Ждущий мультивибратор
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Соввтскик
Соцмапнстичвскн«
Респубпнк
<и>886220
ОП КСАН ИЙ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (8i ) Дополммтельное к авт. свнд-ву(22) Заявлено 30.11.79(21) 2845366/18-21 с прмсоеднненнем заявкн М(23) ПрмормтетОпублнковано 30.11.81. бюллетень _#_s 44
Дата опублнкованн» опнсання03.12.81
{5! )М. К,я.
Н 03 К 3/335
Веударетаеай квинтет
CCCP ав ааяап нее«рата«ив н ат«ркткя
{53) УДК 621. ,.373.531 (088.8) А. А. Новоселов, Л, А. Собко. н М. М. Черкасов (72) Авторы мзобретення (Vt) Заявмтель (54) ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в электронной аппаратуре s качестве формиI рователя задержки импульсов различной длительности или временных интервалов.
Известен одновибратор, выполненный из транзисторных h -р - 5 типа, с резисторной связью с коллектора нормально открытого транзистора на базу нормально закрытого транзистора и времязадакяцим
10 конденсатором, подключенным к коллектору нормально закрытого транзистора Щ
Недостатками этого одновибратора являются малый коэффициент перекрытия длительности генерируемых импульсов и
1$ большое время восстановления.
Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является ждуший мультивибратор на транзисторах p- h - р типа с резисторной связью с коллектора нормально закрытого на базу нормально открытого транзистора,.времязадакяцим. конденсатором, подсоединенным к коллектору нормально закрытого транзистора и
2 двухбазовым диодом, включенным электродом во времюадающую цепь, первая баI эа amopopo через резистор соединена с отрицательным полюсом источника пита.ния и через конденсатор и диод с базой нормально закрытого транзистора, а вторая база соединена с обшей шиной. Этот ждущий мультивибратор обладает малам временем восстановления и позволяет получать импульсы большой длительности 2 .
Однако схема известного мультивибратора сложна, что снижает надежность устройства. Кроме того, схема включения двухбазового диода такова, что он постоянно находится под напряжением и потребляет значительную долю мощности, потребляемой мулътивибра тором.
Цель изобретения - упрощение схемы, повышение ее надежности и уменьшение энергопотребления.
Поставленная цель достигается тем, что в ждущем муль гивибраторе иа транзисторах е -и -h типа с резисторной связью с коллектора нормально закрытого
М6220
Ждущий мультивибратор на транзистозо рах n - р - e типа с резисторной связью. с коллектора нормально закрытого транзистора на базу нормально открытого транзистора, времязапакяцим конденсатором, подсоединенным к коллектору нормально закрытого транзистора и пвухбазовым диодом., включенным эмиттером во времяэадающую цепь, о т л и ч а ю— ш и и с я тем, что, с целью упрощения схемы, повышения ее надежности и умень4О щения энергопотребления, первая база двухбазового диода через резистор подсоединена к базе нормально открытого транзистора, а точка соединения времязадающего конденсатора и нагрузочного резиотора, стоящего в цепи первой базы пвухбазового диода, лодсоединена к коллектору нормально закрытого транзистора.
2. Хамблет М. Получение импульсов
55 большой длительности с помощью мультивибратора на двухбазовых диодах.-"Электроника", 1962, No 26, с. 53. транзистора на базу нормально открытого транзистора, времяэадающим конденсатором,, попсоединенным к коллектору нормально закрытого транзистора, и двухбазовым диодом, включенным эмиттером aо времяза» дакхцую цепь, первая база двухбаэового диопа через резистор .подсоединена к базе нормально открытого транзистора, а точка соединения времязадаюшего конденсатора и нагрузочного резистора, стоящего в це- 10 пи первой базы двухбазового диода, подсоедииена к коллектору нормально закрытого транзистора.
На чертеже представлена схема ждущего мультивибратора. 15
Ждуший мультивибратор содержит и -р -.e тTр анmз3иmсcт оoрp ы 1l -2, включенные по схеме с обнсим зммттером, двухбазовый диод 3, резистор 4 и конденсатор 5, включенные последовательно между кол- 2о лектором транзистора 2 и положительным полюсом источника питания, резистор 6, включенный между коллектором транзистора 2 и первой базой двухбазового диода, резистор 7, включенный между этой 25 же базой и базой транзистора 1, и резистор 8, включенный между коллектором 1 и базой транзистора 2..
Жпуцщй мультивибратор работает следующим образом.
В исходном положении транзистор 1 открыт, транзистор 2 закрыт, двухбаэовый диод 3 и времязадающая цепь, состоящая иэ резистора и конденсатора
5, обесточены. При подаче на вход ждущего . мультивибратора положительного запускающего импульса транзистор 2 открывается, что вызывает закрывание транзистора 1. Двухбазовый диод 3 и времяэадающая цепь, состоящая из резистора 4 и конденсатора 5, через открытый транзистор 2 подключается к отрицательному полюсу источника питания и конденсатор
5 начинает заряжаться по цепи: плюс источника питания, резистор 4, переход коллектор-эмиттер транзистора 2, минус источника питания . Напряжение на эмиттере двухбазового диода 3 растет и при достижении порогового значения он открывается. Конденсатор 5 разряжается через резистор 6 и на базу транзистора 1 через резистор 7 поступает положительный импульс, что приводит к открыванию транзистора 1 и закрыванию транзистора 2.
При этом схема приходит в исходное состояние.
Время восстановления схемы определяется постоянной времени разряда конпенсатора 5 через резистор 6. Сопротивление этого резистора можно сделать достаточно малым без ухудшения качественных характеристик работы схемы. Длительность генерируемых импульсов определяется постоянной времени заряда конденсатора 5 через резистор 4. Сопротивление резистора
4 можно выбирать в широких препелах ввиду весьма малого тока эмиттера, необходимого для срабатывания двухбазового диода, чем и обеспечивается большой коэффициент перекрытия по длительности.
Энергопотребление схемы предлагаемого мультивибратора меньше., чем извест ного, так KBK двухбазовый диод в исходном состоянии отключен от одной из шин питания, а в рабочем цикле он служит в качестве коллекторного резистора для соответствующего транзистора и дополнитель- ной мощности не требует.
Кроме того, пенная схема имеет значительно меныцее число элементов по сравнению с известной,что существенно повышает ее надежность.
Формула иэобрет ения
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
l. Расчет схем на транзисторах.
Перевод с англ. К. Г. Меркулова и др.
М., Энергия", 1969, с. 426.
886220
Составитель Н. Ферапонтова
Редактор А. Лежнина Техред И..Гайду Корректор Г- Ð
Заказ 1 0558/76 Тираж 991 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4