Элемент селекции для регистров сдвига на плоских магнитных доменах

Элемент селекции для регистров сдвига на плоских магнитных доменах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

И ЗО6РЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (1920842

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 29.04.80 (21) 2918029/18-24 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М. Кл.

G 11 С 19/00

G 11 С 11/14

Гасударственный камвтет

Опубликовано 15.04.82. Бюллетень №14

Дата опубликования описания 25.04.82 (53) УДК 681.327..66 (088.8 ) по аелам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

«

С. И. Касаткин и В. С. Семенов

1

Ордена Ленина институт проблем управления,,,. (71) Заявитель (54) ЭЛЕМЕНТ СЕЛЕКЦИИ ДЛЯ РЕГИСТРОВ СДВИГА

HA ПЛОСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНАХ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД).

Известен элемент селекции для регистров сдвига на ПМД, содержащий управляющие проводники, каждый из которых охватывает определенную группу регистров (1).

Недостатком этого элемента селеКции является ограниченная область применения.

Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является элемент селекции для регистров сдвига на ПМД, который содержит тонкую магнитную пленку с низкокоэрцитивными каналами продвижения

ПМД и расположенные перпендикулярно к ним шины селекции (2).

Недостатками этого элемента селекции являются необходимость двух слоев проводников, громоздкость структуры, что приводит к большой площади, большое число шин селекции,,приводящее к значительному числу контактов.

Цель изобретения — упрощение известного элемента селекции для регистров сдвига на ПМД.

Указанная цель достигается тем, что эле- мент селекции дополнительно содержит магнитожесткие аппликации, расположенные на тонкой магнитной пленке под шинами селекции, выполненными в одном слое.

На фиг. 1 показано схематическое изоб-. ражение элемента селекции, вид сверху; на фиг. 2 — общий вид элемента селекции; на фиг. 3 — распределение магнитного поля по оси магнитожесткой аппликации для конкретно применяемых устройств. При расчете учитывались соседние элементы.

Элемент селекции (см. фиг. 1) содержит шины селекции 1 — 3, под которыми расположены магнитожесткие аппликации 4 — 6, 15 например, прямоугольной формы с переменной шириной, и низкокоэрцитивные каналы продвижения ПМД 7 — 9. Сформированные в тонкой магнитной пленке 10 (см. фиг. 2) ряды аппликаций под соседними шинами сдвинуты относительно друг друга на часть аппликаций, создающей магнитное поле определенной величины.

Элемент селекции работает следующим образом.

920842

Магнитожесткая аппликация намагничена таким образом, что создает отрицательное магнитное поле в лежащих под ней областях низкокоэртицивных каналах, препятствующее прохождению домена через эту область. Величина магнитного поля (см. фиг. 3) зависит от ширины полоски (чем уже аппликация, тем больше поле). Для продвижения домена необходимо подать внешнее магнитное поле Н >Нр, где Нр— поле продвижения ПМД. Наиболее экономным будет случай, когда поле в промежутке между соседними аппликациями под одной шиной селекции и перепады полей за счет различной ширины полосок будут равны Нв .

Рассмотрим элемент селекции, который выделяет один регистр из трех. Например, если нужно пропустить домен по каналу 7, то в шину 1 подается импульс тока, дающий положительное поле Н=4,5. Н„р. При такой амплитуде поле под шиной 1 проходит все три домена по каналам 7 — 9. В шину 2 по- .

20 дается импульс тока, дающий Н =2,5Н р.

Суммарное поле под шиной будет достаточным только для прохождения домена в канале 7. И для того, чобы этот домен прошел под шиной 3, необходим импульс тока; создающий Н=3,5Нпр. Подобным же образом 2g можно выбрать каналы 8 и 9. Таким образом, чтобы проселектировать и регистров, проходящих под одной аппликацией, требуется и шин селекций. Если число регистров N, 4 то для полной селекции оставшихся н и регистров необходимо еще шин. Общее число шин селекций р=п+ — — „. и

Таким образом, при тех же технических характеристиках, что и у известного, предлагаемый элемент селекции значительно проще конструктивно и технологичнее в изготовлении за счет того, что он содержит один слой проводников и слой аппликаций, которые выполняются в одной технологической операции с аппликациями для регистров сдвига.

Формула изобретения

Элемент селекции для регистров сдвига на плоских магнитных доменах, содержащий тонкую магнитную пленку с низкокоэрцитивными каналами продвижения плоских магнитных доменов и расположенные перпендикулярно к ним шины селекции, отличающийся тем, что, с целью упрощения элемента селекции, он содержит магнитожесткие аппликации, расПоложенные на тонкой магнитной пленке под шинами селекции, выполненными в одном слое.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. IRE Proc, ч. 35, 1976, р. 63.

2. Патент ФРГ № 2438204, кл. 21а, опублик. 1978 (прототип).

920842

Составитель Ю. Розенталь

Редактор В. Бобков Техред А: Бойкас Корректор О. Билак

Заказ 2356 62 Тираж 624 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ”.35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4