Элемент памяти

Элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е <и>888207

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

Реснубпик (61) Дополнительное к авт. спид-ву(22) Заявлено 31,0380 {21) 2901089/18-24 с присоединением заявки,%{23) Приоритет

Опубликовано 07.1 231 ° Бюллетень Рй 45

Дата опубликования описания 0712,81 (5l)N. Кл.

G 11 С 11/40

Засударспкниыб кфмитет

СССР ва делам изобретение н аткрыткй (53) УДК 6&1.327..6(o88.8) М.А.Бондарев, В.И.Иванов, Л.Н.Пе ов, В.B.Ïðóøèíñêèé и А.Г.Филипп в

Д „- . :1

БИБЛЙ

I (72) Авторы изобретения

{7I) Заявитель. (Ц ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в статических запоминающих устройствах.

Известен (1$ элемент памяти стати-. ческого типа, содержащий планарный тиристор, состоящий. из горизонтального р-и-р транзистора и вертикаль-ного и-р-и транзистора. Базы тиристора через резисторы подключены к разрядным шинам.

Недостатком этого элемента памяти является низкое быстродействие.

Наиболее близким решением по тех- . нической сущности и достигаемому ре15 зультату к изобретению является статический элемент памяти (21, содержащий тиристор, транзистор записи, эмиттер которого соединен с разрядной шиной, шину выборки, шину считывания, а также резисторы.

Недостатком этого элемента памяти является сложность конструкции.

Целью изобретения является упрощение элемента памяти.

Поставленная цель достигается тем, что в элемент памяти, содержащий ти" ристор, транзистор записи, эмиттер которого соединен с шиной записи, шину выборки и шину считывания, введен диод, анод которого подключен к эмиттеру транзистора записи, а катодк управляющему электроду тиристора и коллектору транзистора записи, база которого подключена к аноду тиристора и к шине выборки, а шина считывания подключена к катоду тиристора.

На чертеже показан предлагаемый элемент памяти.

Устройство содержит тиристор 1, анод которого подключен к шине 2 выборки и к базе транзистора 3 запмси, диод 4, соединенный катодом с управляющим входом тиристора и с коллектором транзистора записи. Катод тиристора подключен к шине 5 считывания.

88820

Формула изобретения

ВНИИПИ Заказ 10732/16

Тираж 648 Подписное

Анод диода 4 подключен к эмиттеру транзистора записи и к шине 6 записи.

Элемент памяти работает в трех режимах: хранения, считывания и записи информации, В режиме хранения между шинами 2 и 5 устанавливают напряжение достаточное для поддержания бистабильного состояния тиристора 1. Величина тока 1ð хранения, протекающего через включенный тиристор, выбирается минимально допустимой (1-3 мкА), Если тиристор включен (логический "0"), то по цепи, шина 2 - тиристор 1 - шина 5 протекает ток хранения, а транзистор 3 и диод 4 закрыты.

В режиме считывания повышается потенциал (относительно режима, хране,ния) одновременно на шинах 2 и 6.

Если транзистор находился во включен-. ном состоянии, то повышается потенциал на шине 5. Если в режиме хранения тиристор был выключен (логичес- кая "1"), то потенциал на шине 5 не изменится. Таким образом, состоя-. ние элемента памяти различается зна", чениями величины напряжения на шине 5. Транзистор в этом режиме закрыт.

После считывания информации снижается потенциал на шинах 2 и 6, и элемент памяти возвращается в режим хранения, не изменяя своего состояния, П и записи логической I "1" понижар

35 ют потенциал. на шине 4, а на шине 6 повышают. При этом на управляющем входе повышается потенциал и тиристор быстро выключается, При повышении потенциала на шине. 2

4В и понижении потенциала на шине 6 элемент памяти переходит в режим

4 хранения. При записи логического "0" повышают потенциал на шине 2, а. на шине б понижают. Транзистор 3 открывается и током sro коллектора включается тиристор. При возвращении потенциалов к исходным элемент памяти переходит в режим хранения. Информация в элементе памяти может храниться при наличии питания неограниченно долго (в отличие от тиристорных динамических ячеек, требующих регенерации информации). На основе этого элемента памяти при использовании современной технологии и микроэлектроники можно создать оперативные статические ЗУ с большой информационной емкостью.

Элемент памяти, содержащий тиристор, транзистор записи, эмиттер которого соединен с шиной записи, шину выборки и шину считывания, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью упрощения устройства, в него введен диод, анод которого подключен к эмиттеру транзистора записи, а катодк управляющему электроду тиристора и коллектору транзистора записи, база которого подключена к аноду тиристора и к шине выборки, а шина считывания подключена к катоду тиристора, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

Electron i sche Recheran1agen

Н6, и 7,, 1965 293.

2. Зарубежная электронная техника, 1974, М 12, с.38 (прототип) Филиал ППП "Патент", r.Óæroðîä,óë.Ïðîåêòíàÿ,4