Раствор для химического индирования

Раствор для химического индирования

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсинк

Соцнвпнстнчвсннк

Республик

««905318 (61) Дополнительное к авт, свнд-ву— (22) Заявлено 290 2ВО (21) 2888730/22-02 с присоединением заявки М— (23)Приоритет

Опубликовано 150232. бюллетень М 6

Дата опубликования описания 150282 (51)М. Кл.

С 23 С 3/02

Государстве«ьй кен«тат

CCCt

«о делан «звбрете««й

«ат«рыт«11 (53) УДК 621, Щ3.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

К. И, Бубнов, Л, Ю. Федоров и Г. П, Поп

Волгоградский политехнический институт (7l) Заявитель (54) РАСТВОР ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ИНДИРОВАНИЯ

Изобретение относится к нанесению химических покрытий, в частности индиевых.

Известен раствор для химического нанесения покрытий, например серебрянного на медь, содержащий соль серебра, комплексующий агент - цианид натрия, щелочь, восстановитель - гипофосфит натрия 111, Однако данный раствор при замене в его составе соли осаждаемого метал«то ла на соль индия не обеспечивает получения качественных индиевых покрытий, Наиболее близкой к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является известный раствор для химического индирования, содержащий соль индия, например сульфат, хлорид, гидроксид, борат; комплексообразователь, например тартрат и агент для создания рН среды, на- . пример минеральную кислоту (21.

Однако данный раствор не позволяет получать покрытия толщиной более

2,5 мкм, так как по истечении 1520 мин осаждение индия практически прекращается вследствие цементации контактирующего металла индием, Толщина же индиевого покрытия 2,5 мкм недостаточна для практического применения. По нормалям машиностроения минимальная толщина индиевого покрытия 6-9 мкм, Кроме того, полученное из этого раствора покрытие недостаточно корроэионностойко.

Цель изобретения - обеспечение возможности получения более толстых покрытий и повышения их коррозионной стойкости, Укаэанная цель достигается тем, что раствор, содержащий соль индия, комплексообразователь и агент для создания рН среды, дополнительно содержит гидразин-гидрат, а в качестве комплексообразователя и агента для создания рН среды соответственно

905318

4-6

Соль индия

Тиогликолевая кислота

33-40

Гидроксид щелочного металла

35 -4S

26-31

Гидразин-гидрат

3 тиогликолевую кислоту и гидроксид щелочного металла при следующем соотношенииI компонентов, г/л:

Процесс ведут при 60 -80 С, В качестве соли индия используют сульфат, хлорид. Вместо соли индия может быть использован его гидроксид, 15

В. качестве агента для создания рН среды - едкий натр или едкое кали, Приготавливают раствор следующим образом, 20

К 60 мл сульфата индия (титр =

0,1 г/мл) приливают 30 мл тиогликолевой кислоты, затем 90 мл едкого натра (титр = 0,5 г/мл), далее

790 мл дистиллированной воды и в последнюю очередь 30 мл гидразин-гидрата, Плотность кислоты 1,3253, плотность гидрата 1,032.

Способ нанесения покрытия, Рабочая температура раствора

60-80 С. Плотность загрузки †. 2 дм /л.

Контактирующий металл (алюминий) помещают либо в пористую керамическую диафрагму с раствором едкого натра с

4 (40-45 г/л), либо в другой сосуд с таким же раствором щелочи, соединенным с металлизирующим раствором при помощи электрохимического ключа, наполненного концентрированным раствором едкого натра(503) или насыщенным раствором (хлорида) сульфата натрия (калия). Покрываемое изделие погружают в раствор для индирования и накоротко соединяют с контактирующим металлом (алюминием).

Экспериментальные данные, полученные при опробовании раствора для химического индирования, сведены в таблицу, Покрытия, полученные из данного раствора, равномерны по толщине, мелкокристаллические и плотные, сцепление с основой 75 -80 кгс/см.

При снижении температуры до 40 С структура покрытия не изменяется, Полученное индиевое покрытие устойчиво к воздействию влаги и в атмосфере, содержащей сернистый газ, сероводород, а также устойчиво в среде минеральных масел.

Полученное покрытие способно к пайке при 120- С с использованием неактивных флюсов, что может найти применение в радиоэлектронной промышленности, Высокая отражательная способность позволяет использовать данное покрытие для изготовления отражательных устройств.

905318

1 !

1 б

1

1

I

I

1 б

1

I !

1

1 !

1

» о

О0 ф

3*, о ф

1 !

1

ОФ 1

I

I

1,0 У

v з ф 3 Pg> 1

М 1

i

Я м Фч

Z

Ф0 1еес а с з z

4 I

I о б м Ф

I б

I

С!

ФФФ с

g 1 1

ФФ» а

1 «ф

1 1! 1

1 1 с

>З 1X в

Ct C1

Фбб 1Фбб

1 а

З

l х

ln О

ФЧ е

1 1

О а

Х Фб о о

М ФФ

Ф „1

v .ф C

1 1

1 а 1

1 1

1 1

1 Чб

1(!

I I

1 1

I I

I»

Щс с Й

ЪФ ф а а ФО

I Я1

1, 1

ФЛ

° Ф с би

I

1

1

1

1

1

1

1

I

1

1

1

1

I

I

1 .1

I

1

1

I

1

Ф

1

I

1 1

1

Ф

1

Ф

1 б

Ф

I

1

I

1

I !

1

I

1

I

1 в л е

ФЧ ФЧ ФЧ ФЧ е С0 С0

ФФЪ УО 6h а о а а

Ф Ъ -Ф

ФЧ М ФЧ о о о

ФФЪ ФФ\ ФФ\ а а а

-Ф 0 а ФО л Ф Ф

1 б

t

1 1

1

1

1

1

1 о

Фе Ф I

1 !

1

1

1

1

I I !

1

1 б

1

1

I

1

1

1

1

I 1

I

Ф

1 б

1

О 1

I

Ф

905318

Соль индия

Тиогликолевая кислота

33-40

Гидроксид щелочного металла

35-45

26-31

Гидразин-гидрат

Составитель Г, Ногинская

Редактор В. Бобков Техред P.Олиян Корректор О, Билак

Заказ 295/39 Тираж 1048 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета CCCP по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 3-35, Раушская наб,, д, 4/5 филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4

7 формула изобретения

Раствор для химического индирования, содержащий соль индия, комплексообразователь и агент для создания рН среды, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности получения более толстых покрытии и повышения их коррозионной стойкости, ow дополнительно содержит гидраэин-гидрат, а в качестве комплексообразователя и агента для создаt ния рН среды соответственно - тиогликолевую кислоту и гидроксид щелочного металла при следующем соотношении компонентов, г/. :

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

М 176151, кл. С 23 С 3/02, 1964, 2, Патент CUA Ю 3389060, кл.204 -26, опублик, 1968.