Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках

Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 28.04.80 (21) 2921576/18 24 с присоединением заявки М (23.) Приоритет

Опубликовано 15.01.82. Бюллетень !тт 2 (53)М. Кл.

G 11 С 5/02

iЬа)iдврст Всквь!в Ко MIIT9T

СССР ва делан кзабратакнй н аткрыткй (53) УДК 681. .327.66 (088.8}

Дата опубликования описания 18.01.82

П.. Г. Василенко (72) Автор . изобретения

I ! !

f (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮШЕЙ МАТРИЦЫ

НА ФЕРРИТОВЫХ СЕРДЕЧНИКАХ

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к технологии изготовления блоков памяти на ферритовых сердечниках.

Известен способ изготовления запоминающих матриц на ферритовых сердечни5 ках, который основан на размещении и закреплении магнитных сердечников между нижним и верхним основаниями платы и последующем выполнении обмоток и соединений между ними методом печатного монтажа, при этом нижнее основание платы с цилиндрическими втулками выполняют из двух слоев разных материалов с отверстиями, а верхнее основание с отверстиями выполняют из материала нижнего аллоя нижнего основания, на наружные

Поверхности оснований платы н отверстий наносят проводящий слой с низким электросопротивлением, растворяют верхний слой нижнего основания платы, íà соот ветствующие проводящие втулки надевают магнитные сердечники, совмещают торцы

IIpoBoQ5IBlHx втулок с отверстиями Верх, него основания, создают электрические контакты между ними гальванической сваркой и производят заливку компаундом объема между основаниями платы (11.

Недостатком данного способа является сложность его практической реализации в случае изготовления плат с сердечниками, диаметр отверстия которых составляет

0,4 мм и менее. В этом случае при изготовлении верхнего и нижнего оснований платы предъявляются высокие требования по соосности отверстий и втулок и по равновысотности проводящих цилиндрйческих втулок. Операция позиционирования сердечников на проводящих втулках является трудоемкой и может сопровождаться повреждением втулок, что снижает надежность платы магнитных сердечников.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ изготовления запоминающей матрицы, заключающийся в создании ттористой структуры s стеклянной подложке, создании

8985 диэлектрических участков, введении в пористую структуру магнитного материала, формировании в полученных магнитных объемах сквозных отверстий для проводников записи и считывания, создании про- водников записи и считывания внутри сквозных отверстий и на поверхности подложки 2,,.

Недостатками извес rHoro способа являются сложность обеспечения воспроизво- о, димости магнитных параметров формиру емых в пористых объемах подложки микросердечников, низкий процент выхода годных матриц, так как контроль параметров возможен только после изготовления матрицы памяти по полному цик« лу

Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающей матрицы. 36

Поставленная цель достигается тем, что, согласно способу изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках, заключакицемуся s установке н закреплении ферритовых сердечников на О плате, образовании сквозных отверстий в плате в месте установки ферритовых сердечников, в формировании проводящих слоев внутри сквозных отверстий и на поверхностях платы запомннающей маг- 36 рицы, феррнтовые сердечники закрепляют путем запрессовывания на основании из сухого пленовного фогорезистора, нагретого до 60-О0 С, зйгем выступающие части ферриговых сердечников у напрессовывают другой слой сухого пленочного фоторезнста, нагретого до температуры сухого пленочного фоторезисга, образукицего основание.

На фиг. 4. изображен фрагмент магри40 цы памяти, вид сверху; не фиг. 2 - 4» схема, поясняющая способ изготовления матрицы памяти.

Матрица (фиг. 1) состоит as сердечников 1 в слое сухого пленочного фоторезисга 2 с участками проводников 3 на одной его поверхности н участками проводников . 4 на противоположной стороне (изображены пунктиром), соединяемых

s законченные координатные обмогки уча» © сгками проводников, сформированными на поверхностях сквозных отверстий 8.

Ряд сердечников 1 матрицы. (фиг.2) . запрессованы примерно на половину их высоты в слой сухого пленочного фотореэиста 2, который помещен на основание 6, температура которого может регулироваться.

