Состав для обезжиривания

Состав для обезжиривания

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскмн

Соцмалмстмчесимк республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ к лвтоескомю свидютальствю 899620 (6 I ) Допол н и тел b ное к а вт. с вид- ву— (22) Заявлено 240380 (2() 2916292/23-26 с присоединением заявки М(23) Приоритет

Опубликоваио 230 (82. Ьюллетеиь .% 3

Дата опубликоваиия описания 230 1.82 (51)М. Кл.

С 09 K 3/32

Гоаударствснный квинтет

СССР ао делам изобретений и открытий (53) УДК 621.79. .026(088.8) (72) Авторы изобретения

H. И. Короткевич и В. Б. Залесский Ъ .

Институт электроники AH Белорусской СС, (71) Заявитель (54) СОСТАВ ДЛЯ ОБЕЗЖИРИВАНИЯ

Изобретение относится к полупровод никовой технологии и может быть использовано для очистки, например, полупроводниковых пластин при изготовлении интегральных схем.

Известны органические растворители, применяемые для обезжиривания в полупроводниковой технологии, s частности для удаления с поверхности полупроводниковых пластин остатков грубых органических загрязнений, применяемых для наклеивания пластин на полировальные диски, широко используется трихлорэтилен Е13, Однако трихлорэтилен плохо растворяет пицеин и пихтовый бальзам.

4з-за подверженности растворителя гидролизу, снижающему растворяющую способность трихлорэтилена, нельзя допускать попадания в него воды.

При гидролизе растворителя на очищаемой поверхности остается большое количество трудноудалимых ионов хло" ра, поэтому перед работой необходима

2 его стабилизация. Кроме того, для повышения эффективности обезжиривания необходимо нагревание растворителя. Трихлорэтилен при соприкосновении с пламенем, нагретыми предметами, а также при длительном действии света разлагается с образованием паров хлористого водорода и фосгена, в связи с чем не допускается его кипячение электрическими нагревательными

1О элементами, процесс требует сложного аппаратурного оформления, Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является состав для

15 обезжиривания, состоящий из перекиси водорода, аммиака водного и воды в соотношениях 1:1:4; 1:1:5; 1:1:6;

2:1:7. При температуре 75-80 С сос20 тав обезжиривает поверхность полупроводниковых материалов, растворяя воск, пицеин, пихтовый бальзам, глиф талевую и другие смолы и компаунды, минеральные масла и жиры и, связывая

899620

20 "50

50-80

Диамин

Перекись водорода

Пример 1 . Для приготовления состава для обезжиривания используют 1,2-диаминоэтан марки "хч" и . перекись водорода марки "осч". Компо- <> в комплексы ряд металлов I u II групп (Ag, Ni, Cu, Cd, Со и др,1, переводит примеси тяжелых металлов в растворимое состояние (2J.

Недостатком указанного состава является длительность и трудоемкость процесса очистки.

Для обезжиривания полупроводниковых материалов необходимо приготовить тройную смесь, состоящую из перекиси водорода, аммиака водного и воды, и обеспечить ее достаточное количество для полного погружения в нее очищаемого материала.

Для эффективности процесса обезжи- t5 ривания необходимо обеспечить нагревание смеси до 75"80 С, далее в горячий раствор погрузить полупровод"1 никовые пластины и выдержать их в смеси в течение 10 - l2 мин. Общее zo время, необходимое на очистку в перекисно-аммиачном растворе, составляет

25 - 30 мин.

Кроме того, необходимость создания условий для нагревания и конт- 2$ роля температуры раствора в промыш" ленных масштабах требуетесложного аппаратурного оформления и энергетических затрат.

Целью изобретения является сокра- 30 щение времени обезжиривания и упрощение процесса очистки.

Эта цель достигается тем, что состав для обезжиривания, включающий перекись водорода и азотсодержащий компонент, в качестве азотсодержащего компонента содержит диамин при следующем соотношении компонентов, об.4: ненты состава берут B следующем соотношении, об. 4:

Перекись водорода

Ди амин

По истечении активной цепной реакции процесс обезжиривания завершается, пластины промывают в потоке деионизированной воды и высушивают центрифугированием при 2500 об/мин.

