Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП HCAMHE

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВ ЕТИЛЬСТВУ

< >881856 (61) Дополнительное к авт. свид-вуР1 1М. Кп.З (22) Заявлено 170879 (2() 2814104/18-24

G l l С 11/14 с присоединением заявки ¹(23) Приоритет

Государственный комитет

СССР

fl0 делам изобретений н открытий

Опубликовано 15.1181..Бюллетень N9 42 (53) УДК 681 327.66 (088.8) Дата опубликования описания 15.1181 (72) Авторы изобретения

Л.С. Ломов, Г.К. Чиркин, Ю.И. Игна и Ю.Д. Розенталь (7() Заявитель (54) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известны каналы для продвижения

ЦМД, построенные в виде периодически расположенных магнитопленочных аппликаций на доменосодержащем материале и функционирующие во внешнем вращающемся в плоскости аппликаций магнитном поле (1).

Однако быстродействие таких каналов ограничено возможностью создания быстропеременного магнитного поля. Кроме того, источник магнитного поля потребляет много энергии, а изготовление такого канала требует высокой точности иэ-за малости размеров аппликаций.

Наиболее близким к изобретению является канал для продвижения ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, на которой расположены токопроводящие слои с отверстиями, разделенные изолирующим слоем и подключенные к источникам импульсов тока (2).

Недостатком известного канала для продвижения UPQ является необходи« мость тщательной развязки.источников питания, что усложняет его конструкцию;

Цель изобретения — упрощение канала для продвижения ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что отверстия в токопроводящих слоях выполнены в форме выпуклых многоугольников, например шестиугольников, 1О причем проекции смежных отверстий, расположенных в разных токопроводящих слоях, на магнитоодноосную пленку совмещены по одной из граней выпуклых многоугольников.

На фиг. 1 схематически показан канал для продвижения ЦМД, общий вид; на фиг. 2 - принцип перемещения ЦМД; на фиг. 3 - продвижение

ЦМД в канале в одну сторону; на фиг. 4 — то же, в противоположную сторону; на фиг. 5 - взаимное расположение отверстий при движении

ЦМД в раэличных направлениях. .Канал для продвижения ЦМД (фиг.l) содержит расположенную на немагнитной подложке 1 магнитоодноосную пленку

2 с нанесенной на нее пленкой 3 диэлектрика. На пленке 3 расположен первый токопроводящий слой 4, отделенный от второго токопроводящего слоя 5 слоем диэлектрика 6. К

881856 первому токопроводящему слою 4 подключен источник импульсов тока 7, а ко второму токопроводящему слою 5 источник импульсов тока 8. В токопроводящих слоях 4 и 5 выполнены отверстия 9 в форме шестиугольников.

Цифрами I VI обозначены позиции, занимаемые Ц1Щ в канале. Канал для продвижения ЦМД функционирует следующим образом.

В основу работы устройства положено взаимодействие ЦМД 10, существующих в магнитоодноосной пленке 2, с локальными магнитными полями, создаваемыми вблизи отверстий 9, протекающими по слоям 4 и 5 токами i » и от источников 7 и 8. Это взаимодей- 15 ствие показано на фиг. 2.

Для примера рассмотрим один слой

4. Ток i от источника 7 распределяется между отверстиями 9 на потоки как показано на фиг. 2. При этом в Щ пространстве отверстий образуются локальные магнитные поля, направленные в зависимости от направления тока 1 . Если считать, что ЦМД имеет намагниченность, направленную вверх, д то магнитные поля в отверстиях справа от потока З имеют противоположное к ЦМД направление, а в отверстиях слева - совпадающее. Магнитное поле, совпадающее по направлению с ЦМД, притягивает еro, а противоположное отталкивает. На Фиг, 2 в левой части показано, как расположены силовые линии локальных магнитных полей; в правой части знаком + помечена притягивающая сторона отверстия, а знаком " †-отталкивающая. На фиг.З и 4 приняты те же обозначения. Из" менение направления тока вызывает изменения места расположения растягивающих и отталкивающих полюсов. 40

Продвижение ЦМД вызывается притяжением к полюсу +, и, следовательно, перемещением притягивающего полюса.

