Установка для очистки изделий стеклосферами

Установка для очистки изделий стеклосферами

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

п>878548

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 12.07.74 (21) 2043718/25-08 с присоединением заявки № (51) М.К .

В 24С 3/14

В 24В 31/10 (53) УДК 621.747.06 (088.8) по елам изей етений (43) Опубликовано 07.11.81. Бюллетень № 41 и открытий (45) Дата опубликования описания 07.11.81 (54) УСТАНОВКА ДЛЯ ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ

СТЕКЛОСФЕРАМИ

Государственный комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к обработке изделий стеклянным бисером (стеклосферами), в частности к очистке стальных изделий от окалины и других поверхностных дефектов, а также к очистке изделий из алюминиевых сплавов перед плакировкой (прокаткой) от окисной пленки с одновременной регенерацией стеклосфер от продуктов очистки.

Известна установка для очистки изделий сыпучими телами, перемещаемыми по профилированному каналу под воздействием сжатого газа, в корпусе которой выполнены отверстия для входа и выхода газа и отвода продуктов очистки (1).

Недостатком известного устройства является низкая эффективность очистки рабочих тел и профилированного канала от отбитой ржавчины и пыли непосредственно в канале в процессе обработки.

Цель изобретения — интенсификация процесса удаления металлических продуктов очистки с поверхности рабочих тел непосредственно в канале.

Цель достигается тем, что в установку введены развернутые статоры асинхронного двигателя, расположенные на корпусе в местах выполнения отверстий для отвода продуктов очистки, причем последние выполнены равномерно по всему периметру стенки корпуса.

На фиг. 1 показана установка, продольное сечение; на фиг. 2 — то же, со сменным насадком.

Установка выполнена в виде корпуса 1, эластичного центрального тела 2 с автономным подводом энергоносителя через редуктор 3, профилированного сопла 4, имеющего возможность менять угол наклона (атаки) к поверхности обрабатываемого изделия, ввода 5 для подачи сжатого газа на участок отскока стеклосфер 6 и продуктов очистки. Боковая стенка корпуса снабжена отверстиями 7 для выхода сжатого воздуха и продуктов очистки. Нижняя часть корпуса 1 соединена со сменными насадками 8 и 9, причем по ходу движения стеклосферной смеси установлены устройства грубой 10 и тонкой 11 очистки, выполненные в виде развернутого статора асинхронного двигателя и создающие бегущее магнитное поле.

Профилированный канал, образованный корпусом 1, центральным телом 2 и набором насадков 8 и 9, состоит пз трех участков аб, бв, ва.

Участок аб разгона характеризуется относительно большой скоростью газо-стеклосферной смеси и большим давлением воздушного потока, а участок бв — падением скорости газо-стеклосферной смеси. Участок ва — участок очистки стеклосфер от

3 продуктов очистки (окалины, окисной пленки и т. п.) — характеризуется большим падением скорости газо-стеклосферной смеси и давления воздушного потока. Соплом 5 осуществляется дополнительный разгон стеклосфер.

Установка работает следующим образом.

Газ проходит через сопло 4, попадает в канал разгона аб, разгоняет стеклосферы

6 до встречи с обрабатываемой поверхностью, очищает ее и через участок бв стеклосферы вместе с продуктами очистки попадает на участок ва. На этом участке вся смесь попадает под воздействие бегущего магнитного поля устройств 10 и 11. При помощи ввода 5 стеклосферам 6 сообщается дополнительная кинетическая энергия и они вновь попадают на участок разгона аб, а продукты очистки удаляются через отверстие 7 в боковой. стенке корпуса 1. Через эти же отверстия выходит газ.

Величину снимаемого с поверхности изделия слоя можно регулировать при помощи геометрических параметров канала аб, скорости газо-стеклосферной смеси и изменения угла атаки стеклосфер к обрабатываемой поверхности. Последнее достигается изменением угла подачи газа из сопла

° 4, эластичным центральным телом 2 и сменными насадками 8 и 9 (может быть несколько). Регулируя эти параметры, можно снимать поверхностный слой изделия практически любой толщины от нескольких мкм до миллиметра за один цикл. Сама же головка предназначена для многократного использования стеклосфер без вывода последних из рабочей зоны. Этому способствует бегущее магнитное поле, которое постоянно или периодически очищает стеклосферную смесь от продуктов очистки. Интенсивность бегущего магнитного поля меняют в зависимости от удельного веса про878548 дуктов очистки (металлических включений) .

Диаметр стеклосфер колеблется от 40 до

800 мкм, в зависимости от того, какой поб верхностный слой необходимо снять с изделия. При угле атаки стеклосфер к поверхности изделия, близком к 0, происходит выравнивание микрорельефа поверхности с незначительным снятием поверхностip ного слоя. При 0 — матовая полировка поверхности. При угле атаки, приближающемся к 90 — интенсивная обработка поверхности с большим количеством продуктов очистки (металлических включений). ц Для более качественной очистки стеклосфер от металлических включений отверстия для отвода последних выполнены равномерно с перекрытием друг друга по всему периметру и располагаются на боковой стенке, в сторону которой направлено бегущее магнитное поле.

Формула изобретения

Установка для очистки изделий стекло26 сферами, перемещаемыми по профилированному каналу под воздействием сжатого газа, в корпусе которой выполнены отверстия для входа и выхода газа и отвода продуктов очистки, о тл и ч а ю щ а я с я тем, зо что, с целью интенсификации процесса удаления металлических продуктов очистки с поверхности стеклосфер непосредственно в канале, в нее введены развернутые статоры асинхронного двигателя, расположенные на

Зд корпусе в местах выполнения отверстий для отвода продуктов очистки, причем последние выполнены равномерно по всему периметру стенки корпуса.

Источники информации, 4О принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР № 139575, кл. В 24С 3/14, 1960.

878548

Корректор Е. Хмелева

Редактор E. Хейфиц

Заказ 2328/16 Изд. ¹ 569 Тираж 915 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

ЯдуАхаМ

nolrpxxu

11 1

Составитель Т. Юнг

Техред И. Заболотнова