Способ изготовления магнитопленочной матрицы

Способ изготовления магнитопленочной матрицы

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз .Советсиик

Социалистичесиии

Реснубпии iii911620 (61) Дополнительное«авт. свид-ву (22) Заявлено 100380 (21) 2911443/18-24 с присоединением заявки РЙ (23) Приоритет

Опубликовано 070382. Бюллетень М 9

Дата опубликования описания 070382 (51)М. К.д.

G 11 С 11/14

1ааударртввнный квмнтет

СССР аю делам нэвбрвтеннй н открытнй (53) УДК 681,327. .6(088.8) Л.И. Олейник, В.А. Грабенко и М. P. Калинович

Ордена Ленина институт кибернетики АН краийской, ССг (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОПЛЕНОЧНОЙ

МАТРИЦЫ

Изобретение относится к вычисли.тельной технике и может быть использовано при изготовлении магнитопленочных матриц.

Известны способы изготовления матриц с низкой величиной поля анизотропии, основанные на нанесении слоя магнитного материала на подложку с отжигом пленок в магнитном поле (1) и,2)..

Недостатком известных способов является низкая надежность, обусловленная увеличением дисперсии анизотропии пленок.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ, основанный на нанесении слоя магнитного материала на подложку со слоем термопластичного материала с последующим нагреванием и термообработкой подложки с нанесенными слоями в магнитном поле .L3)1.

Недостатком известного способа является сложность изготовления.

Цель изобретения — упрощение способа изготовления магнитопленочных матриц.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления магнито5 пленочной матрицы, включающем нанесение слоя магнитного материала на подлсжку со слоем термопластичного материала с последующим нагреванием тб подложки до температуры размягчения термопластичного материала при одновременном воздействии на подложку магнитного поля, прекращение воздей-. ствия магнитного поля, охлаждение подложки до температуры, меньшей

15 температуры стеклования термопластичного материала, нанесение на слой магнитного материала изоляционных слоев и управляющих шин, охлаждение подложки осуществляют перед прекращением воздействия на подложку магнитного поля, а слой магнитного материала наносят толщиной от минимально «,опустимой для данного маг911620 нитного материала до начала стабилизации поля аниэотропии.

На фиг. 1 показана магнитопленочная матрица, продольное сечение, на фиг. 2 - основные этапы формирования поля анизотропии; на фиг. 3 - зависимость поля анизотропии от толщины пленки.

В первом слое ABCL (фиг. 1), прилегающем к подложке, константа магнитострикции зависит от упругости подложки, а константа второго, вышележащего, слоя ВСМА независима от упругих свойств подложки вследствие экранирования этого участка от подложки участком ABCL. В первом слое происходит торможение .подложкой магнитострикционной деформации пленки в магнитном поле. Вызванное подложкой изменение магнитострикционной константы в направлении магнитного ,поля вызывает в участке ABCl одно-! осное напряжение, а также обуслов ленный им магнитострикционный. комI понент наведенной анизотропии, пропорциональные изменениям магнитострикционной константы. Толщина пленки, при которой эти параметры становятся равными нулю, является границей раздела двух участков пленки.

Вследствие того, что участок плен ки ABCL имеет конечную. толщину, доля

его вклада в усредненную величину поля анизотропии с. возрастанием толщизз ны второго участка (т.е. с возрастанием общей толщины) пленки уменьшается, стремясь к нулю.. В результате с ростом толщины пленки уменьшается поле анизотропии.

В пленках на жестких упругих под ложках зависимость поля анизотропии от толщины пленки практически отсут ствует. На термопластичных полимерных подслоях в связи с их малой упру45 гостью, особенно при нагревании выше температуры стеклования полимера, эта зависимость существенна. Полимерный подслой используется в состоянии с фиксированной минимальной упругостью, достигаемой нагреванием до размягчения. Регулировка же величины поля анизотропии осуществляется путем изменения толщины пленки.

На .фиг. 2 показана часть матрицы: магнитная пленка 1 толщиной О,термопластичное покрытие 2 подложки,подложка 3, при выключенном магнитном поле, комнатной температуре и несфор.

I мированной аниэотропии. Через Р обозначена минимальная толщина, воз/ можная для данного носителя информации. формирование анизотропии происходит следующим образом.

На размягченном слое не происходит торможения деформации пленки в магнитном поле (фиг. 25, направление поля показано стрелкой). В результате беспрепятственно изменяются размеры магнитной. пленки, увлекая прилегающую прослойку полимера.йагнитострикционное напряжение в пленке при этом не создается, а .формирующееся под действием магнитного поля в пленке поле анизотропии минимально при любой толщине пленки и обусловлено немагнитострикционными механизмами (упорядочение пар атомов и .др.), Если охладить подложку в магнитном поле ниже минимальной границы температурной области стеклования, происходит затаердевание подслоя в позиции, показанной на фиг. 25. Выключение магнитного поля при затвердев. шем подслое (фиг. 28) приводит к упругому взаимодействию подслоя и магнитной пленки, а следовательно, к возникновению деформации, напряжения в участке ABCL (фиг.1) пленки и магнитострикционного компонента, увеличивающего суммарную константу наведенной анизотропии и поле анизотропии. Величина поля анизотропии в этом случае зависит от толщины пленки. При малой толщине наблюдается максимальное поле анизотропии, величина которого зависит от сил упругости взаимодействия подслоя,и магнитной пленки. При увеличении толщины силы упругого взаимодействия с подложкой ослабевают, и максимальное поле анизотропии начинает уменьшаться, стремясь к минимальному значению. Практически нижним пределом диапазона толщин, в котором происходит изменение величины поля анизотропии, является толщина, минимально допустимая для данного носителя информации.

Толщина, при которой достигается минимальное значение поля аниэотропии, является верхним пределом диапазона толщин.

Результаты измерения поля анизотропии для выполненных данным способом матриц показаны на фи г. 3, кривая 1. Для сравнения показана также

Формула изобретения

5 91162 зависимость (прямая 2) для матриц на жестких стеклянных подложках. Из фиг. 3 видно, что в пределах используемых толщин слоя магнитного материала матриц.600-3500 3 .достигнуто изменение поля анизотропии в пределах 6-3,5 Э. Угловая дисперсия анизотропии остается при этом в допустимых пределах.

Изобретение позволяет существен-. 10 но упростить способ изготовления маг.нитопленочных матриц.

Способ изготовления магнитопленочной матрицы, включающий нанесение слоя магнитного материала на подложку со слоем термопластичного мате- 20 риала с последующим нагреванием подложки до температуры размягчения термопластичного материала при одновременном воздействии на подложку магнитного поля, прекращение воздей- ?ц

0 6 ствия магнитного поля, охлаждение подложки до температуры, меньшей температуры стеклования термопластично" го материала, и нанесение на спой магнитного материала изоляционных слоев и управляющих шин, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью упрощения способа изготовления, охлаждение подложки осуществляют перед прекращением воздействия на подложку HBfHHTHQlo поля, а слой магнитного материала наносят толщиной от минимально допустимой для данного магнитного материала до начала стабилизации поля анизотропии.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Тонкие магнитные пленки в вычислительной технике. Киев, "Техника", 1968.

2. Патент Японии Н 50-526, кл. 97(7), опублин. 1972 °

3. Авторское свидетельство СССР

If 673047, кл. G 11 С 11/14, 1979 (прототип).

911620

Составитель В.Костин

Техред С.Мигунова Корректор Г.Orap ,т

Редактор С.Тараненко

Заказ 1138/45 Тираж 624 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Иосква, Ж-35, Раушская наб., д.4/5 филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4