Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскин

Социалистические

Республик

ОП ИСАНИЕ iii 883

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6I ) Дополнительное к авт. санд-ву (22) Заявлено I7.08.79 (2! ) 2810337/ I8-24 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 23 ° 11.81. Бюллетень М "3

Дата опубликования описания 23 ° " 1 (5l)M. Кл.

G 11 С 11/14

Гасударственный комитет по делам изобретений н откаытнй (5Ç) УДК 681.327, .66(088.8) (72) Авторы изобретения

;Л.С.Ломов, Г.К.Чиркин, Ю.И.Игнатенко и Ю.Д. (71) Заявитель (54) КАНАЛ ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ

ДОМЕНОВ

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при проектировании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен канал для продвижения

ЦМД, содержащий магнитоодноосную пленку, в которой сформированы неимплантированные смежные фигуры, например диски. Такой канал функционирует при наличии вращающегося в плоскости материала магнитного поля (11.

Однако создание вращающегося магнитного поля требует больших энергозатрат, само переменное поле служит источником радиопомех, что требует дополнительного экранирования канала и источника поля. Кроме того, создание вращающегося магнитного поля на частотах порядка 1 МГц в большом объ20 еме сильно затруднено, что ограничивает быстродействие канала для продвижения ЦМД.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является канал для продвижения ЦМД, который содержит слой магнитоодноосного материала, разделительный слой диэлектрика и про" водящий слой с периодически расположенными окнами. Этот канал для продвижения ЦМД функционирует за счет изменения направления тока от источника в токопроводящем слое. ЦМД фиксируются у краев отверстий создаваемыми там протекающим током локаль" ными магнитными полями Я .

Недостатком такого канала является низкая надежность иэ-за статической неопределенности ЦМД при отключении питания, для стабилизации кото" рых необходимо проведение ряда допол" нительных технологических операций.

Цель изобретения - повьыение надежности известного канала для продвижения ЦМД.

Поставленная цель достигается тем, что в известном канале в слое магнито88396

4 текают токи от обоих источников 7 и 8.

Пусть в исходный момент времени

ЦМД 11 находится у края окна 6 в позиции 1 (фиг.3 а). Его удерживают магнитостатические ловушки (области повышенной коэрцитивности) 3, расположенные вблизи этого окна. Если теперь пропустить ток в направлении, показанном на фиг. Зб, то ЦМД 11

I сместится к тому краю окна 6, где создается притягивающее поле "+"

При этом ЦИД 11 перейдет на другие ловушки 3 в позицию II. Когда ток прекращается фиг.3 в ), притягивающее поле исчезает, но ЦМД 11 зафиксирован магнитостатической ловушкой 3 в позиции 11 и остается в прежнем положении. Если теперь пропустить ток в направлении, показанном на фиг. Зг, то притягивающее поле создается на краю окна 6, ЦМД 11 перейдет е позицию Ill на этом окне и останется в той же позиции при снятии поля 1фиг ° Зд), поскольку он там зафиксирован ловушкой 3" . Теперь ток пропускают в направлении, показанном на фиг. 3е> ЦМД 11 переходит вслед за притягивающим полем в позицию 1У на магнитостатическую ловушку 3 " оставаясь там и после прекращения тока (фиг.3 ж). При направлении тока, показанном на фиг.3 ЦМД 11 переходит из позиции 1У на окне 6 в позицию У на окне 6 ц, где он фиксируется магнитостатической ловушкой 3-" .

Дальнейшее движение ЦМД, так же как и движение по любому параллельному направлению, происходит аналогично.

Изменяя порядок чередования токов, можно изменять направление движения ЦМД. Если пропустить ток, как позано на фиг.Зи, то ЦМД 11 перейдет в позицию Уl на ловушке 3" в окне 6 ", а оттуда при пропускании тока(фиг.Зк, в позицию УП на окне 6". Таким образом, можно переключить направление перемещения доменов.

