Запоминающее устройство

Запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соввтскик

Соцналнстнческик

Республик (11, 9 1 1 62. 1 (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 270680 (2l j 2972135/18-24 (51) М. Кл. с присоединением заявки И

С 11 С 11/14

3Ъсударстеенный комнтет

СССР (23 ) П риоритет но делан нзобретеннй н открытнй

Опубликовано 070382. Бюллетень № 9 (53) УДК 681. 327. .66(088.8) Дата опубликования описания 070382

Ю - -. * a

В. В. Котунов, Е. И. Николаев, Б.П. Нам, В.I КЫзреикр-,;,, Е.П . Паринов и В.Н, Киселев

i ill:., 1,, ;;>

I

М. „.,- „-;;":: -"-"к ь ( (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (S4) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении устройств хра нения дискретной информации на цилиндрических магнитных домнах (ЦМД).

Известно запоминающее устройство (ЗУ), содержаще. магнитоодноосную пленку, на которой расположены управляющие аппликации и токовые шины, разделенные слоем диэлектрика, и постоянные магниты для создания поля смещения (1).

Недостатками такой конструкции

ЗУ являются ее сложность, наличие многочисленных деталей из разнородных материалов, которые необходимо точно расположить между собой и зафиксировать, значительные габариты и масса. В совокупности все это приводит к снижению надежности работы устройства и обуславливает низкую технологичность его изготовления.

Наиболее близким к изобретению является ЗУ, которое содержит магнитоодноосную пленку с нанесенными на нее первым слоем диэлектрика, управляющими токовыми шинами, вторым слоем диэлектрика, доменопродвигающими аппликациями и пленочный постоянный магнит l2).

Недостатком этого устройства является невозможность получения больших полей смещения. Кроме того, при непосредственном контакте пленочного постоянного магнита с магнитоодноосным слоем оказывается неоднород . ным по величине и направлению опорное магнитное поле в локальных областях всей площади, что является

15 дополнительным недостатком, препят.ствующим созданию ЗУ и ЦМД такого конструктивного исполнения.

Цель. изобретения — повышение на20 дежности запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается путем того, что запоминающее устройство содержит ра зделительный немагнитный слой, расположенный между

3 9l доменопродвигающими аппликациями и пленочным постоянным магнитом.

Пленочный постоянный магнит выполняется из материала состава

Sm (Co, Fe) с магнитной энергией более 10 ИГс.Э.

На чертеже изображена конструкция предлагаемого запоминающего устройства.

Запоминающее устройство содержит магнитоодноосную пленку 1, на которую последовательно нанесены первый слой 2 диэлектрика, управляющие токовые шины 3, второй слой 4 диэлектрика, доменопродвигающие аппли-, кации 5, немагнитный разделительный слой 6 и пленочный постоянный маг-, нит 7.

Устройство работает следующим образом.

Пленочный постоянный магнит 7 состава Sm (Co, Fe) y, нанесенный на разделительный немагнитный слой б, например, методом вакуумного испарения, намагничивается во внешнем Ilo ле до уровня, обеспечивающего при применяемой толщине слоя .6 величину опорного поля в магнитоодноосной пленке 1, соответствующего примерно середине области существования ЦИД.

Этим создается условия для функционирования устройства в режиме хранения информации: при наличии вращающегося планарного магнитного поля путем подачи импульсов тока в управляющие.шины 3 производится запись и выборка информации в виде ЦМД, перемещение и хранение которых обеспечи" вается с помощью доменопередвигающих аппликаций 5. При этом надежность работы устройства повышается вследствие создания опорного магнитного поля однородного по величине и направ-. лению в пределах всей площади устрой1621 ф ства. Одновременно реализуется более высокая степень технологичности устройства, т.е. применение на всех стадиях его изготовления микроэлектронных методов означает увеличение экономичности -технологии производства.

Применение предлагаемого ЗУ на

ЦИД позволяет получить полностью твердотельнре устройство, изготовляе В мое .микроэлектронными технологическими приемами. Получаемое в предлагаемом ЗУ повышение надежности работы и ! технологичности дости гается без существенного усложнения его изготовления.

Формула изобретения

1. Запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с нанесенными на нее первым слоем диэлектрика, управляющими токовыми шинами, вторым слоем диэлектрика, щ доменопродвигающими аппликациями и пленочный постоянный магнит, о т л и ч а ю щ е е с я тем,. что, с целью повышения надежности устройства, оно содержит разделительный незв магнитный слой, расположенный между доменопродвигающими аппликациями и пленочным постоянным магнитом.

2. Устройство по и. 1, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что пленочный постоянный магнит выполнен из материала состава Sm (Co, Fe) 7 с магнитной энергией более 10 ИГс Э.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе, Патент США и 4096581, кл. 340- 174, опублик. 1978.

2. Jonr. Appl Phys 1971, ч.42, р ° 1360 (прототип).

911621

Составитель Ю. Розенталь

Редактор С; Тараненко Техред N.Кастелевич . Корректор М Шароши

Заказ 1138/45 Тираж 624 Подписное

ВНИИПИ Государственного коиитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д 4/5

Филиал.llllfl "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4