Перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство

Перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОЛ ИСАНИЕ(»900316

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскнк

Социалистические

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свыд-ву (22)Заявлено 29. 02.80 (21) 2888360/18-24 с присоединением заявки,рв (23) Приоритет

Опубликовано 23.01 82. Ьктллетень М 3

Дата опубликования описания 25.01.82

{> 3<. Кл

G 11 С 17/00

Гоеударетееиый кеыитет

СССР ао лелем изебретеинй и аткрытий

{533 УЙК 681. .327.6(088.8) Б.Я. Розман, Л.Л. Утяков, Б.В. Шехватов и С.Н. Шустенко

I (72) Авторы изобретения

Институт океанологии им. П.П. Ширшова AH СССР (7! ) За я в и тел ь (54) ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ

УстРОИСтВО

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в автоматике и вычислительной технике, главным образом для хранения цифровой информации.

Известны перепрограммируемые запоминающие устройства (ППЗУ) матричного типа, выполнение в виде больших интенгральных схем на ИНОП (металлнитрид-окисел-полупроводник) приборах (11.

Недостатком этих устройств является ограниченный срок хранения записанной информации, в связи с чем возникает необходимость восстановления

13 информации через определенное время.

Указанный недостаток устранен в

ППЗУ со стиранием информации ультрафиолетовым излучением, содержащим матрицу запоминающих элементов, схемы адресации и буферный блок !21.

Недостатком известного устройст" ва является малая информационная емкость каждого запоминающего элемента, предназначенного для хранения только одного бита информации в виде двух уровней заряда, соответствующим логическим "0" и "1". 8 результате проблема повышения информационной емкости кристалла ППЗУ сопряжена с пропорциональным увеличением числа запоминающих элементов и усложнением схем адресации. Это, в свою очередь, приводит к увеличению площади кристалла ППЗУ и к повышению стоимости устройства. Недостатком устройства является также низкая надежность работы при считывании из-за влияния на величину выходного напряжения различных дестабилизирующих факторов (температурного и временного дрейфа, старения и т ° n.).

Цель изобретения — повышение информационной емкости и надежности перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в перепрограммируемое постоянное

90031 запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, входы которого подключены к выходам адресного блока, коммутатор, первый вход-выход которого подключен к соответствующему выходу блока усилителей, а вторые входы-выходы коммутатора подключены ко входам-выходам матричного накопителя, дополнительно введены аналогоцифровой преобразователь и блок памя- 10 ти эталонных напряжений, входы которых подключены к соответствующим выходам адресного блока, входы-выходы блока памяти эталонных напряжений подключены к первому входу аналого- 15 цифрового преобразователя и к соответствующему входу блока усилителей, второй вход аналого-цифрового преобразователя подключен к первому входу коммутатора, выходы аналого-цифрово- 20 го преобразователя подключены к соот/ ветствующим входам блока усилителей.

На чертеже представлена блок-схема перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства. 25

Изобретение содержит матричный накопитель 1, адресный блок 2, адресные шины 3, коммутатор 4, аналогоцифровой преобразователь 5 с информационными 6 и опорным 7 входами, з0 блок 8 усилителей, информационные шины 9, шину 10 управления, шину 11 записи и блок 12 памяти эталонных напряжений.

Облучение устройства ультрафиолетовым светом стирает всю информацию, ранее хранимую в ППЗУ. При этом все запоминающие элементы матричного накопителя 1 устанавливаются в начальное положение, представляемое на выходе как логический нуль. Запись информации производится следующим образом. После поступления адреса на шины 3 адресный блок 2 и коммутатор 4 выбирают информационный запоминающий элемент матричного накопителя 1, к которому произошло обращение. Одновременно: выбирается дополнительный запоминающий элемент из блока памяти эталонных напряжений 12, принадлежащий этой же строке. На шине 10 управленив присутствует потенциал, разрешающий режим записи, и блок усилителей через коммутатор 4 подключает ин" формационные шины 9 с присутствующим м на них кодом к матрице запоминающих ,элементов матричного накопителя 1 и к соответствующему дополнительному

6 ф запоминающему элементу блока 10 памяти эталонных напряжений. С поступлением импульса записи на шину 11 в запоминающи элементы, на входе которых присутствует потенциал логической единицы (код на информационных шинах 9), заносится определенный заряд. Величина этого заряда определяется длительностью и числом импульсов записи. Варьируя эти параметры при адресации к различным запоминающим элементам, можно записать в каждую ячейку памяти информацию, представленную соответствующим уровнем заряда, т.е. в многозначном виде. Одновременно с записью информации в информационнчю ячейку матричного накопителя 1, в дополнительные запоминающие элементы блока 12 памяти эталонных напряжений, принадлежащий этой строке, записывается максимальный уровень заряда.

В режиме считывания, адресный блок 2 и коммутатор 4 в соответствии с кодом, присутствующим на шинах 3, выбирают необходимый информационный элемент матричного накопителя 1 и подключают его выход к информационному входу 6 аналого-цифрового преобразователя 5. Одновременно с этим выход дополнительного запоминающего элемента блока 12 памяти эталонных напряжений, принадлежащего этой строке, подключается к опорному входу 7 аналого-цифрового преобразователя 5.

Зашифрованная аналого-цифровым преобразователем 5 информация в двоичном коде, при наличии соответствующего разрешающего потенциала на шине 10 управления, поступает через буферный блок усилителей 8 на информационные шины 9.

Представление информации в К-значном алфавите, т.е. в виде К уровней, повышает информационную емкость каждого запоминающего элемента в (оядК раз. При этом общая информационная емкость ППЗУ, по сравнению с известными ППЗУ, содержащими то же количество ячеек памяти, повышается в

Н (/ 1-1) ° t.îg К

Ю Я" во строк, а И - количество столбцов матричного накопителя.

Дестабилизирующие факторы пропорционально влияют как на опорный уровень напряжений, считываемый из блока памяти эталонных напряжений, так

5 9003 и на уровень напряжения, считываемый из информационной ячейки памяти. При достаточной линейности аналого-цифрового преобразователя код íà его выходе будет оставаться достоверным, тем самым, повышается надежность перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства.

1Î

Формула изобретения

Перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, входы которо- 15

ro подключены к выходам адресного блока, коммутатор, первый вход --выход которого подключен к соответствующему выходу блока усилителей, а вторые входы-выходы коммутатора под- zo ключены ко Ьходам-выходам матричного накопителя, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения инфор16 мационной емкости и надежности устройства, оно содержит аналого-цифровой преобразователь и Ьлок памяти эталонных напряжений, входы которых подключены к соответствующим выходам адресного блока, входы-выходы блока памяти эталонных напряжений подключены к первому входу аналого-цифрового преобразователя и к соответствующему выходу блока усилителей, второй вход аналого-цифрового преобразователя подключен к первому входу коммутатора, выходы аналого-цифрового преобразователя подключены к соответствующим входам блока усилителей.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США и 3906461, кл. G 11 С 17/00, опублик. 1975.

2. Первое ППЗУ емкостью 16384 бит со стиранием информации Уф-светом.

"Электроника". N 5. 1977 (прототип).