Ионоселективный мембранный электрод
Иллюстрации
Показать всеРеферат
О. К. Стефанова, Н. В. Рождественская, В.
Е. А. Матерова, B. А. Долидзе, А. H. Хуци
3. Ф. Кирпичникова и В. В. Плетйева (72) Авторы изобретения (71) Заявитель
I (54) ИОНОСЕЛЕКТИВНЫЙ МЕМБРАННЫЙ ЭЛЕКТРОД
Изобретение относится к ионоселективным электродам на основе нейтральных переносчиков и предназначено для определения, например, ионов аммония и калия в водных средах.
Известны ионоселективные мембранные электроды, состоящие из псливинилхлоридного корпуса, на нижнем конце которого приклеена индикаторная мембрана, состав которой определяется природой контроли1О руемого иона. Внутрь корпуса заливается водный раствор определенног о ионного состава. В корпус ввинчивается токоотво; дящий полуэлемент (l3 .
Такие электроды не могут быть npuf5 менены в биологии и медицине из-за больших габаритов вследствие наличия жидкостного наполнителя.
Наиболее близкими к изобретению являются мембранные электроды с твердым электронным проводником и мембраной на основе нейтральных переносчиков, импрегнированных в полимерную матрицу с помощью пластификаторов. Полимерная матрида непосредственно контактирует с твердым токоотводом 2
Электроды показали достаточную воспроизводимость значений потенциалов, но неудовлетворительную стабильность показания во времени. Это вызывает необходимость ежедневно калибровать электроды. Время жизни таких электродов невеJIHKo - oKoJIo месяца.
Целью изобретения является повыше ние стабильности показаний электрода.
Поставленная цель достигается тем, что в ионоселективном мембранном электроде с твердым электронным проводником и мембраной на основе нейтральных переносчиков, импрегнированных в полимерную матрицу с помощью пластификаторов, между электронным проводником и ионоселективной: мембраной последовательно размещены в направлении к мембране промежуточные слои (не менее двух) из электронопровод".щего вещества, вещества, образующего буферную систему по рН и рМ, вещества, составляюще
3 8983 го окислитепьно-восстановительную систему.
Промежуточные слои между электронным проводником и ионоселективной мембраной последовательно содержат, вес.%:
1 слой
Эпектродноактивное вещество 34,0-40,0
Вещество, составляющее окислитепьно-вос- 19 становительную систему 28,0-35,0, Вещество, образующее буферную систему по рН 1,6-2,0
Вещество, образующее !3 систему по рМ 3,4-4,0
Электронопроводяшее вещество
25,4-26,6
ЗЕ
45,0-53,0
4,0-6,0
11 спой
Эпектродноактивное вещество
Вещество, составляющее окислитепьно- восстановительную систему
Вещество, образующее буферную систему по рН
Вещество, образующее буферную систему по рМ 7.,5-12,5
Электронопроводящее вещество 14,5-15,5 уй
На чертеже представлен элеи род, осевое сечение.
Электронный проводник 1, выполненный в виде графитового стержня, заключен в трубку 2 из пластифицированного поливинилхлорида. С одного конца к электронному проводнику 1 крепится медный провод 3, а на другой конец проводника между ним и мембраной 4 наносятся про межуточные слои 5 и 6 (не менее двух).
Итак, рабочая часть электрода состоит из нескольких слоев, включающих электродноактивное вещество, вещество, составляющее окислительно-восстановительную систему, вещество, образукицее буферную систему по рН, вещество, образующее буферную систему по рМ, электронопроводящее вещество.
Слои мембраны готовят следующим образом.
Компоненты мембраны - электродноактивное вещество - растворяют в циклогексаноле, в эту массу добавляют последовательно редоксит ЭО-7 или гем (в .качестве вещества, составляющего окислительно-восстановительную систему), смолу КУ-2 i в Н- и М- формах (в качестве веществ, образующих буферную
32,0
3,4
5,0
Полученные таким образом электроды выдерживают еше 24 ч для высыхания третьего мембранного слоя (попного удаления растворителя - циклогексанопа), после этого электрод готов к работе.
Изготовление мембраны описанным способом обусловлено необходимостью плавного перехода от электронной к ионной проводимости. Поэтому первый слой мембраны, контактирующий с электронным проводником, составлен так, что обеспечивает высокую электронную проводимость и определенную ионную составляющую, второй спой - большую ионную про
t4 4 .систему соответственно по рН и pM), сажу (в качестве электронопроводяшего вещества) .
Смесь со следующим соотношением компонентов, вес. %:
Компоненты мембрамы 37,0
Оки слит епьно-восстановительная система» редоксит ЭО 7
Буферная система по рНКУ-2 в Н-форме 1,6
Буферная система по рМКУ-2 в М-форме
Электронопроводяшее вещество - сажа 26,0 тщательно перемешивается на магнитной мешалке в течение 1 ч при комнатной температуре. Эта масса наносится на электронный проводник в качестве первого слоя (толщина слоял>0,5мм). Массе дают возможность высохнуть, после чего наносят второй спой, толщина которого также 0,5 мм, а соотношение компонентов следующее, вес. %:
Компоненты мембраны 49,0
Окислительно-восстановительная системаредоксит ЭО-7, гем 21,0
Буферная система по рН вЂ” КУ-2 в Н-форме
Буферная система по рМ - КУ-2 в М-форме 10,0
Электр онопроводяшее вещество - сажа 15,0
Второму спою также дают воэможность просохнуть (24 ч).
Затем наносят третий спой - собственно ионоселективную мембрану. Последняя
I готовится уже известным способом, путем растворения и смешивания полимера (попивинилхлорида), ппастификатора (дибутилфталата, диокстилфгалата и т. д,) и нейтрального переносчика при перемешивании и нагревании до 40-45 С.
5 водимость (при наличии электронной составляющей), третий слой полностью состоит из электродноактивного вещества и имеет лишь ионную проводимость. Последний слой (чувствительная мембрана) э непосредственно контактирует с исследу мым раствором. Таким образом обеспечивается перекоп от электронной проводимости к ионной и обеспечивается высокая стабильность потенциала электрода. IO
898314
34-40
28-35
1,6-2,0
3,4-4,0
25,4-26,6
В слой
Компоненты мембраны 45-53
Оки слит ельно-восста.— новительная система 18-24
1$ Буферная система по рН 4,0-6,0
Буферная система по рМ
Электронопроводящее
2Ф вещество 14,5-15,5
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Ионоселективные электроды. Под
25 ред. P. Йарста„1972, с. 68-69.
1.И.й гЮа Copper (t) МВИ4в myregna1е4 уЬоопе abber петпbeane саеЕВесЫче e9sct o8e ог соррег я) оп,та9аеta л, 1970, р. 993.
7,5-12,5
Составитель И. Рогаль
Редактор М. Пяткина Техред М. Надь Корректор А. Ференц
Заказ 11939/60 .. Тираж 882 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4.Формула изобретения
Ионоселективный мембранный электрод, содержащий токосъемник с нанесенной на него мембраной на основе нейтральных переносчиков, пластификатор и связующее,,о т л и ч а ю щ и и с s тем, что, с целью повьппения стабильнос« ти измерений, между токосъемником и мембраной поспедовательно размещены по крайней мере два промежуточных слоя, содержащие компоненты мембраны, окислительно-восстановительную систему, буферную систему по рН и рМ, электронопроводящее вещество, нерастворимые в воде, при следующем соотношении компонентов, вес. %:
4 слой
Компоненты мембраны
Окислительно-восстановительная система
Буферная система по рН
Буферная система по рМ
Электро нопроводящее вещество