Способ получения селективных эпитаксиальных структур

Способ получения селективных эпитаксиальных структур

Реферат

Способ получения селективных эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы, включающий перемещение подложки, контактирующей с узкой полоской расплава при принудительном снижении температуры, отличающийся тем, что, целью упрощения технологии получения многоэлементарных структур улучшения их качества, снижают температуру со скоростью 510^-3 - 10^-2 град/с, а скорость перемещения подложки устанавливают из соотношения V=D/L, где V - скорость перемещения подложки, мкм/с; D - коэффициент диффузии компонента, растворенного в расплаве, см²/с; L - линейный размер периода повторения (шага) структуры в направлении перемещения, см.