Материал для резисторов

Материал для резисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (in898517 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.05.80 (21) 2925142/18-21 с присоединением заявки М— (28) Приоритет (5l)M. Кл.

Н 01 С 7/00 государственный камнтет

СССР по долам нзабретеннй н открытнй

Опубликовано 15.01 82. Бюллетень М 2

Дата онубликоваиия описания 15,01.82. (53) УДК621.396..69 (088.8) 1

) кова

3. М. Пуронене, В. Г. Красов, Г. В. Турчина, E

Н. Н. Чигоннн, Г. Н. Пушкина, Н. Д. Колдашов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ РЕЗИСТОРОВ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для получения толстопленочных резисторов.

Известен резистивный материал, содержащий мас.%: гидрооксихлорид рутения 2,2 — 19,25,: свинцовоборосиликатное стекло 57,7 — 74,7 и орS ганнческая связка 20,1 — 26,05 (1).

Недостатком данного материала является невозможность получения на его основе толстопленочных резисторов с сопротивлением выше

300 Ом/кВ и высокие значения температурного коэффициента сопротивления (ТКС) (до

500 10 б 1/ С).

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является материал для резисторов, содержащий окись свинца, двуокись

15 кремния, двуокись рутения (2).

Недостатком этого материала является высокое значение температурного коэффициента сопротивления (до 560 10 1/ С) н низкая

-20 (до 3%) стабильность сопротивления при повышеннсу влажности.

Целью изобретения является снижение температурного коэффициента сопротивления и улучшение температурной стабильности резисторов при повышенной влажности.

Поставленная цель достигается тем, что материал для резисторов, включающий окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, дополнительно содержит окись индия при следующем количественном соотношении, мас.%:

Окись свинца PbO 65-82

Двуокись кремния $ 0 9,5 — 23

Двуокись рутения RuOq 2,0 — 8,0

Окись индия In20з 0,5 — 20

Введение в состав материала для резисторов окиси индия позволяет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 1 мГОм до 20 мГОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влажности (98%) не более й1% и ТКС не более

1ОО 1О- i/ Ñ.

Пример. Порошкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись индия тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки, Таблетки по. мешают в корундовый тигель и проводят син%

8517 4 нической связкой, наносят на подложки из керамики "22ХС" и вжигают в конвейерной печи при 800 — 850 С, Приготовляют четыре состава предлагаемого материала для резисторов.

Соотношения исходных компонентов материала и электрофизические характеристики полученных резисторов приведены в таблице. опротивление, Ом/кв ТКС, 1/ C 10 6 Стабильпри 25-125 С ность, %

Составы

Предлагаемые

1,6 106

6,3- 10

20-10

15 106

23 65 2

9,5 82 8

16 72 2 43

9. 68 3

10 — 100

Ю,97

0,5

+100

7,5 — 98

+1,0

+99

Ю,96

+2,8

Известный

24 71 5 †5

Из таблицы следует, что предложенный материал при указаш ых соотношениях компонентов позволяет получать резисторы с температурным коэффициентом сопротивления в

5,6 раза ниже и стабильностью в 2,8 раза вы- ше, чем у известного.

Предложенный материал позволяет заменить известные материалы на основе серебра— палладия.

Использование предложенного материала увеличивает выход годных толстопленочных элементов и улучшает параметры резисторов.

Материал для резисторов, содержащий окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, \

Составитель Н. Кондратов

Редактор А. Долинич Техред С.Мигунова

Корректор М. Демчик

Заказ 11960/70 Тираж 757

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 89 тез в муфельной печи при 950 — 990 С в течение 0,5 — 10 ч, l

Синтезированный материал измельчают в планетарной мельшще в течение 10 ч. Полученные мелкодисперсные порошки резистивной композиции тщательно перемешивают с opraСодержание компонентов мас%

$10 PbO Ru02 In> 03

Формула изобретения отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и улучшения температурной стабильности резисторов при повышенной влажности, он дополнительно содержит окись индия при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:

Окись свинца Pbo 65-82

Двуокись кремния $ 0 9,5 — 23

Двуокись рутения RuO> 2,0 — 8,0

Окись индия !пэОэ 0,5 — 20

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР N 491161, кл. Н 01 С 7/00, 05.11.75.

2. Патент CIIIA N 3951672, кл. 106 — 53, 20.04.76 (прототип) .