Интегральный усилитель мощности для магнитофона

Интегральный усилитель мощности для магнитофона

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик ()902205 (61) Дополнительное к авт. свид-ai (51) М. Кл. (22) Заявлено 14.06.79 (21) 2770505/18-10

Н 03 F 3/00 с присоединением заявки Л (23) Приоритет

Государственный комитет

Опубликовано 30.01.82. Бюллетень Лр 4

Дата опубликования описания 05.02.82 (53) УДК 621.375..4 (088.8) по делам изобретений и открытий

В. В. Андрианов, A. И. Рыбалко и О."Ф. Таргоня (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ИНТЕГРАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ

ДЛЯ МАГНИТОФОНА

Изобретение относится к электронным устройствам общего назначения, а именно к интегральным усилителям мощности для магнитофонов.

Известен интегральный усилитель мощности для магнитофона, содержащий входную шину, подключенную к базе первого транзистора, коллектор которого через второй транзистор соединен с базой третьего транзистора, подключенного к выходной шине (1).

Известный интегральный усилитель имеет относительно простую конструкцию, однако не позволяет обеспечить достаточно высокий коэффициент усиления.

Известен также интегральный усилитель мощности для магнитофона, содержащий входные шины, подключенные к базам первого и второго из транзисторов, эмиттеры которых подсоединены к базам третьего и четвертого транзисторов, а коллекторы — к отрицательной шине питания, соединенной через первый и второй из резисторов с эмиттерами пятого и шестого транзисторов, а через третий и четвертый резисторы — с эмиттерами седьмого транзистора и восьмого транзистора, коллектор которого подсоединен к выходной шине, подключенной к эмиттерам девятого и десятого транзисторов и к коллектору одиннадцатого транзистора, положительную шину питания, соединенную через пятый резистор с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов и подключенную к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов и к коллекторам семнадцатого. восемнадцато10 ro и девятнадцатого транзисторов, диод, шину смещения и шины частотной компенсации. Этот интегральный усилитель позволяет обеспечить относительно высокий коэффициент усиления (2) .

Недостаток подобного интегрального усилителя состоит в его малом быстродействии.

Цель изобретения — повышение быстродействия интегрального усилителя мощности для магнитофона.

Это достигается за счет того, что шина

20 смещения подключена к базам двенадцатого, тринадцатого, четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов, коллекторы двенадцатого и тринадцатого транзисторов к эмиттерам первого и третьего! 102205

Гp;I If:! Il Г»p»ll, к». 1. 1 f(Г»р I(ТЫ рнадц»Т»1 О Tp» I! ll!(1! >()i! I(>м1гг Г(Р((м Г1н тьег» и >1(тв(. Рт»г» Гp;111. Iи с Г»p»11, к»ллектор Il нтн)lдцатОГО тр нн»H("f»1);> к первой (пине частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора и к базам одиннадцатого и двенадцатого транзисторов, коллектор шестнадцатого транзистора к б»зе восемнадцатого транзистора, к коллек.п)рам двадцать первого и двадцать второго тр»нзисторов и к базе и коллектору двадцать третьего транзистора, коллектор третьего тр»нзистора к базе и коллектору пятого транзистора и к оазе шестого транзист»р», коллектор четвертого транзистора к колл(кт»р»м п(ест»гo н левятогo транзисторов, к базе семнадцатого транзистора и ко второй (пине частотной компенсации, коллектор лесят»го транзистора к коллектор; дв»л((ат»го транзистора и к базе двадцать четвертого транзистора, коллектор восьмого транзистора к эмиттерам девятнадцатого и двалll»T»! транзисторов и к коллектору дв»лц(1 Г1 четв pT»!о транзистора, а эмиттеры сельм»(о, семнадцатого, двадцать третьего, !В».(ц»Г((етвертого и одиннадцатого транзисторов соответственно к базам девятого, сельмогo, двадцать второго и восьмого транзисторов и к эмиттеру лвалцать второп) транзистора. При этом между коллекторами седьмого и левятоп) транзисторов включен ли»л, » межлу эмиттерами семнадцатог0 и»линн» ill»Tol » транзисторов и базами леBH1»i » I! лв», пj»тt> BT»pof транзисторов

cooTBc f (TfI(HHo н)ссT»H H седьмой PBBHcT»PBI, к»лл H(T»p (есятого транзистора соединен с третьей Ill!if!»H частотной компенсации и с отр)>ц;(Г(льн»й шиной питания соответственно через восьмой и девятый резисторы, коллектор и>сь)1»го транзистора -- с базами девяти»лцатог» и двадцать первого транзистор»в соотвсгственно через десятый и одинн»лц»тый резисторы, а эмиттер восьмого тр»1(зистора с базой десятого транзистора и с эмиттером двадцать четвертого транзистор» со»)ветственно через двенадцатый и тринадцатый резисторы.

