Способ заварки бесштенгельных сверхминиатюрных ламп накаливания
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советскик
Социалистических
Республик
О П И С А Н И Е 1 907639
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6I ) Дополнительное к авт. свид-ву(22) З ено 230680 (21) 2944749/24-07 с присоелинением заявки №вЂ” (23) Приоритет—
Опубликовано 230282. Бюллетень № 7
Дата опубликования описания 2302.82 (51 ) М. Кл.
Н 01 К 3/26
)есударстванный комитет ао делам изобретений и открытей (53) УДК 621.3
032 93 (088. 8) В. д. Журавлев, И. В. Кулагин, С. М. Вугрнан и Е. Н. Иироле вич
I -, Всесоюзный научно-исследовательский проектноконструкторский и технологический институт источников света им. А. Н. Лодыгина (72) А вторы изобретения (7I) Заявитель (54) СПОСОБ ЗАВАРКИ БЕСШТЕНГЕЛЬНЫХ
CBEPXMNHPiTI0l Hl.IX ЛАИП НАКАЛИВАНИЯ
15 изобретение относится к электротехнической промышленности и может быть использовано в производстве миниатюрных и сверхминиатюрных ламп накаливания.
Известен способ заварки сверхминиатюрных ламп накаливания в атмосфере инертного газа путем разогрева графитовой пластины с помещенными в ней лампами для заварки (1j.
Недостаток этого способа заключается в том, что заварка ламп происходит за счет переноса теплового потока через инертный газ. В этом случае лампа получается не вакуумной, а газополной, что приводит к увеличению потребляемого тока лампы вследствие тепловой отдачи от спирали через газ.
Известен также способ заварки сверхминиатюрных ламп накаливания в вакууме путем разогрева молибденовых колпачков, одеваемых предварительно на торцы каждой завариваемой лампы $2).
Однако в результате контактного нагрева стекла от молибденовых колпачков происходит слипание стекла завариваемых ламп с колпачками и закипание стекла в местах контакта с металлом, что ухудшает качество заварки и увеличивает процент брака.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ, при котором заварку бесштенгельных сверхминиатюрных ламп накаливания производят в вакууме ИК-излучением от проекционной лампы. Излучение при помощи оптической системы фокусируют на участок колбы, подлежащий заварке, при чем этот участок выполнен из стекла, поглощающего ИК-излучение Д 3).
Однако в этом способе для качественной заварк нужна строгая фокусировка ИК-излучения в место впая, что чсложняет технологический процесс
3 90 заварки из-за необходимости точной индивидуальной установки каждого завариваемо о прибора.
Цель изобретения - упрощение технологии. и повышение качества заварки сверхминиатюрных бесштенгельных ламп накаливания. указанная цель достигается тем, что согласно способу заварки бесштенгельных сверхминиатюрных ламп накаливания, включающему размещение установленных в кассете ламп в вакуумной камере и нагревание участков колбы, подлежащих заварке, ИК-из лучением каждую эавариваемую лампу предварительно размещают в металлокерамической трубе с окнами, чтобы центральная часть колбы лампы была от крыт а луча м, а у част ки колбы лампы, подлежащие заварке, были закрыты указанной трубкой, причем расстояние 1 от внешней поверхности колбы до внутренней поверхности трубки удовлетворяло неравенству 0,3(1»
«» 0,5 мм, после чего производят обезгаживание и заварку лампы ИК-излучением.
На чертеже изобра>кена схема, реалиэуюцая предлагаемый способ.
Способ осуществляется следующим образом.
Каждую индивидуальную микролампу
1 в кассете по направляющей стойке
2 перекрывают металлокерамической трубкой 3 с окнами 1> так, что она закрывает участки колбы, подлежащие заварке, а центральная часть колбы открыта. Причем расстояние 1 между трубкой 3 и колбой эавариваемой микролампы 1 удовлетворяет неравенству
0,3 « 1.- 0,5 мм. Кассету, содержащую несколько смонтированных микроламп, помещают в вакуумную камеру между
ИК-излучателями, в качестве которых используют, например, две линейные кварцево-галогенные лампы 5 типа
Кг 200-2000 с отражателями 6. Вакуумную камеру откачивают до
10 мм рт.ст., далее производят обезгаживание кассеты, микроламп и металлокерамических трубок при вкл.:.. чении ИК-излучателей на малое напряжение, например 150 В. Затем осуществляют заварку микроламп при включении ИК-излучателей на номи— нальное (220 В) или выше номинального напряжение. Излучением от кварцево-галогенных ламп 5 и отражателей
7639 4
Формула изобретения
5
Зо
6 нагревается трубка 3, эа счет преобразованного излучения которой в более длинноволновое происходит заварка ламп.
Таким образом, металлокерамическая трубка является вторичным нагревателем, преобразователем ИК-излучения и обеспечивает фокусировку
ИК-излучения в место заварки лампы.
Наличие в трубке 3 окон 4 дает возможность лучам от ИК-излучаталей свободно проходить через центральную часть колбы завариваемых лами, предотвращает нагрев колбы и поступление газов в колбу лампы.
Температура направляющей стойки
2 при заварке намного меньше температуры трубки 3, поэтому не происходит слипание стойки со стеклом.
Использование предлагаемого способа заварки сверхминиатюрных бесштенгельных ламп накаливания с применением металлокерамической трубки обеспечивает получение хорошего вакуумного спая, упрощение технологии заварки за счет точной фокусировки
ИК-излучения и осуществление одновременной заварки большой партии ламп.
Кроме того, способ обеспечивает исключение явления закипания и слипания стекла с металлом, как это имеет м>асто при контактном способе нагрева, и уменьшение на 20 - 303 потребления тока за счет получения вакуумных микроламп.
Способ заварки бесштенгельных сверхминиатюрных ламп накаливания, включающий размещение установленных на кассете ламп в вакуумной камере и нагревание участков колбы, подлежащих заварке, ИК-излучением, о т.л ич а ю шийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения качества заварки, каждую эавариваемую лампу предварительно размещают в металлокерамической трубке с окнами так, чтобы центральная часть колбы лампы была открыта лучам, а участки колбы лампы, подлежащие заварке, были закрыты указанной трубко>", причем расстояние 1 от внешней поверхности колбы до внутренней поверхности трубки удовлетворяло неравенству 0,3
» 1 0,5 мм, после чего производят обезгаживание .и заварку лампы ИК-излучением.
907639
Составитель Н. Нестеренко
Редактор Н. Бобкова Техред A.À÷ Корректор Е. Рошко
Заказ 604/62 Тираж 758 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Патент Швейцарии М 442522, кл. 21 t 39, 1966.
2. Патент США И 3226218, кл.65-139, 1965.
3. Патент США М 3716285, кл. Н 01 J 9/38, 1973.