Пример 2 . Для обезжиривания полупроводниковых пластин готовят состав, содержащий, об.9. :

Перекись водорода 75

Диамин 25

В приготовленный раствор комнатной температуры погружают кремниевые пластины и выдерживают в течение времени протекания активной цепной реакции, Инкубационный период, предшествующии реакции, составляет 20 - 30

У активная реакция, а следовательно, очист ка продолжается в те чение

5-2 мин.

Пример 3 . Перекись водорода и диамин смешивают в кварцевом стакане в соотношении 804 204 В полученный раствор помещают кремниевые пластины, время их обезвоживаний со; ставляет 1 5 - 2 мин.

Результаты определения качества очистки пластин предлагаемым и известным составами приведены в таблице.

Для эффективной очистки смешивают два реактива при комнатной температуре. Активная цепная реакция начи" нается через 5-6 мин после смешения и продолжается в течение 1 мин. При этом происходит активное пенообразование, поверхность пластин очищается.

Температура раствора достигает 117 С.

899620

* О

)Ч

Ю

» ф

z о

3)Ч

СЭ

)Ч

)Ф

Э Й

Ф Ъ б/

I(; 1 б \ х » ф--- 4Л б

Э

X 2

Х %

Э

У Я

X X с э

Э Р

Ф l

, о

Ю .ф

I I

)Ч а

1

I !

1 !

1

I

)

1 ! !

В

3

l

I

I

CO

Э К

Щ (((Ф

S S о а

Э S

=Т %

1 о а с с

Э .0 бX х

Ф

X к а ф

О о

iS

z

v

Э

IO

ЛС

° 3(I

c4 th

I

I !

1 о

l

I !

:I

I

1

I 1

I

I

1

I (I

1 (3 !

I

1

» 3

1

1

1

3

1 !

I

I а

*Z I3:

Ф S I»

ere

o I- e m

C. -O S O

oem а к о

I- S O. 5

OOCIIS

ЫХ Ф X

I Э 1

el= m

Q. Cl э о

Ф (- Я

Ф Ig е 1» а (- .6 IQ

o58z

vexz

Э фР() ь

LA Ч)

)Ч о 3

IO 3(В о о

3 CV

Ф

lA ф

)Ч CV

РО

-Ф - Ф

I (Ч CV

A Ю

О D а а

I (Ч

)Ч (CO

I

1

1

1

I

I !

I

I

I

1

I

1 !

1

1 !

I ( (!

I !

I (I

l

I

3

I

I

I

1 !

1

3

1

3

I

3

I

I

l

I (1

899620

20-50

Диамин

Формула изобретения

Составитель В. Сальников

Редактор И. Николайчук Техред М. Надь Корректор А. Дзятко

Заказ 12057/33 Тираж 657 Подписное

ВНИИПИ государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, MocKBa, >(-35, Раушская наб., д, 4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Из таблицы видно, что срок обеэжиривания уменьшается в 4 - 1О раз, при зтои увеличивается пенообраэование и число светящихся точек в поле зрения микроскопа и контроле вольтфарадных характеристик, свидетельствующих об эффективности очистки.

Таким образом, предлагаемый состав позволяет улучшить качество полупроводниковых пластин при изготовлении интегральных схем.

Состав для обезжиривания, включа» ющий перекись водорода и азотсодержащий компонент, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью сокращения ар мени обезжиривания и упрощения процесса очистки, в качестве аэотсодержащего компонента он содержит диамин при следующем соотношении компонентов, об.4:

Перекись водорода 50-80

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Федоров Л. П. и др. Производство полупроводниковых приборов.

M., "Энергия", 1979, с. 176.

2. Поляжек К. П. и др. Очистка поверхности кремниевых пластин растворами на основе Н О . Труды МИЭМ, 1974, вып. 40 (прототип).