Способ образования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов в доменосодержащей пленке

Способ образования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов в доменосодержащей пленке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

Союз Советсиик

Социаиистичвсинк

Рвснубяии ii> 9039

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Лонолнительное к авт. свнд-ву (22) Звявлено24. О1. 80 (2t) 287415с1/18-24 с присоединением заявки М (23)Приоритет

Онублнковано 07.02.82. Бюллетень М 5 (51)М. Кл.

G 11 С 11/14

3Ьвударснаемй квинта

CCCP ке деви к юбретеаИ в епрыткй (53) УДК 681.327. .66(088.8) Лата опубликования описания 0c}. 02. 82! .Гйжгж ..;..

1 1

Т. Г. Баряхтар, Ю. А. Кузин, Г. Н. Ианян

А. М. Редченко и E. Ф. Ходосов (72) Авторы изобретения

13 "

Донецкий физико-технический институт АН (21) Заявитель краи с (54) СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ КАНАЛОВ ПРОДВИЖЕНИЯ

ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

В ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ

3 б

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть исполрэовано при формировании каналов продвижения в запоминающих устройствах на цилиндрических маг" нитных доменах (ЦМД).

Известен способ образования струк-. тур направленного перемещения ЦИД за счет использования свойств самого магнитного материала 1 11.

Недостатками указанного способа являются технологические трудности, возникающие при выращивании многослойных пленок с заданными параметрами, а также произвольное Формирование волнообразной структуры.

Известен также способ образования в однослойной магнитной пленке магнитной структуры направленного продвижения ЦМД, выполненной в виде чередующихся областей с противоположной намагниченностью ЦМД в них. Магнитная структура образуется с по" мощью системы последовательно соединенных проводников, нанесенных на пленку. При подаче в указанные проводники постоянного тока создается магнитное поле, нормальное поверх» ности магнитной пленки и периодически распределенное вдоль ее поверхности. Формируется магнитная структура в виде ряда полосовых доменов с интервалом, соответствующим интервалу между проводниками. После этого в полосовых доменах зарождаются ЦМД и образуется магнитная структура в . виде ряда чередующихся волнообразных областей с противоположной намагниченностью ЦИД в них (21.

Однако известный способ технологически трудоемок вследствие необходимости нанесения аппликаций в виде проводников, требует создания специального стабилизирующего поля и не позволяет управлять периодом волнообразной структуры.

903976

Цель изобретения - упрощение об= разования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов.

Указанная цель достигается тем, что в известном способе в доменосодержащей магнитной пленке формируют плотноупакованную решетку цилиндрических магнитных доменов, воздействуют на доменосодержащую пленку импульсами градиентного магнитного по- tp ля соответствующей полярности и амплитуды до образования областей с цилиндрическими магнитными доменами противоположной намагниченности и устанавливают такое расстояние между is доменными границами смежных областей . с цилиндрическими магнитными доменами противоположной намагниченности при котором расположен-. ные между ними ЦМД коллапсируют, а 2о необходимую ширину канала прорвижения ЦМД регулируют внешним полем смещения., Способ образования каналов прод-. вижения ЦМД в доменосодержащей плен- >5 ке реализуется следующим образом.

Доменосодержащая пленка помещается в постоянное магнитное поле, по. величине равное полю насыщения, для создания в ней однодоменного состоя- 30 ния. Затем создается импульсное гра. диентное магнитное поле, амплитуда которого больше напряженности поля зародышеобразования, а направление противоположно направлению поля сме- 3 щения.

Это может быть обеспечено, например, за счет нанесенного на поверхность магнитной пленки проводника. После формирования регулярной 40 ,решетки ЦМД уменьшают поле смещения и импульсное градиентное магнитное поле до нуля.

Далее в тот же проводник подается импульс тока той же полярности, что и первоначальный импульс, но увеличенной амплитуды, достаточной для создания на заданном расстоянии от проводника импульсного магнитного поля большей величины, чем напряжен- 5 ность поля насыщения. Затем амплитуда импульсного магнитного поля уменьшается до нуля так, чтобы вся заданная область магнитной пленки пе» ремагничивалась в решетку с ЦМД, 55 полярность которых противоположна полярности ЦМД в первоначально сформированной решетке.

Таким образом, формируется. магнитная структура в виде двух областей с противоположной намагниченными ЦМД, причем доменная граница раздела параллельна проводнику., а ее положение в магнитной пленке (расстояние от проводника) однозначно определяется амплитудой импульсов, подаваемых в проводник.

Подавая в проводник импульсы тока, полярность которых опять противоположна полярности первоначально подаваемых импульсов, а амплитуда несколько меньше, чем амплитуда импульсов при первоначальном перемагничивании, можно сформировать магнитную структуру в виде полосы ЦМД, намагниченность которых противоположна намагниченности окружающих ее

ЦМД. Ширина этой полосы полностью определяется амплитудой импульса противоположной полярности и при увеличении ее до величины амплитуды импульсов, используемых для перемагничивания первоначально созданной решетки с однополярными ЦМД, ширина полосы становится порядка диаметра

ЦИД. При этом ЦМД, находящиеся в пределах этой полосы, коллапсируют и полоса превращается в домен той же намагниченности, что и окружающие его ЦМД. Так как ширина полосового домена меньше диаметра домена, то

ЦМД в нем существовать не могут и использовать его в качестве канала продвижения невозможно. Поэтому к магнитной пленке прикладывается поле смещения, направление которого сов- падает с намагниченностью полосового домена. Поле смещения увеличивает ширину полосового домена до необходимых размеров для существования и продвижения в нем ЦМД.

Таким образом, производится формирование канала продвижения ЦМД непосредственно в пленке в виде магнитной структуры с периодически изменяющимся потенциальным барьером на основе плотноупакованной регулярной решетки ЦИД. Подобный канал облада ет высокой стабильностью за счет сил магнитостатического взаимодействия, а управление параметром решетки позволяет создавать оптимальные условия для направленного продвижения ЦИД.

Применение предлагаемого : особа позволяет гибко перестраивать магнитные структуры направленного продви"

76 плотноупакованную решетку цилиндри ческих магнитных доменов, воздейст" вуют на доменосодержащую пленку импульсами градиентного магнитного поля соответствующей полярности и амплитуды до образования областей с цилиндрическими магнитными доменами противоположной намагниченности и устанавливают расстояние между доменными границами областей с цилинд" рическими магнитными доменами противоположной намагниченности,. при котором расположенные между ними цилиндрические магнитные домены коллап"

15 сируют, и регулируют внешнее поле смещения до получения необходимой ширины канала продвижения цилиндри-. ческих,магнитных доменов.

Формула изобретения

Составитель Ю. Розенталь

Редактор H. Чубелко Техред М. Надь Корректор А. Дзятко

Заказ 134/36 Тираж 623 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

5 9039 жения ЦМД, тогда как существующие аппликационные методы требуют замены всего элемента в целом. Последнее обстоятельство, кроме сугубо экономического выигрыша, открывает ши- < рокие перспективы .для создания логи-. ческих устройств в ЦМД. Энергетически схема канала продвижения весьма экономична и позволяет для перемещения ЦМД использовать традиционные 16 методы.

Способ образования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов в доменосодержащей пленке, ос нованный на формировании в доменосодержащей пленке волнообразных до- 2В менных границ, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения образования каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов, формируют в доменосодержащей пленке 2$

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США И 3886905, кл. 340-174, 1977.

2. Патент CIA N 3916395, кл. кл. 340-174, 1978 (прототип).