На чертеже показан вариант предлагаемого интегрального усилителя мощности для магнитофона.

Интегр»льный усилитель содержит входные шины 1, подключенные к базам первого и второго транзисторов 2 и 3, эмиттеры которых полсое..(инены к базам третьего и четвертого транзисторов 4 и 5. Коллекторы первого и второго транзисторов 2 и 3 подсоединены к отрицательной шине 6 питания, соединенной через первый и второй резисторы 7 и 8 с эми Гтсрами пятого и шестого транзисторов 9 и 10, а через третий и четвертый резисторы 11 и 12 — с эмиттерами седьмого транзистора 13 и восьмого транзистора 14, коллектор которого подсоединен к выходной шине 15. Отрицательная шина 6 питания подключена, кроме того, к .эмиттерам левя20

Зо

41

51 т»г» и д((>г(Ог(> I p,(нзист»р»в 16 и 17 и к к»лл(кт»pg и, (и ни»ипат»1 » 1 ()il ff»l! (т»1) а 1 8, Предлагаемый интегральный усилитель содержит также положительную шину 19 питания, соединенную через пятый резистор

20 с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов 21 и 22. Положительная шина 19 питания подключена к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов 23, 24 и 25 и к коллекторам семналцатого, восемнадцатого и девятнадцатого транзисторов 26, 27 и 27. При этом к базам лвеналцатого, тринадцатого, четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов 21, 22, 23, 24 и 25 подключена шина 29 смещения, соединенная с выходом формирователя 30, смещающего напряжения, полсоелиненного к отрицательной и положитепbноH шинам 6 и 19 питания.

В интегральном усилителе коллекторы лвенадцатого и тринадцатого транзисторов

21 и 22 ffoдключены к эмиттерам первого и второго транзисторов 2 и 3, коллектор четырнадцатого транзистора 23 — — к эмиттерам третьего и четвертого транзисторов 4 и 5, а коллектор пятнадцатого транзистора 24 к первой шине 31 частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора 13 и к базам одиннадцатого и двадцатого транзисторов 18 и 32. Коллектор шестнадцатого транзист»ра 25 п»лклк)ч(н к базе восемнадцатого транзистора 27, к коллекторам двадцать первого и лв»дц»ть второго транзисторов 33 и 34 и к базе и коллектору двадцать третьего транзистор» 35, коллектор третьего транзистора 4 к базе и коллектору пятого транзист»ра 9, "! к базе шестого транзистора 10, а коллектор четвертого транзистора 5— к колл(кторам шестого и девятого транзисторов 10 и 16, к базе семнадцатогo транзистора 26 и ко второй шине 36 частотной компенсации. Кроме того, коллектор десятого транзистора 17 подключен к коллектору двадцатого транзистора 32 к базе двадцать четвертого транзистора 24, а коллектор восьIvIoIО транзистора 14 к эмиттерам девятнадцатого и двадцатого транзисторов 28 и 32 и к кол;(ектору двадцать четвертого транзистора 37. В преллагаемом интегральном усилителе также эмиттеры седьмого, семнадцатого, двадцать третьего, двадцать четвертого и одиннадцатого транзисторов 13, 26, 35, 37 и 18 подключены соответственно к базам (евятого, сеЛьмого, двадГ(ать второго и восьмого транзисторов 16, 13, 34 и 14 и к эмиттеру двадцать второго транзистора 34.

В интегральном усилителе между коллекторами седьмого и девятого транзисторов

13 и 16 включен диод 38, между эмиттером семнадцатого транзистора 26 и базой девятого транзистора 16 шестой резистор 39, а между эмиттером одиннадцатого транзистора 18 и базой лвалцать второго транзисто902205

Формула изобретения

50 ра 34 — седьмой резистор 40, Коллектор деcBT0I транзистора 17 соединен с третьей шиной 41 частотной компенсации и с отрицательной шиной 6 питания соответственно через восьмой и девятый резисторы 42 и

43. Коллектор восьмого транзистора 14 соединен с базами девятнадцатого и двадцать первого транзисторов 28 и 33 соответственно через десятый и одиннадцатый резисторы 44 и 45. Эмиттер восьмого транзистора 14 соединен с базой десятого транзистора 17 и с эмиттером двадцать четвертого транзистора 37 соответственно через двадцатый и тринадцатый резисторы 46 и 47.

