Способ выращивания однородных кристаллов виннокислого этилендиамина

Способ выращивания однородных кристаллов виннокислого этилендиамина

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Класс 12q, 1сн

М 88624

СССР с ф м

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

А. А, штернберг и П. Г. Поздняков

СПОСОБ ВЬП Ли ИВАНИЯ 0ДНОГОДПЫХ К ИСтЛЛЛОВ

ВИНПОКИСЛОГ0 ЭтЛЛКНДИЛМИИЛ

Заявлено 13 марта 1950 г. за ¹ 11116! v, Госмехннну CCCI

Предметом изобретения является способ получения однородных кристаллов виннокислого этилендиамина, пригодных для использования в качестве материала при изготоглснии пьезоэлектрических резонаторов.

Применение виннокислого этилендиамина для изготовления пьезоэлектрических резонаторов известно. Однако, кристаллы его не обладают однородностью.

Отличительная особенность предлагаемого способа состоит в том, что выращивание кристаллов виннокислого этилендиамина производят при высоком пересыщении раствора, характеризующимся температурой пересыщения в 9 — 10, которая превышает нижнюю предельную температуру пересыщения, что позволяет получать однородные кристаллы, обладающие высокими пьезоэлектрическими показателями.

Особенность выращивания больших однородных кристаллов виннокислого этилендиамина заключается в способности этого материала образовывать чистые, лишенные неоднородностей, кристаллы при пересыщении раствора, превышающем некоторое минимальное критическое значение.

Кристаллы большинства веществ, как правило, хорошо образуются из слабо пересыщенных растворов. С увеличением пересыщения раствора скорость роста кристаллов возрастает. Однако при некоторой предельной (для данных условий) степени пересыщсния образование чистых, однородных кристаллов прекращается. Кристаллы начинают расти трещиноватыми, мутпьсми, интенсивно захватывают мато 1пый раствор. Эта точка псрссыщения может быть назва га верхней предельной точкой перес ыщения раствора, которая может существенно зависить от других vc ловий выращивания (состава раствора, интенсивности перемешивания и проч.) ..

В отличие от оольшинства веществ, випнокислый этилендиамин обнаруживает способность к образованию однородных кристаллов только в условиях сильного пересыщения раствора, превышающего некоторое минимальное значение, ниже которого образование чистых кристаллов прекращается. Соответственно, эта точка пересыщения может быть названа нижней предельной точкой пересыщения раствора.