Многоустойчивый двухпараметровый элемент

Многоустойчивый двухпараметровый элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

. (72) Автор изобретения

П. Н. Димптраки

Кишиневский государственный педагогический институт им. И. Крянге (71) Заявитель (54) МНОГОУСТОЙЧИВЫЙ ДВУХПАРАМЕТРОВЫЙ

ЭЛЕМЕНТ

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в устройствах автоматики н счетно-вычислительной техники

Известны многоустойчивые двухпараметровые элементы, выполненные на основе резис- .

3 тивного моста, подключенного одной диагональю к источнику постоянного нанряжвния, с накопительным конденсатором в другой диагонали, причем каждый вывод конденсатора через ключевой каскад связан с соответствуянцим источ10 ником входных сигналов (Ц и (2).

Общий недостаток двухпараметровых элементов — значительная погрепшость амплитуды выходного напряжения каждого из устойчивых состояний, обусловленная нелинейностью заря35 да накопительного конденсатора.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является многоустойчивый двухпараметровый элемент, который, как и данный элемент, выполнен на основе резистивного моста, подключенного одной диагональю к источнику постоянного напряжения, содержащий накопительный конденсатор, подключенный к другой диагонали моста, причем каждый из выводов накопительного конденсатора подсоединен через ключевые каскады к общей шине питания

Недостатком указанного элемента является ограниченный динамический диапазон устойчивых состояний, что связано с погрешностями, вносимыми ключевыми каскадами.

Цель изобретения — расширение динамического диапазона числа устойчивых состояний.

Цель достигается тем, что в мостовом двухпараметровом элементе каждый из выводов накопительного конденсатора соединен с коллектором дополнительного транзистора mrcoaa6sлнэирующего каскада, эмиттер которого. через дозирующий конденсатор подсоединен к выходу источника входного сигнала, при этом ключевые каскады выполнены в виде транзисторного эквивалента двухбаэового диода на транзисторах разного тина проводимости, охваченных коллекторно-базовыми связями, причем накопительный конденсатор подключен к диагонали моста через базово-эмиттерные переходы соответствующих транзисторов ключевых каскадов, в токостабилизирующие каскады выполнены

3 8 на многоэмиттерных транзисторах, эмиттеры ко-1. торых через дозирующие конденсаторы подсоединены к соответствующим источникам входных сигналов.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема многоустойчивого двухпараметрового элемента.

Многоустойчивый двухпараметровьш элемент содержит накопительный конденсатор 1, выводы которого через ключевые каскады 3 и 4 подсоединены к общей шине питания, а также соединены с коллекторами дополнительных транзисторов 2 и 5, выполняющих роль токостабилизирующих каскадов, эмиттеры которых через дозирующие конденсаторы 6 и 7 соответственно подсоединены к источникам входных сигналов, при этом ключевые каскады 3 и 4 выполнены в виде транзисторных эквивалентов двухбазового диода на транзисторах разного типа проводимости, охваченных коллекторнобазовыми связями, а токостабилизирующие каскады 2 и 5 выполнены на многоэмиттерных транзисторах, эмиттеры которых через дозирующие конденсаторы 6 и 7 подсоединены к соответствующим источникам вхоцных сигналов, причем все эмиттеры транзисторов 2 и 5 через прямо включенные диоды 8 и 9 соединены с шиной источника питания.

Многоустойчивый двухпараметровый элемент работает следующим образом.

В исходном состоянии все транзисторы схемы закрыты. При поступлении каждого счетного импульса на левый вход схемы (см. рис. 1) заряженный за предыдущий цикл работы накопительный конденсатор 1 перезаряжается через левый токостабилизирующий транзисторный каскад 2 и открытые транзисторы правого ключевого каскада 4. Как только под воздействием n-ro счетного импульса напряжение на накопительном конденсаторе досппает величины порогового напряжения срабатывания левого ключевого каскада 3, последний срабатывает, транзисторы ключа закрываются, так как к эмиттеру транзистора.р — и — р-типа цроводимости прикладывается скачок отрицательного напряжения накопительного конденсатора 1. В таком состоянии схема не реагирует на импульсы, действующие по левому входу, а конденсатор 1 переэаряжается в обратном направлении лишь от воздействия импульсов по входу правого токостабилизирующего каскада 5. Процесс перезаряда накопительного конденсатора 1 в этом направлении продолжается до момента баланса схемы, когда напряжение на накопительном конденсаторе 1 становится равным напряжению срабатывания ключевого каскада 4.

4156

Использование многоэмиттерных транзисторов позволяет расширить логические свойства элемента.

Высокая линейность выходного напряжения достигается за счет использования токостабилиэирующих каскацов, поэтому динамический диапазон может достигать максимального размаха, т.е. от — Е до +Е, где Š— напряжение источника питания.

Конденсаторы 6 и 7 являются ускоряющими, диоды 8 и 9 — разделительными, их присутствие не всегда необходимо.

Формула изобретения

1. Многоустойчивый двухпараметровый элемент, выполненный на основе резистивного моста, подключенного одной диагональю к источнику постоянного напряжения, содержащий накопительный конденсатор в другой диагонали моста, причем каждый из выводов накопительного конденсатора подсоединен через ключевые каскады к общей шине питания, о т л и ч аю шийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона, каждый из выводов накопительного конденсатора соединен с коллектором дополнительного транзистора токостабилизирующего каскада, эмиттер которого через

36 дозирующий конденсатор подсоединен к выходу источника входного сигнала.

2, Устройство по п. 1, о т л и ч, а ю щ ее с я тем, что ключевые каскады выполнены в виде транзисторного эквивалента двухбазового диода на транзисторах разного типа прово35 димости, охваченных коллекторно-базовыми связями, при этом накопительный конденсатор подключен к диагонали моста через базовоэмиттерные переходы соответствующих транзисторов ключевых каскадов.

4О

3. Устроиство попп. 1и 2, о т л ч ч а ющ е е с я тем, что токостабилнзирующие каскады выполнены на многоэмиттерных транзисторах, эмиттеры которых через дозирующие конденсаторы подсоединены к соответствующим

4 источникам входных сигналов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Горн Л. С. и Хазанов Б. И. Транзисторы в радиометрической аппаратуре. Госатомиздат, 1961, с. 150.

2. Приборы и элементы автоматики и вычислительной техники, инфр. У 15, 1973, с. 14, приортитет 1972 (прототнп).

884156

Составитель В. Казаков

Техред И.Асталош

Корректор Н. Стен

Редактор Л. Гратилло

Подписное

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Заказ 10256/86 Тираж 991

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5