00 4

Ряд сердечников l матрицы (фиг 3) полностью эапрессованы в слой сухого пленочного фоторезиста после операции напрессования второго слоя фотореэиста на выступающие части сердечников из первого слоя фоторезиста.

Сердечники 1 на фиг. 4 изображены в слое сухого пленочного фотореэиста, в котором вскрыты сквозные окна 5 в огверстиях сердечников.

Способ осуществляется следующим образом.

На нагреваемом основании 6 (фиг. 2) фор.мируют слой сухого пленочного фоторезиста 2 толщиной не менее половины высоты сердечника. Йля исключения задирания слоя сухого пленочного фоторезиста с поверхностью нагреваемого основания на последнем предварительно формируют тонкую защитную пленку, например из приборного масла. После пятиминутной выдержки слоя сухого пленочного фотореэиста на основании при 6090 С производят запрессовку в него маг— о нитных сердечников по требуемой схеме.

Эта операция не сопровождается разрушением сердечников, поскольку реакция со

3 ° гопоны вязкого при этой температуре огорезиста на несколько порядков мень» ше усилия излома сердечника.

Сердечники могут быть эапрессованы в слой фоторезиста как индивидуально, так и групповым методом.

После этого на выступающие иэ слоя сухого пленочного фоторезиста сердечники напрессовывают предварительно нагретый до темпера1уры 60-80 (, второй слой фоторезиста толщиной не менее половины высоты сердечника до соприкосновения его с поверхностью первого слоя фогорезиста. Эту операцию можно выполнить путем наложения на выступающие части сердечников второго слоя сухого пленочного фоторезис| а, сформированном на HpyroM нагреваемом основании. Затем. фоторезистивный слой с запрессованными в него магнитными сердечниками снимают с основания, экспонируют и вскрывают сквозные окна 5 в отверстиях сердечников 1 1фиг. 4) путем обработки экспонированной фоторезистивной платы в проявляющем растворе.

После этого вакуумным напылением через свободную маску сначала на одной поверхности фоторезистивной платы, а затем на противоположной формируют пленочные проводники. Одновременно формируется проводящая пленка и на поверхности отверстий, чем достигается объе5 8 динение участков пленочных проводников на поверхностях фоторезистивной платы в законченные обмотки управления. Иля уменьшения активного сопротивления обмоток может быть произведено гальваническое наращивание . меди или другого металла на пленочные проводники на поверхностях фоторезистивной платы и отверстий.

Преимуществом предлагаемого способа является простота его практической реа лизации.

Использование сухого пленочного фоторезиста в качестве материала платы позволяет совместить операции закрепле» ния сердечников в плате и заливки сердечников в компаунд.

Вследствие отсутствия операпии кондипионирования сердечников напроводящих втулках исключена возможность повреждения обмоток управления, что уменьшает объем работ по восстановлению работоспособности матрицы.

Формула изобретения

Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках, за98500 d ключающийся в установке и закреплении ферритовых сердечников на плате, образовании сквозных отверстий в плате в месте установки ферритовых сердечников в формировании проводящих слоев внутри сквозных отверстий и на поверхностях платы запоминающей матрицы, о т л и ч à e— шийся тем, что, с целью повышения надежности изготовления запоминающей

10 матрицы, ферритовые сердечники закрепляют путем запрессовывания на основании из сухого пленочного фаторезиста, нагретого до 60-80 С, затем на выступающие части ферритовых сердечниковнапрессовывают другой слой сухого пленочного фоторезиста, нагретого go температуры сухого пленочного фоторезиста, образующего основание.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

N 485497, кл. G 11 С 5/12, 1973.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке Хю 2911289/18-24, кл. G ll С 5/1;2, 21.04.80 (прототип).

808500

Составитель В. Вакар

Редактор А. Йолинич Техред д. Пекарь Корректор B. сутяга

Заказ 1 l958/69 Тираж 623 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4