Сегнетоэлектрический керамический материал

Сегнетоэлектрический керамический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскик

Соцналнстнческнк

Республик

ОПИСЛНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пп897757 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 130380 (21) 2919069Л9-33 (51)М. Кл.

С 04 В 39 00 с присоединением заявки №

Йаударстееииый комитет

СССР (23) Приоритет—

Опубликовано 1501.82 . Бюллетень № 2

Дата опубликования описания 150132 да делам изобретений и открытий (53) Уд К 666. 655 (088. 8) (72) Авторь1 изобретения

С. И. Урбанович и Л. Г. Никифоров

Э(:й .

Рыбинский авиационный технологический и (7l) Заявитель (94) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ

МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к керамике и может быть использовано в радиоэлектронике, преимущественно для изготовления конденсаторов.

Известны сегнетоэлектрические материалы на основе ниобата свинца (1 ).

Недостатком указанных материалов являются относительно высокие температуры обжига.

Наиболее близок к предложенному сегнетоэлектрический керамический материал 1 2), содержащий, мас.1:

РЬО 68 33

Z12.О 1,14 4 п 30,52

Этот материал имеет кристалличе скую структуру типа пирохлора и сле дующие электрофизические характеристики:

Температура Кюри, С+80

Величина диэлектрической прЬницемости при комнатной температуре 200

Недостатками указанного материала являются относительно высокая температура спекания — до 1t>r0 С, низкое значение диэлектрической проницаемости, невысокое значение температуры Кюри.

Цель изобретения - снижение температуры спекания и повышение диэлектрической проницаемости и точки

Кюри. 10

Поставленная цель достигается тем, что известный сегнетоэлектри" ческий керамический материал, содержащий РЬО, Nbg0 g " L tg О, дополнительно содержит Zr0 при следующем соотношении компонентов, мас.4:

Pd0 67,0 - 69,0

Li20 1,0 - 2,0

Zr0g. 0,1 - 0,5

Nb20 Остальное

В табл 1 представлены примеры сегнетоэлектрического керамического материала.

897757

Nb2 O5- гго

Li 0

Смесь, PbO

30,43

68,33

0,1

1,14

68,33

0,3

30,23

68,33

67,00

69,00

0,5

30,03

0,5

30 «50

2,00

0,1

29 «90

1,00

Т а бл и ц а 2

Величина диэлектрической проницаемости при 20оС

Температура

Удельное сопротивление, Ом- см

Тангенс у гла диэлектрических потерь

Кюри, С

Смесь, 14«

3,8. 10

400

540

4 0.109

3,6. 10

3,7 l0

560

392

380

510

430

4,1. 10

375

520

Формул а и зобрет ения

В качестве исходных реактивов используют: PbCOg марки "ч", ИЬ О— экстракционная и ионообменная.

Все исходные смеси приготавливают смешиванием в течение 1 ч в фарфоровой ступке со спиртом. Первый обжиг проводят при 800 С (в муфельной печи с выдержкой в течение 2 ч при этой температуре. Второй обжиг - в аппарате высокого давления по обычной методике: доведение давления до значения 40 - 80 кбар, включение нагреСегнетоэлектри ческий керамический материал, содержащий РЬО, Nb>o< и

Li@0 отли чающий ся тем, что, с целью снижения температуры вателя и нагрев образца до 800 С, вы держка в течение 5 мин при этой температуре, отключение нагревателя и быстрое снижение давления.

Полученные таким образом образцы имеют достаточно правильную форму диска и пригодны для проведения исследований их диэлектрических свойств.

В табл 2 представлены характери1о стики электрофизических свойств сегнетоэлектрического керамического материала.

Таблица 1

3,4. 10

3 1. 10

3,8. 10

0 3

3,6. 10 спекания, повышения диэлектрической проницаемости и точки Кюри он допол55 нительно содержит 2гД при следующем соотношении компонентов, мас.4:

PbO 67,0 - 69,0

Li@O 1,0 — 2,0

897757

Составитель H. Фельдман

Редактор Л. Веселовская Техред Т. Иаточка Корректор И. Шароши

Заказ 11858/32 Тираж 639 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4!5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

2г0.2 0,1 - 0,5

"bQ.05 Остальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе б

1. Патент США ¹

252-62.9 1956.

2. Канышев А. Г. и др. КристаллограФия. T. 21, вып. 4, 1976, с. 838.