Микротрон

Микротрон

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

pi>898628 г» С, л ф г

=-Х .",г (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 2304.80 (21) 2912743/18-21 (51) М. Кп. з с присоединением заявки Мо— (23) Приоритет

H 05 H 7/08

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий ($3) УДК 621. 384. 6 (088.8) Опубликовано 150182 Бюллетень ¹ 2

Дата опубликования описания 15.0182 (72) Авторы изобретения

И.B Àëåêñååâ и В.П.Степанчук

I

Научно-исследовательский институ механикй.и;физики: 1 М."-государственном университете им.Н.Г.Чернышевского (71) Заявитель (54) MHKPOTPOH

Изобретение относится к ускорительной технике и может быть использовано при создании как исследовательских, так и технологических микротронов.

Известен микротрон,содержащий резонатор (l).

В этом устройстве катод инжектора расположен в области действия переменного ускоряющего поля резонатора, и эмиссия с катода значительна в широком диапазоне фаз ускоряющего поля, что с одной стороны приводит к перенапряженному режиму работы инжектора, а с другой к большой паразитной нагрузке резонатора нерезонансными электронами.

Наиболее близким к предлагаемому является микротрон, содержащий магнит и резонатор с общей медианной плоскостью и отверстием для инжекции в резонаторе, а также расположенный вне резонатора инжектор-группирователь (2).

Наличие расположенного вне резонатора инжектора-группирователя делает нагрузку на его катод более равномерной и обеспечивает экономичное использование всего электронного тока. Однако это требует осуществления инжекции пучка в резонаторе через антимагнитный канал. Кроме того, для известного микротрона ха5 рактерен узкий диапазон режимов работы, что обусловлено сложностью перестройки при наличии антимагнитного канала.

Белью изобретения является расширение диапазона режимов работы микротрона.

Поставленная цель достигается тем, что в микротроне, содержащем магнит и резонатор с общей медианной плоскостью и отверстием для инжекции в резонаторе, а также расположенный вне резонатора инжекторгруппирователь, ось инжектора-группирователя ориентирована перпендикулярно медианной плоскости микротрона, а микротрон снабжен парой отклоняющих электродов, расположенных в месте пересечения указанных оси и плоскости напротив отверстия для инжекции в резонаторе, при этом средняя плоскость отклоняющих электродов совмещена со взаимно перпендикулярными осями инжектора-группирователя и отверстием для инжекции в резонаторе..898628 —:-.1 и>= =., и лаос

= .>:.,;, .>р,, ь отклоняю" взаимно

„=-т: T .," 1Э Э>.—.ii< : 1.;.:.>= > . й! .р

В : Р ООК-1 .

<> =тГ-- -,— Я ,.а ) тт

pc>

ФкГ. -" на фиг.1 изображен резонаср пптрона, г. !рт со стороны расположефиг.2 — микротрон,,ной плоскости.

? резонатор 1, .!ель 2, например,,с.:т, ... систему.откло . > ; !1 h c> I?E<, ... ., > .:<а 1 В

=."! и плоскостH, ocI-. перпендикуляр: = ей, направлена навстречу магнитному полю В и параллельна направлению движения электроде в инжекторе 2

Последний сор<яр>><"-. .: ..-Очник постоянНОГО НаПРЯжа!1:.1; ;.=.. ННОй тт> H ПЕРЕ.1ЕННОГО C: аЬ1П<1;. !" щн электродам 3 ITp>->: <а - =::.сот янi! ç = н.а.пряжение Ч, оба ОII=-:р!в «.=ü

11ряженность поля в .: =GpB .!е>1 . и — ми Ih<, котQt o:;c:- —.1::.. вг:ено вдо>.ь

ОСИ ) ..

Устройствс работает следующим обрттзом.

IIov, tt,t= ."!c. тв>...т=> r 1 ° ?oh< l ГО Н НHjPЯжЕ - >. ... IHÕ<

i ускот-.яа,::, д<:. oi. >рости Vg и даН.-:; >1.1>-!1!т- „Ютов В СГУСТКИ И ПОД ДЕйст.-вие скрещертвы>к г!Олей В и Е дрей>;Ют В ННПРаз.-.= .-т=:.. ;.OИ У, ВВОДЯТСЯ В .i C>HicV i; i:i 1 -.. Ь = Х... .." h="!<>TC. я в прОЦ<. O

СС РЕЗОНаНСНО> g С! ОРЕ<1Р1Я. "

Варвнр ; в; —; - . - -,-.., т>, <>(, !

ВНИИПИ Заказ 11976/75

Тираж 855 Подписное

Филиал ППП "Патент", г,ух<город,ул.Проектная,4, .> Ho1- ....: .......,.,; ....>артном расHOJIO>i<т! i i, ", Н !! >>> Рс! !. Е>т<)! оказывает пслезно т .!..>; действие на эле! 1?1эс..>,:.. >;i: H. уi<азаннь е ОООC>ен! i ... !,. с>боты Даннот и гликротрона Обе<.!1 . ..::..i возможноств тс -:t-..oH;1 - .. ...раком диапазоЖ>т ..>у 1= 1: ЗОВ1>Э : ИЯ

Иикротрон, ooäåp>I HITCHé i !.>агннт и резонатор с общей ме;:; :=нной плос,,...Стт...: - -;-.,-т-„.. >? 1...:.<. т,;?,...1Нж "Р НИИ В

< т . ...-... ° -.--- .- .- -О>1 ->? ай !т ..

i 1! !рн

/...—.! тор>:- С i:!!1т1-О»с < .т ;., на i-Iepi-I Hдикулярно м=-<<.:,-<нк !

< Сстн !.!11"": Отр>ОН с! ". !"

Отверстия для нн>!<е1<ци- в

h - > при этом средняя плоскост

ЩI1Х ЭЛЕКт ЭОДОВ СОВМ,=..1 т;.= .! <У 1!!1Н1 в

?><Ет<ттттрт —,-; — = .- г" -—