Если задается ток ig в слой 5, то н =тверстии образуются притягивающие полюсы. Пусть ЦМД 10 зафиксирован в позиции I отверстия 9, а ЦМД 101 — в позиции V (фиг. За).

Позиции I u V идентичны по отноше- ® нию к отверстиям 9 (на Фиг. 3-5 отверстия 9 слоя 5 показаны сплошными линиями, а отверстия 9 слоя 4 показаны пунктирными линиями и эаштри хованы). После включения тока включается ток 1„(в слой 4), притягивающие полюса образуются также у отверстия .9 слоя 4 (Фиг. Зб).ЦМД 10 и 10, соответственно, растягиваются и зайимают позиции 1I и VI.

Когда ток ie протекает в обратном QQ направлении (фиг. Зв) ЦМД 10 и 10 переходят к соседним притягивающим полюсам в позиции III u VII (позиция VII находится за пределами фиг. Зв) . После этого при пропускании тока 1. (Фиг Зг) ЦМД 101 переходит в позицию IU ° Если снова пропустить ток i< в направлении, как показано на фиг. За, то ЦМД 10, окажется в позиции Ч, т.е. там, где был раньше ЦМД 10 . Таким образом, при последовательности токов, соответствующей фиг. За,б,в,r, ЦМД перемещается от одного отверстия к друIгому. На фиг. Зг тонкой линией со стрелкой показано направление продвижения ЦМД 11, точки на этой линии соответствуют месту фиксации ЦМД при протекании токов.

Если изменить порядок чередования отверстий 9 и 94, как показано на фиг. 4 (по отношению к фиг. 3), то изменяется направление движения ЦМД при той же последовательности токов и ig Пусть ток 1З протекает так, как показано на фиг. 4а, тогда ЦМД 10 и 10 фиксируются у притягивающих по- люсов отверстий 9 слоя 5 в позициях I u V. После этого ток 17 пропускается так, как показано на фиг. 46.

ЦМД 10< и 10 переходят в позиции II и VI соответственно, на отверстиях

94 слоя 4. Последующее протекание тока ie, как показано на фиг. 4в, вызывает перемещение ЦМД 10 „ в позицию

III, ЦМД 10 уходит за пределы фигуры. Далее,при протекании тока i,êàê показано на фиг. 4г, ЦМД 10„ переходит в позицию IV. Если после этого пропустить ток 1, как показано на

Фиг. 4а, то ЦМД 10„ переходит в поэицию V, где ранее был ЦМД 10 . Таким образом, при указанной последовательности токов движение ЦМД на фиг. 4 противоположно движению ЦМД на фиг.З.

Тонкой линией со стрелкой 12 на фиг. 4г показано направление движения ЦМД.

Изменяя последовательность включения токов, можно получить продвижение ЦМД поперек расположения отверстий 94 и 9 в слоях 4 и 5.

Изменяя взаимное расположение отверстий 9 и 9 в слоях 4 и 5 можно получить изменение направления движения ЦМД при одной последовательности токов в слоях

На фиг. 5 показано, какое взаимное расположение отверстий 9 и 9у дает чередование направлений движения ЦМД

s соседних треках ll, 12 „, 11, 12 1 при неизменной последовательности чередования токов.

Использование изобретения позволяет повысить тактовую частоту работы канала продвижения ЦМД до частот в несколько мегагерц, что существенно улучшит системные параметры устройств на ЦМД, увеличит быстродействие, уменьшит времена задержки и доступа и т ед э формула изобретения

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий

881856

Фиг. 1 магнитоодноосную пленку, на которой расположены токопроводящие слои с отверстиями, разделенные изолирующим слоем и подключенные к источникам импульсов тока, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения канала для продвижения цилиндрических магнитных доменов, отверстия в токопроводящих слоях выполнены в форме выпуклых многоугольников, например шестиугольников, причем проекции смежных отверстий, расположенных в разных токопроводящих слоях, на магнитоодноосную пленку совмещены по одной из граней выпуклых многоугольников.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Р 640347, кл. G 11 С 11/14, 1977.

2. AIP Conf. Proc., 1974, Р 24, р. 550 (прототип).