитель (54) СПОСОБ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ

ИНФОРМАЦИИ

Изобретение относится к области накопления информации, а именно к способам фототермопластической записи оптической информации.

Известен способ фототермопластической записи оптической информации путем сканирования модулируемого электронного луча по поверхности термопластического слоя носителя записи. Способ обеспечивает изменение рельефа поверхности термопластического слоя носителя записи в соответствии с записываемой оптической информа дей (Ц .

Недостатак:.известного способа состоит в значительной сложности его осуществления.

Известен также способ фототермо" пластической записи оптической инфор-. мации путем электростатической заряд- ки, экспонирования и нагревания термопластического слоя носителя записи с фоточувствительным полупроводниковым слоем 2 1.

Этот способ позволяет обеспечить относительную простоту его осуществле" ния. Недостаток подобного способа со стоит в значительной длительности процесса фототермонластической sanscu оптической информации.

Цель изобретения — уменьшение дли» тельности процесса фототермопластичеекой записи оптической информации.

Поставленная цель достигается эа счет того, что нагревание термопластй ческого слоя осуществляют до получения температуры вьипе его гемпературы: стеклования и ниже его температуры TOкучести перед электростатической зарядкой, которую производят, до нолуче.1 ния электростатического поля, вызываю-" щего пондеромоторные силы в термо лас» тическом слое на S-lOX меньше значения модуля сдвига, одновременно с экспонированием, при которой осущест вляют изменение сопротивления фоточувствительного полупроводникового слоя на участке с максимальной осве3 877609. щенностью в 10-15 раз п ичем э е

P л ктро- провождается одновременным ефо статическую зарядку и экспонирование деформи" производят в течение в рованием те мо а р пл стического слоя ноние Времени, равного сителя записи.

1пК, Использование изобретения позволя»

» ет в значительной степени е где u - -время темновой релаксации уменьшить электростатического заряда длительность о есса фо пр ц ф тотермопластикого заряда3 ческой записи оптической ин " ма и

К " кратность фотоответа фоточув- К ом роме того, использование изобретествительного полупроводнико- ния обеспечивает улучшение качества вого слоя на участке с макси- 1О Результата фототермопластической замальной освещенностъю.,писи оптической информации.

Фототермопластическая запись опти- Формула изобретения ческой информации согласно предлага- Спо б ф со фототермопластшческой эаемому способу происходит следующим писи оптич и тическо информации .путем образом. Термонластический слой носи-, элек

% электростатической зарядки, экспонителя записи с фоточувствительным полу- рования и проводниковым слоем нагревают до темнагревания те моплас р пластичест до тЕМ- Кого СЛОЯ НоСИтеля запиСи с фотОпературы выше температуры стеклования чувствительным полупроводниковым сло-. термоиластического слоя и ниже темпе- ем, отличающийся тем, ратуры текучести последнего. Если термопяастнческий слой выполнен из сопочто, с целью уменьшения т ь дли ел ности процесса фототермопластическо лииера бутинметакрилата с акрилоннт- си, нагревание термопластического рилом, то его температура стеклования

0 слоя осуществляют до пол ения равна 45 С, а его температура тек— о у ратуры выше его темпе ат ы чести равна 92 С. В этом случае наР ур стеклования и ниже его температуры тек с гревание термопластического слоя мож- перед электростатической за я кой но осуществлять до температуры 65ОС, кОтОрую прОиэВОдят дО получения электПосле нагревания термопластического ростати ростатического поля, вызывающего понслоя производят его электростатичес- 4еромоторны

Орные силы в термопластическую зарядку. Электростатическую заряд- ко слое на у-10у ку производят до получения элбктрое на — ° меньше значения модуля сдв л сдвига, одновременно с экспо остатического поля, вызывающего пондел сдв нир ванием, при котором осуществляют изромоторные силы в термопластическом менение сопротивления фоточувствительслое: на 5-10_#_ меньше значения модуля полупРОВОдникОВОгО слоя на участсдвига. Электростатическую зарядку ке с максим с максимальной освещенностью в термопластического слоя производят 5 10- 15 раз и раз, причем электростатическую одновременно с его экспонированием, зарядку и экспо у и экспонирование производят жри котором осуществляют изменение со- в течение чение времени, равного противления фоточувствительного полуФ"

lr ттроводникового слоя на участке с мак— 1IIK сималъной освещенностью в 10-15 раз. 4О где

° где - время темновой релаксации

Всли фоточувствительный полупроводнижонЫЗ слой выполнен из триселенида электростатического эа я а

К вЂ” кратность фотоответа фото» ъаапьяка, то изменение его сопротивле- чувствительного полупрово ииа на участке с максимальной освелупр водни-

КОВОГО СЛОЯ На уЧаСТКЕ с МВК щеишостью можно осуществлять в 10 раз.<5 симальной освещенностью.

Электростатическую зарядку термопаастическаго слоя и его экспониро- Источник сточники информации, ванне производят одновременно s тече- принятые во внима нимание при экспертизе нии Времени, равного 1. Авторское ое свидетельство СССР

1пК .

50 Р 278767, кл, 9 11 В 9/00 !969

K-1 Василевский Ю.А. Термопласти Особ и родственные ей спосо" пластической записи оптической инфор- бы записи. - Сб овременные системации процесс формирования потенци- - мы записи и воспрои оспроизведения изображеального рельефа, соответствующего за" 35 ния . М. Искусство" 1972 писываемой оптической информации, со- 202.

BHHHIIH Заказ 9625/77 Тираж 648 Подписное филиал ППП Патент, г. Ужгррод, ул. Проектная. 4

П IT