Устройство для управления полупроводниковым вентилем

Устройство для управления полупроводниковым вентилем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.04.80 (21) 2914901/24-07 с присоединением заявки № (23) Приоритет— (51) М. Кл.з

Н 02 М 1/08

Государственный комитет

СССР (53) УДК 621.316..727 (088.8) Опубликовано 30.01.82. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 05.02.82 по делам изобретений и открытий

Д. Н. Гиенко и С. П. Лохов (72) Авторы изобретения

Челябинский политехнический институт им. Ленинского комсомола (71) Заявитель (54) УСТРОИСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ

ВЕНТИЛЕМ

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в формирователях импульсов управления тиристорами.

Известно устройство для управления полупроводниковым вентилем, в частности тиристором, в котором источник сигнала управления подключен к управляющему переходу тиристора через переход эмиттерколлектор транзистора (1).

Недостатком известного устройства является отсутствие стабилиза ции тока управления тиристорами при колебаниях напряжения источника питания.

Наиболее близким к предлагаемому является устройство для управления полупроводниковым вентилем, содержащее блок управления, связанный с базой основного биполярного транзистора и с источником постоянного напряжения, подключенным к выводам для подключения к управляющему переходу тиристора через переход коллектор-эмиттер биполярного транзистора и токостабилизирующее сопротивление, резисторы. В таком устройстве независимо от разброса входных характеристик можно

А Н И („)90216 управляющий переход тиристора питать одним током (2).

Однако при этом необходимо введение относительно большого запаса по напряжению, который теряется на токостабилизирующем сопротивлении.

Входные характеристики тиристоров имеют значительный разброс, что при работе устройства на разные тиристоры приводит к изменению напряжения между эмиттером и коллектором транзистора и модуляции тока базы коллекторным напряжением. Изменение тока базы влечет за собой изменение падения напряжения на переходе эмиттер-база транзистора и изменяется падение напряжения на токоста бил из ирующем сопротивлении, что влечет за собой изменение тока управления тиристора. Чтобы ослабить это возмущение, необходимо задавать достаточно большое падение напряжения на токостабилизирующем сопротивлении по сравнению с изменением напряжения эмиттербаза транзистора.

Цель изобретения — уменьшение потерь напряжения.

902165

Составитель О. Наказная

Редактор М. Янович Техред А. Бойкас Корректор С. Щомак

Заказ 124!2/66 Тираж 7! 8 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП <Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4