Пусть для определенности ЦМД имеет направление намагниченности, направленное от нас. Тогда выходящее из слоя 5 магнитное поле +ЬН отталкивает, а входящее — Ь Й - притягивает ss

ЦИД. Для наглядности притягивающее поле обозначим +", a отталкивающее

На фиг.2 в показано, когда проодноосного материала выполнена матрица областей повышенной коэрцитивности, при этом размер области не превышает диаметра ЦИД при этом период матрицы областей повышенной коэрцитивности не превышает половины периода расположения окон в проводящем слое, На фиг. 1 изображен канал для продвижения ЦМД; на фиг. 2 и 3 показан принцип действия этого канала.

Предложенный канал для продвижения ЦИД содержит расположенный на немагнитной подложке 1 слой магнитоодноосного материала 2, в котором выполнена матрица областей повышенной коэрцитивности 3, играющих роль магнитостатических ловушек. На слой магни-1 тоодноосного материала 2 последовательно наносят разделительный слой диэлектрика и проводящий слой с периодически расположенными в нем окнами 6. Проводящий слой 5 подключен к источникам тока 7 и 8.

Цифрами 1-УП обозначены позиции, занимаемые ЦМД во время продвижения по каналу.

Работа предложенного канала для продвижения ЦМД основана на взаимодействии ЦИД с локальными магнитными

ЗО полями, создаваемыми протекающим током по краям окон 6 (фиг.2 а и 2 б), Когда включен источник тока 7 (управление источников тока 7 и 8 осу-! ществляется от блока управления каналом), ток; протекает от контакта 9 к контакту 10 (фиг, 2o). Плотность тока между окнами больше, чем плотность тока в сплошном проводнике.

Часть проводящего слоя между двумя окнами можно рассматривать как полоску проводника„ по которому протекает ток и создает вокруг себя магнитное поле (фиг.2 a)> входящего с одной стороны окна и выходящего с противоположной. При протекании тока от источника 8, подключенного в точках

11 и 12 к слою 5, входящее и выходящее магнитное поле оказывается у других сторон окна (фиг.2 б ).

Движение ЦМД в обратном направлении происходит аналогично.

Чтобы избежать необходимости развязывания источников питания друг от друга из-за того, что они подключены к одному проводящему слою и поэтому нагружены друг на друга, можно использовать два слоя управления с окнами, сдвинутыми относительно друг друга. При этом питание слоев может

5 8839 осуществляться гармоническими токами, сдвинутыми на 90 .

Магнитостатические ловушки должны обладать коэрцитивностью, превышающей коэрцитивность доменосодержащего материала (для фиксации ЦМД на свободном поле и магнитостатическое взаимодействие между соседними ЦМД (для устранения их взаимного влияния и выталкивания друг друга) . о

Предложенный канал для продвижения ЦМД является более простым по сравнению с известными за счет того, что существенно снижаются требования к совмещению слоев. При малом периоде 1s расположения областей повышенной коэрцитивности совмещение может вообще производиться случайным образом, так как гарантировано попадание хотя бы одной ловушки в зону окна при условии, щв что период матрицы в два раза меньше периода расположения отверстий. в проводящем слое.

Формула изобретения

1, Канал для продвижения цилиндри- zs ческих магнитных доменов, содержащий

69 6 слой магнитоодноосного материала, разделительный слой диэлектрика и проводящий слой с периодически расположенными окнами, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности канала для продвижения цилиндрических магнитных доменов, в слое магнитоодноосного материала выполнена матрица областей повышенной коэрцитивности, при этом размер области не превышает диаметра цилиндрического магнитного домена.

2. Канал по п.1 о т л и ч а юшийся тем, что период матрицы областей повышенной коэрцитивности не превышает половины периода расположения окон в проводящем слое.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент CllN 3996573 кл. 340-174, 1977 °

2. A1P Conf. Proc и 24, 1974 р. 550 (прототип) .

883969

//

Р

Составитель Ю.Розенталь

Редактор Н.Пушненкова Техред Й.Нинц Корректор С.Шекмар

Заказ 10240/77 Тираж 648 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул . Проектная, 4