Одновибратор

Одновибратор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советски к

Социалмстическмк

Ресяубпмк

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

< >898596 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) 3aa aeeso 04. 04. 74 (21 )201 3984/18-21 с присоединением заявки М (23) Приоритет (5I)M. Кл.

Н 03 К 3/284 1оудорстаииый комитет

СССР до делам изобретений и открытий

Опубликовано 15.01. 8?, Бюллетень № 2

Дата опубликования описаиия15. О) . 82 (53) УДК 621.374. .5 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. Е. Светличный и В. Н. Дыче(око" ь (71) Заявитель (54) ОДНОВИБРАТОР

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в устройствах для формирования временных задержек и импульсов различной длительности.

Известен одновибратор с коллекторно-базовыми связями на двух транзисторах, в котором времязадающим элементом является конденсатор, включенный между коллектором нормально закрытого и базой-нормально открытого транзисторов !).

Однако этот одновибратор не позволяет использовать кремниевые транзисторы на полное коллекторное напря- 1 жение, так как у них сравнительно невелико допустимое обратное напряжение перехода эмиттер-база;

Наиболее близким к предлагаемому является одновибратор на кремниевых и .р-и транзисторах, содержащий конденсатор в цепи обратной связи коллектора нормально закрытого с базой нормально открытого транзистора 2).

Однако в таком одновибраторе нет защиты перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратным напряжением. Включение параллельно его переходу эмиттер-база защитного устройства приводит к значительному снижению длительности формируемого импульса иэ-за уменьшения постоянной времени цепи разряда времязадающего конденсатора.

Цель изобретения защита перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратным напряжением и увеличение длительности формируемого импульса.

Поставленная цель достигается тем, что в одновибраторе на кремниевых пр "и транзисторах, содержащем конденсатор в цепи связи коллектора нормально закрытого транзистора с базой нормально открытого транзистора, между базами транзисто3 . 89859 ров введен стабилитрон, напряжение стабилизации которого меньше допустимого обратного напряжения перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора, подключенный катодом к базе нормалвно закрытого транзистора.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема одновибратора. 10

Одновибратор содержит два кремни"

> евых и "р-и транзистора 1 и 2, ста-, билитрон 3, включенный между базами транзисторов, резисторы 4-6 в коллекторных и базовых цепях транзисторов, конденсатор 7, включенный между коллектором транзистора 1 и базой транзистора 2, и диод 8 в базовой цепи транзистора 1.

Одновибратор работает следующим образом.

В исходном состоянии транзистор

1 закрыт, транзистор 2 открыт, а конденсатор 7 заряжен практически до напряжения источника питания + E. д

При подаче через диод 8 положительного запускающего импульса транзистор 1 открывается, напряжение -на

его коллекторе падает, а напряжение на базе транзистора 2 за счет за- 0 ряда, накопленного конденсатором 7, становится отрицательным. Напряжение на коллекторе транзистора 2 повышается и через делитель., состоящий из резисторов 5 и 6, поддерживает транзистор 1 в открытом состоянии. Когда отрицательное напряжение на базе транзистора 2 достигает уровня пробоя стабилитрона 3, последний начинает пропускать ток, уменьшающий ток базы транзистора 1, что приводит к повышению напряжения на его коллекторе, Устанавливается динамическое равновесие, при котором отрицательное напряжение на базе транзистора 2 определяется разностью напряжений на конденсаторе 7 и коллекторе транзистора 1 и практически не превышает уровня срабатывания стабилитрона 3. По мере

50 разряда конденсатора 7 ток базы транзистора 1 возрастает, напряжение на его коллекторе уменьшаетея, а напряжение на базе. транзистора 2 остается постоянным. При дальнейшем разряде конденсатора 7 стабилитрон 3 выключается и отрицательное напряжение на базе транзистора 2 уменьшается по экспоненциальному закону в соответствии с напряжением на конденсаторе 7 до возвращения схемы в исходное состояние.

Таким образом, предложенный одновибратор дает возможность формирования импульсов е амплитудой, практи чески равной допустимому коллекторному напряжению кремниевого транзистора, при полностью исключенной возмощности пробоя перехода эмиттер-база нормально открытого транзистора.

Кроме того, одновибратор позволяет повысить длительность формируемого импульса.

Формула изобретения

Одновибратор на кремниевых и -р-и транзисторах, содержащий конденсатор в цепи связи коллектора нормально закрытого транзистора с базой нормально открытого транзистора, отличающийся тем, что, с целью защиты перехода эмиттер-база закрытого транзистора от пробоя обратным напряжением и увеличения длительности формируемого импульса, между базами транзисторов введен стабилитрон, напряжение стабилизации которого меньше допустимого обратного напряжения перехода эмиттербаза нормально открытого транзистора, подключенный катодом к базе нормально закрытого транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Будинский Я.Транзисторные ереключающие схемы. М., "Связь", 1965, с. 376, рис. 280.

2. Патент ФРГ - 1275111 кл. 21а 36/02. (прототип).

898596

Составитель И. Горелова

Редактор Т. Веселова Техред А.Бабинец Корректор Л. Бокшан

Заказ 11968/74 Тираж 953 Подписное.

ВНИИПИ Государственного комитета СССР чо делам изобретений и открытйй

113035, -Москва, )K-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4