Стабилитрон

Стабилитрон

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советсимк

Социалмстичесиии

Ресиублии

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное N авт. саид-ву (22) Заявлено 06 08 ° 79 (21) 2828801/24-07 с присоединением заявки М (51)М. Кл.

С 05 F 3/16 весуяарствапав комнтвт

СССР аю двлвм взабрвтвннк и OTNpblTNll (23) Приоритет

Опубликовано 15.02.02 ° Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 1 5 . 02 . 82 (53) УДК 621. 316. .722.1

l.088.8) (72) Автор изобретения

А.ll. Сподынейко (7I ) Заявитель (54) СТАБИЛИТРОН

Изобретение относится к элементному базису электроники и может использоваться как стабилитрон с квазисимметричной вольтамперной характеристикой (СК8АХ).

Известен СК8АХ, выполненный на однотипных транзисторах и состоящий из двух встречно параллельных пар

Дарлингтона, в которых база первого транзистора соединена с коллекторами обоих транзисторов. Сн применяется как ограничитель входного дифференциального сигнала в некоторых микросхемах (11.

Недостатком этого CKBAX является выполнение его на 4 транзисторах, два иэ которых по существу используются как идеализированные диоды в цепях обратной связи ведомых— вторых транзисторов.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является стабилитрон, содержащий комплементарную пару транзисторов, базы которых соединены между собой, при этом пере ход эмиттер-коллектор одного из транзисторов подключен к электродам стабилитрона (2).

Недостатком его является узкая

5 область использования из-за несимметричной вольтамперной характеристики стабилитрона.

Цель — расширение функциональных

10 воэможностей путем получения квазисимметричной вольтамперной характеристики стабилитрона.

Поставленная цель достигается тем, что в стабилитроне встречно15 параллельно или параллельно переходу эмиттер-коллектор упомянутого транзистора включен такой же переход другого транзистора.

На чертеже представлена схема стабилитрона.

Стабилитрон содержит транзисторы 1 и 2 разного типа проводимости.

905306

40 ф5

50 i Iëó÷ñнная структура стаб.,пиTðîна симметрична — работоспособна как

8 прямом, так и в инверсном включении. Если напряжение на стабилитроне в любой полярности превышает суммарный порог активации переходов базоэмиттер, то каждый базоэмиттерный переход помимо основной функции управления током своего коллектора, выполняет также функцию нелинейного элемента обратной связи в цепи базоколлектора другого транзистора. При инверсной полярности в роли базоэмиттерных переходов оказываются базоколлекторные. Ток стабилитрона в таких ситуациях распределяется в соответствии с выражением

V< Вy

1 в котором при общем токе ч баз выявляется отношение токов через транзисторы близкое отношению коэффициентов передачи по току. Разброс величины тока стабилитрона при смене полярности приложенного напряжения может быть уменьшен применением симметричных транзисторов, у каждого из которых площади коллектора и эмит тера идентичны. В непроводящем состоянии через структуру идут только токи утечки, в том числе и емкостные, которые могут доминировать на высоких частотах.

Предлагаемый стабилитрон макетируется на дискретных транзисторах, германиевых, кремниевых и их сочетаниях, при этом соответственно меняется среднее напряжение стабилизации (0,7 В; 1,3 В; 1 В). Применением транзисторов с повышенным коэффициентом передачи по току в предлагаемой структуре относительно защищаемых транзисторов входа усилителя можно увеличить технологический запас по напряжению на входном ограничителе, устраняющий нелинейные переходные процессы в усилителе при перегрузке дифференциальным сигналом.

Возможно также применение стабилитрона как элемента цепочки. Кроме того, неравенство прямого и инверсного напряжения при том же токе через стабилитрон можно испольэовать при подгонке конкретных режимов в некоторых сложных транзисторных структурах. Например, включг.на цепочка из двух идентичных стабилитронов, соединенных встречно-последовательно, очевидно, симметричность суммарного стабилитрона при повышенном напряжении окажется ближе н идеальной.

Таким образом, в связи с включением базоколлекторного перехода одного транзистора комплементарной пары параллельно база-эмиттерному переходу второго транзистора получают стабилитрон с квазисимметричной вольтамперной характеристикой, что дает, по сравнению с известным положительный эффект — расширение области применения такого стабилитрона.

Использование предлагаемого стабилитрона в качестве ограничителя входного дифференциального сигнала упрощает схему ограничителя,выполненного на 4-х транзисторах в микросхемах типа 140УД10, что приводит к дальнейшей миниатюризации и снижению себестоимости изделий электроники.

Формула изобретения

Стабилитрон, содержащий комплементарную пару транзисторов, базы которых соединены непосредственно между собой, при этом переход эмиттер-коллектор одного из транзисторов подключен к электродам стабилитрона, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем получения квазисимметричной вольтамперной характеристики стабилитрона, в нем встречнопараллельно или параллельно переходу эмиттер-коллектор упомянутого транзистора включен такой же переход другого транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Аналоговые и цифровые интегральные схемы под ред. Якубовского.

"Советское радио", И., 1979, с. 222, рис.4.11.

2. Шило В.Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. М., 1979, с. 71, рис 2 15.

Составитель С. Горбачева

Редактор Л. Повхан Техред И,Гайду Корректор М. Демчик

Заказ 364/64 Тираж 907 .Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, R-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул ° Проектная,4