Способ химической полировки монокристаллов титаната стронция
Патент 912778
Авторы
Способ химической полировки монокристаллов титаната стронция
Иллюстрации
Реферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ . К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Сеюа Севетскио
Сетамалмстнчесимк
Вес ублми
С 30 В 33/00
1Ъоудлротоаклый комитат
СССР 40 делам нзобротонио н открытой с ярисоединениеат заявки М (23) Приоритет
С 30 В 29/32 (53) УДК 621.315.
° 592 (088.8) Опубликовано 15.03.82. Бюллетень М 10
Дата опубликования описания 17.03.82
A. Я. Зайончковский, Г. Н. Кудряшова, JL Е. Левина;, Ю. В. Лихолетов и А. H. Мосевич. (72) Авторы изобретения
Ленинградский сфдена Ленина электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (7l ) Заявитель (54) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ МОНОКРИСТАЛЛОВ
ТИТА НАТА СТРОНЙИЯ
Изобретение относится к области электронной техники и может быть ис пользовано, например, для изготовления нелинейных конденсаторов, Работаюших при криогенных температурах.
Известен способ обработки поверх.- ности монокристалла титаната стронция с плоскостью ориентации (100) раство ром едкого кали при 410-710 С f13 °
Недостатком известного способа яв- ляется невозможность осушествления полировки поверхности, так как раствор: оказывает травяшее воздействие.
Наиболее близким к предлагаемому является способ химической полировки монокристаллов титаната бария, включаюший обработку кристалла нагретым раоч ворам артттфаафарЮй allOllmы llpll llepe
МФтцПРФНИП: Цe
НецаатаРЮМ ЕРШЕ Етттааба НВНйЕРЕК
- тв, что Ol! ттрттМЕт!ИМ т©ПЫтю @Ra ЖЧэЧ ной обработки кристалла и ие позволяет достигать высокой чистоты обработки по верхнос ги.
Йель изобретения - повышение чистоты обработки поверхности.
Поставленная пель достигается тем, что хямическую полировку монокркс таллов титаната стронция с плоскостью ориентации (100) осушествляют 7087 вес.%-ным водным раствором ортофосфорной кислоты, нагретым до 180200оС, в течение 20-25 мин при врашении 70-80 об/мин.
П р к м в р. Проводят полировку поверхности монокристалла fèTàíàòà строп ция с„плоскостью ориентации (100) фос форной кислотой разной концентрации при
180200 С, время обработки 20 25 мин.
1$
Ъ
Результаты полировки представлены в ребщще, KeaeenOee enererg e6pe6m lll! !!Ouphe аб NCKFN OHPo@O46!QV !МЩУ!(3фЩ39!!ЩтттщВ|М 9щ@а
ЧЮММ MOVQ5OM Н МФРРДОМ РдэтЩ РР афй!тв
Последний еикаал, что травление поверх ° ности кристалла проведено полностью. Вид . электронао.раммы соответствует электро- .
Заметное пол пров ание
0,242
0,211
Удовлетворительное пол ирование 80
0,170
0,135
Хорошее полирование
0,165
0,105
Составитель B. Рыцарев
Редактор Л. Веселовская Техред С.Мигунова Корректор У. Пономаренко
Заказ 1324/36 Тираж 373 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП "Патент", r Ужгород, ул. Проектная, 4
Ппп,патент зак. g+ g, 3 9127 ною;рамме, которая получена с поверхности, имеющей атомарные гладкие участки.
Применение предлагаемого способа химической полировки обеспечивает высокую чистоту обработки поверхности, простоту технологического цикла, т.е. более высокую температуру травления, высокую воспроизводимость параметров. Кроме того, 1 \
Фор мула изобретения, Способ химической полировки монокристаллов титаната стронция с плоскостью ориентации (100), включающий обработку поверхности нагретым раствором ортофосфорной кислоты при вращении, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты обработки по- верхности, процесс осуществляют 70«
87%-ным (вес.) водным раствором орто78 4 колебайия температуры порядка несколь
«их градусов в процессе обработки кристалла не влияют на результат попирующего травления.
Нелинейные конденсаторы, созданные на основе монокристаллоа титаната строн ция, обработанных предлагаемым способом, существешю повысили диэлектричес- кие характеристики и стабильность.
/ фосфорной кислоты, нагретым до 180200 С в течение 20 25 мин и при вращении со скоростью 70-80 об/мии.
Источники информации, принятые во внимание при акспертизе
g.9iодеЪ,%.Н,, т.ok АгйгЖсю СЕrapnhC Soc"., 196Ü,49 jhow, е,140.
2. Хирш П. Электронная, :микроскопия тонких кристаллов. М., Мир", 1968, с. 478 (прототип).