Способ получения фотографических снимков различного рода объектов

Патент 911440

Авторы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

<и>911

Союз Советски к

Социалистические

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДИТИЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (5I)M. Кл. (22) Заявлено 09,1 078 (21) 2б78900/18-10

G 03 В 41/00

G 01 N 27/00 с присоединением заявки № (23 ) 11кударстеенный квинтет

СССР

П риорнтет

Опубликовано 07.0332. Бюллетень ¹ 9 (53) УДКь77. 0221

;ь 77 05;620. 179 1(088.8) ле делан нэабретеннй н еткрытнй

Дата опубликования описания 070382 к

;.. 1

V к (72) Авторы изобретения

С.Ф.. Романий и 3.Д. Черный (71) Заявитель (S4) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОГРАФИЧЕСКИХ СНИМКОВ

РАЗЛИЧНОГО РОДА ОБЪЕКТОВ

Изобретение относится к фототехнй ке и может быть использовано при неразрушающем контроле глубинной структуры диэлектрических материалов.

Известен способ получения фотогра1 фических снимков различного рода объектов, заключающийся в том, что подлежащий съемке объект помещают . в электрическое поле высокой частоты, а фотоматериал располагают между электродом высокочастотной цепи, образующим обкладку конденсатора, и подлежащей съемке поверхностью объекта.,При определенной величине напряжения на обкладках, величине разряд-! ного промежутка и выдержке в фотоматериале формируется скрытое изображение. поверхности, а также глубинной структуры объекта. При соответствую" щей химической обработке фотоматериала.изображение становится видимым (1) .

Недостатком известного способа является невозможность проведения

2 объемного контроля объектов с открытой пористой структурой, например пенопласта и других материалов, получаемых вспениванием, так как разряд,проходя от одной обкладки через поры объекта к другой, производят засветку фотоматериала и при этом.не несет информации о внутреннем строении объекта.

1О

Цель изобретения - обеспечение возможности проведения.неразрушающего объемного контроля объектов с открытой пористой структурой.

Поставленная цель достигается тем, что подлежащий съемке объект помещают в электрическое поле высокой частоты, фотоматериал располагают между электродом высокочастотной цепи, образующим обкладку конденсато" ра, и подлежащей съемке поверхностью объекта,,а на поверхности объекта помещают диэлектрическую пленку.

Формула изобретения

Составитель Л. Гайковская

Редактор В. Иванова Техред M.Íàäü Корректор Ю.Макаренко

Заказ 1120/36 Тираж 489. Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

1 13035, Москва, Ж- 35, Раушская наб, д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. )жгород, ул. Проектная, 4

3 . 91144

На чертеже представлена принципиальная схема устройства для осуществления предлагаемого способа.

Устройство содержит обкладки 1 и

2 конденсатора, к которым подключен генератор 3 токов высокой частоты, фотоматериал 4. На чертеже показан подлежащий съемке объект 5 с открытой пористой структурой и диэлектри- ческая пленка б, плотно контактирую- 1о щая с поверхностью объекта, Между диэлектрической пленкой и фотоматериалом имеется разрядный промежуток.

Способ осуществляется следующим образом. !5

Для проведения снимка структуры пористого объекта 5 его помещают в .электрическое поле высокой частоты между обкладками конденсатора. Фотоматериал располагают между обкладкой 2О

2 конденсатора и поверхностью объекта, при этом вплотную на поверхности .объекта 5 располагают диэлектрическую пленку 6, например полихлорвиниловую, толщиной 0,1 мм. 25

Диэлектрическая пленка, становясь неотъемлемой частью исследуемого объекта, исключает сквозной. пробой между электродами через поры объекта.

На фотоматериале же формируется скры- 30

0 4. тое изображение глубинной структуры объекта с открытой пористой структурой, которое известным способом получить невозможно.

Изобретение позволяет производить фотографирование внутренней структуры пористых объектов, имеющих несплошность по всей толщине.

Способ получения фотрграфических снимков различного рода объектов, заключающийся в том, что подлежащий съемке объект помещают в электрическое поле высокой частоты, а фотоматериал располагают между электродом высокочастотной цепи, образующим обкладку конденсатора, и подлежащей съемке поверхностью объекта, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью неразрушающего объемного контроля объектов с открытой пористой структурой, на поверхности объекта помещают диэлектрическую пленку.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

N 106401, кл. G 03 В 41/00, 1949.