Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАЙИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

< 1877615 (61) Дополнительное к ввт. свив-ву (51)M. Кл. (22)Заявлено 29.02.80 (21) 2888755/18-24 с прнсоелинеиием заявки М (23) Приоритет

G 11 С 11/14

ГоеуаеронкншхН кеинтет

СССР (53 ) УД К 681 . 327..6(088.8) Ro делен нзабретеннй н отхритн11

Опубликовано 30. 10. 81 * Бюллетень М 40

Дата опубликования описаний ЗО. 10 ° 81 ° (72) Автор изобретения

В.С.Клейменов (7I ) Заявитель (54) ЗАПОМИНАИЩЕЕ УСТРОЙСТВО НА ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦИД).

Известны запоминающие устройст5 ва для записи и считывания информации на ЦМД, содержащие кристалл с нанесенным рисунком токопроводящих и магнитных аппликаций, помещенный

s источник магнитного поля продвижения Г1 и j2).

Для записи и считывания информации накопитель подключен к формирователю тока управления и продвижения магнитных доменов ГЗ1.

Недостатком этих устройств является неудовлетворительное быстродействие при считывании информации..

Наиболее близким по технической сущности к настоящему изобретению является запоминающее устройство, которое. содержит накопители на ЦМД, источники магнитного поля продвижения, каждый из которых соединен с группой из четырех формирователей тока продвижений, и шины управле" ния Г4 ) .

K недостаткам этого устройства следует отнести значительное время выборки информации, обусловленное тем, что данные передаются и принимаются в каждый накопитель только

I в последовательной форме. Большая часть блоков, кроме относящихся к выбранному накопителю не работает.

Цель изобретения — повышение информационной емкости и быстродействия устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах., содержащее два накопителя, два источника магнитного поля продвижения, каждый из которых связан с соответствующим накопителем, две группы формирователей тока продвижения по четыре формирователя в каждой и две группы шин управления по четыре ши87761

4S ны в каждой, причем выходы формирователей тока продвижения первой группы соединены соответствующими входами первого источника магнитного поля продвижения, выходы формирователей тока продвижения второй группы — с соответствующими входами второго источника магнитного поля продвижения, а входы первых двух формирователей тока продвижения каж- !О дой группы — с соответствующими шинами управления первой и второй групп, введены дополнительный накопитель информации и связанный с ним дополнительный источник магнитного поля 1 продвижения, две группы элементов И по четыре элемента в каждой и дополнительная группа четырех шин управления, причем входы вторых двух формирователей тока продвижения каждой группы подключены к выходам соответствующих элементов И, первые входы элементов

И первой группы подключены к соответствующим шинам управления первой группы, вторые входы элементов И первой группы и первые входы элементов

И второй группы подключены к соответствующим шинам управления дополнительной группы, вторые входы элементов И второй группы подключены к соответствунлцим шинам управления второй группы, первый и треюий входы рополнительного источника магнитного поля продвижения подключены соответственно к второму и четвертому входам первого источника магнитного поля

35 продвижения, второй и четвертый входы - соответственно к первому и третьему входам второго источника магнитного поля продвижения.

Кроме того, каждый формирователь

1 тока продвижения состоит из двух последовательно соединенных ключей, шунтированных выпрямительными элемен" тами.

На фиг. 1 показано запоминающее устройство, на фиг. 2 — конструкция формирователя тока продвижения.

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах содержит накопители 1, источники магнитного поля продвижения с катушками 2 и 3, Одноименные входы источников магнитного поля всех накопителей включены последовательно друг другу. Точки соединения двух соседних катушек в 55 источниках магнитного поля связаны с выходами формирователей 4 и 5 тока н. Входы всех формирова5

4 телей тока продвижения кроме первого 6 и 7 и последнего 8 и 9 в каждой группе, связаны с выходами элементов И 10 и ll. Входы первых формирователей 6 и 7 тока продвижения соединены с первыми входами элементов И 10 и ll вторых формирователей 4 и 5 тока продвижения. Вторые входы элементов И 10 и 11 второй группы соединены с первыми входами элементов И последнего формирователя и т.д. Вторые входы элементов

И 10 и 11 предпоследнего формирователя связаны со входами последнего формирователя 8 и 9. Точки соединения входов первого, последнего формирователей и элементов И каждой группы связаны с выходами блока 12 шин управления.

Формирователь тока продвижения (фиг. 2) содержит ключи втекающего

l3 и вытекающего 14 тока, включенные последовательно. Параллельно каждому ключу включены диоды 15 и 16

° для рекуперации энергии. Входы формирователей 17 и 18 связаны со входами ключей 13 и 14, а выход 19 со средней точкой 20 соединения ключей 13 и 14.