В интегральном усилителе первый, второй, третий и четвертый транзисторы 2, 3, 4 и 5 образуют входной каскад 48, выполненный по дифференциальной схеме, в которой двенадцатый, тринадцатый и четырнадцатый транзисторы 21, 22 и 23 играют роль генераторов тока. Седьмой и сем надцатый транзисторы 13 и 26 образуют промежуточный каскад 49, в котором пятнадцатый транзистор 24 играет роль динамической нагрузки, а шестнадцатый транзистор 25 — генератора тока. Восемнадцатый и девятнадцагый транзисторы 27 и 28 образуют одно плечо двухтактного выходного каскада 50, а восьмой, двадцатый и двадцать четвертый транзисторы 14, 32 и 37 — второе его плечо.

Использование изобретения позволяет в значительной степени повысить быстродействие интегрального усилителя мошности для магнитофона.

Интегральный усилитель мошности для магнитофона, содержащий входные шины, подключенные к базам первого и второго из транзисторов, эмиттеры которых подсоединены к базам третьего и четвертого транзисторов, а коллекторы — к отрицательной шине питания, соединенной через первый и второй из резисторов с эмиттерами пятого и шестого транзисторов, а через третий и четвертый резисторы — с эмиттерами седьмого транзистора и восьмого транзистора, коллектор которого подсоединен к выходной шине, и подключенной к эмиттерам девятого и десятого транзисторов и к коллектору одиннадцатого транзистора, положительную шину питания, соединенную через пятый резистор с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов и подключенную к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов и к коллекторам семнадцатого, восемнадцатого и девятнадцатого транзисторов, диод, шину смещения и ши5

1О

15 го

25 зо

45 ны частотной компенсации, отликавщийся тем, что, с целью повышения быстродействия, шина смешения подклк1чена к базам две. надцатого, тринадцатого, четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзистгров, коллекторы двенадцатого и тринадцатого транзисторов к эмиттерам первого и второго транзисторов, коллектор четырнадцатого транзистора к эмиттерам третьего и четвертого транзисторов, коллектор пятнадцатого транзистора — к первой шине частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора и к базам одиннадцатого и двадцатого транзисторов, коллектор шестнадцатого транзистора — к базе восемнадцатого транзистора, к коллекторам двадцать первого и двадцать второго транзисторов и к базе и коллектору двадцать третьего транзистора, коллектор третьего транзистора -- к базе и коллектору пятого транзистора и к базе шестого транзистора, коллектор четвертого транзистора — к коллекторам шестого и девятого транзисторов. к базе семнадцатого транзистора и ко второй шине частотной компенсации, коллектор десятого транзистора — к коллектору двадцатого транзистора и к базе двадцать четвертого транзистора, коллектор восьмого транзистора — к эмиттерам девятнадцатого и двадцатого транзисторов и к коллектору двадцать четвертого транзистора, а эмиттеры седьмого, семнадцатого, двадцать третьего, двадцать четвертого и одиннадцатого транзисторов — соответственно к базам девятого, седьмого, двадцать второго и восьмого транзисторов и к эмиттеру двадцать второго транзистора, причем, между коллекторами седьмого и девятого транзисторов включен диод, а между эмиттерами семнадцатого и одиннадцатого транзисторов и базами девятого и двадцать второго транзисторов — соответственно шестой и седьмой резисторы, коллектор десятого транзистора соединен с третьей шиной частотной компенсации и с отрицательной шиной питания соответственно через восьмой и девятый резисторы, коллектор восьмого транзистора — с базами девятнадцатого и двадцать первого транзисторов соответственно через десятый и одиннадцатый резисторы, а эмиттер восьмого транзистора — с базой десятого транзистора и с эмиттером двадцать четвертого транзистора соответственно через двенадцатый и тринадцатый резисторы.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Японии 50 51 — 19950, кл. 98 (5) А 7, !976.

2. Патент Японии Ne 53 †322, кл. 98 (5) А 014, 1978 (прототип).

902205

Составите.lb Е Розанов

Редактор М. У1нович I < вред .А. 1>о и кис Корректор А. Гривенки

Заказ 12415, 68 Тираж 953 !1однисно<

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий! 13035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г Ужгород, ул. Проектная, 4