Сигнал с блока 12 шин управлейия поступает по шинам управления 21-32 одновременно на входы формирователей б и 7, 4 и 5, 8 и 9. Сигналы управле" ния на вторых входах источников 3 магнитного поля накопителей смещены по фазе относительно сигналов управления на первых входах источников 2 магнитного поля накопителей на угол 90 . Для уменьшения потребляо емой мощности фазовые сигналы управления подаются со скважностью 1:4.

Э1о позволяет в одну четверть -периода заряжать одну иэ катушек источника магнитного поля через открытый ключ, а во вторую четверть разряжать через диод.

Для сокращения времени доступа к накопителям сигнал фазового управления одновременно подается на несколько входов формирователей тока, подключающих соответствующие источни" ки магнитного поля продвижения. Так по сигналу управления с первой фазой, приходящему, например, по шинам 21, 25, 29, подключаются катушки 2 источников магнитного поля накопителей и через них протекает ток в направлении от вывода, обозначенного точкой.

8776!5

Формула изобретения

1. Запоминающее устройство на

45 цилиндрических магнитных доменах, содержащее два накопителя, два источника магнитного поля продвижения, каждый из которых связан с соответствующим накопителем, две группы фор50 мирователей тока продвижения по четыре формирователя в каждой и две группы шин управления по четыре шины в каждой, причем выходы формирователей тока продвижения первой группы соединены с соответствующими входами нервого источника магнитного поля проПо сигналу управления со второй фазой, поступающему по-шинам 23, 27, 31, включаются, катушки 3 источников магнитного поля во всех накопителях и одновременно отключаются катушки 2 источников магнитного поля. Запасенная магнитная энергия в катушках 2 источников магнитного поля спадает.

По сигналу управления с третьей фазой, поступающему по шинам 22, lO

26, 30, включаются вновь катушки 2 источников магнитного поля. Ток, протекающий через укаэанные элементш, имеет направление, противоположное току протекающему при воздействии сигнала с первой фазой сигнала.

По сигналу управления с четвертой фазой, поступающему по шинам 24, 28, 32, вторично включаются катушки

3 источника магнитного поля и отключаются катушки 2 источника магнитного поля. Направление тока через катушки 3 источника магнитного поля реверснруется на противоположное направление.

Начиная со следующей фазы сигнала управления процессы в накопителях— нарастание и спаданне энергии магнитного потока — повторяются. Векторы магнитного поля в каждом накопителе описывают окружность, что и необходимо для продвижения доменов.

Источники магнитного поля соседних накопителей подключаются одновременно, поэтому продвижение доменов осуществляется одновременно. Одновременное продвижение доменов позволяет надежно выводить информацию в параллельном коде с экономией времени, необходимого для получения нужной 4О информации. движения, выходы формирователей тока продвижения второй группы — c соот" ветствующими входами второго источника магнитного поля продвижения, а входы первых двух формирователей тока продвижения каждой группы — с соответствующими шинами управления пер-. вой н второй групп, о т л и ч а ю— щ е е с я тем, что, с целью повышения информационной емкости и быстродействия устройства, в него введены дополнительный накопитель информации и связанный с ним дополнительный источник магнитного поля продвижения, две группы элементов И по четыре элемента в каждой и дополнительная группа четырех шин управлений, причем входы вторых двух формирователей тока продвижения каждой группы подключены к выходам соответствующих элементов И, первые входы элементов И первой группы подключены к соответствукяцим шинам управления первой группы, вторые входы элементов И первой группы и первые входы элементов И второй группы подключены к соответствующим шинам управления дополнительной группы, вторые входы элементов И второй группы подключены к соответствующим шинам управления второй группы, первый и третий входы дополнительного источника магнитного поля продвижения подключены соответственно к второму и четвертому входам первого источника магнитного поля продвижения, второй и четвертый входы — соответственно к первому и

I третьему входам второго источника магнитного поля продвижения.

2. Устройство по п. 1, о т..л ич а ю щ е е с я тем, что каждый формирователь тока продвижения состоит из двух последовательно соединенных ключей, шунтированных выпрямительными элементами.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

Патент США У 3952292, кл. 340-174 TF, опублик. 1975.

2. Патент США и 3946373 кл. 340.174 TF, опублик. !976.

3. Авторское свидетельство СССР 11 478427, кл. Н 03 К 4/60, 1978.

4. Мэвити Уильям К. Применение

11МЩ ЗУ в массовой памяти. — "Электроника", 1979, 11 7, с. 36-43 (прототип).

4.

1 г а

z а !

Ж р

М

ЯЯ

3о

1 3s

ЯВ

Составитель В.Костин

Редактор Е.Папп Техред С. Мигунова Корректор А.Ференц, Заказ 9625 77 Тираж 648 Подписное

ВНИИПИ. Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

ll3035, Москва, 3-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проекгная,